JAJSSD9 データシート

ZHCSU28D April 2006 – February 2024 LM94

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DGG|56
- MPDS570

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

5.3 直流电气特性

除非另有说明，否则以下限值适用于 +3.0V_DC 至 +3.6V_DC。粗体限值适用于 T_A = T_J（工作范围内的 T_MIN 至 T_MAX）；所有其他限值适用于 T_A = T_J = 25°C（除非另有说明）。T_A 是 LM94 的环境温度；T_J 是 LM94 的结温；T_D 是热敏二极管的结温。

参数		测试条件	典型值 ⁽¹⁾	限值 ⁽²⁾	单位（限值）
电源特性
	电源电流	正在转换，接口和风扇未运行，峰值电流	2	2.75	mA（最大值）
	电源电流	正在转换，接口和风扇未运行，平均电流	1.6		mA
	上电复位阈值电压		2	1.6	V（最小值）
	上电复位阈值电压		2	2.7	V（最大值）
温度数字转换器特性
	整个范围内的本地温度精度	0°C ≤ T_A ≤ 85°C	±2	±3	°C（最大值）
	整个范围内的本地温度精度	T_A = +55°C	±1	±2.5	°C（最大值）
	本地温度分辨率		1		°C
	整个范围内的远程热敏二极管温度精度；适用于典型的 90nm 或 65nm 工艺 Pentium 处理器⁽³⁾	0°C ≤ T_A ≤ 85°C 且 0°C ≤ T_D ≤ 100°C		±3	°C（最大值）
	整个范围内的远程热敏二极管温度精度；适用于典型的 90nm 或 65nm 工艺 Pentium 处理器⁽³⁾	0°C ≤ T_A ≤ 85°C 且 T_D = 70°C		±2.5	°C（最大值）
	远程热敏二极管温度精度；适用于典型的 90nm 或 65nm 工艺 Pentium 处理器⁽³⁾	0°C ≤ T_A ≤ 85°C 且 25°C ≤ T_D ≤ 70°C	±1		°C
	远程温度分辨率		1		°C
	热敏二极管源极电流	高电平	172	230	µA（最大值）
	热敏二极管源极电流	低电平	10.75		µA
	热敏二极管电流比		16
T_C	总监控周期时间			100	ms（最大值）
模数电压测量转换器特性
TUE	总体未调整误差⁽⁴⁾⁽⁵⁾			±2	占 FS 的百分比（最大值）
DNL	差分非线性		±1		LSB
PSS	电源 (V_DD) 灵敏度		±1		（占 FS 的）%/V
T_C	总监控周期时间			100	ms（最大值）
	带分压器的输入的输入电阻		200	140	kΩ（最小值）
	AD_IN1 至 AD_IN3 和 AD_IN15 模拟输入漏电流⁽⁶⁾			60	nA（最大值）
基准输出 (V_REF) 特性
	容差			±1	%（最大值）
V_REF	输出电压⁽⁷⁾		2.500	2.525 2.475	V（最大值） V（最小值）
	负载调节	I_SOURCE = −2mA I_SINK = 2mA	0.1		%
数字输出：PWM1、PWM2
I_OL	最大灌电流			8	mA（最小值）
V_OL	输出低电压	I_OUT = 8.0mA		0.4	V（最大值）
数字输出：全部
V_OL	输出低电压（请注意，电流过大会导致自发热并使内部温度精度降低。）	I_OUT = 4.0mA		0.4	V（最小值）
V_OL	输出低电压（请注意，电流过大会导致自发热并使内部温度精度降低。）	I_OUT = 6mA		0.55	V（最小值）
I_OH	高电平输出漏电流	V_OUT = V_DD	0.1	10	µA（最大值）
I_OTMAX	所有数字输出组合的最大总灌电流			32	mA（最大值）
C_O	数字输出电容		20		pF
数字输入：全部
V_IH	除 Address Select 以外的输入高电压⁽⁸⁾			2.1	V（最小值）
V_IL	除 Address Select 以外的输入低电压⁽⁸⁾			0.8	V（最大值）
V_IH	Address Select 的输入高电压⁽⁸⁾			90% V_DD	V（最小值）
V_IM	Address Select 的输入中电压			43% V_DD 57% V_DD	V（最小值） V（最大值）
V_IL	Address Select 的输入低电压⁽⁸⁾			10% V_DD	V（最大值）
V_HYST	DC 迟滞		0.3		V
I_IH	输入高电流	V_IN = V_DD		-10	µA（最小值）
I_IL	输入低电流	V_IN = 0V		10	µA（最大值）
C_IN	数字输入电容		20		pF
数字输入：P1_VIDx、P2_VIDx、GPI_9、GPI_8、GPIO_7、GPIO_6、GPIO_5、GPIO_4（当在寄存器 BEh GPI/VID 电平控制中设置相应的位时）
V_IH	备用输入高电压（与 AGTL+ 兼容）			0.8	V（最小值）
V_IL	备用输入低电压（与 AGTL+ 兼容）			0.4	V（最大值）

(1) T_J = T_A = 25°C 时为典型参数，表示最可能的参数标准。

(2) 限值特定于德州仪器 (TI) 的 AOQL（平均出厂质量水平）。

(3) 在该规格首次发布时（2006 年 1 月），如果选择 TruTherm，则该规格适用于 90nm 或 65nm 工艺 Pentium 或 Xeon 处理器。如果未选择 TruTherm，则该规范适用于 MMBT3904。该规格包含由二极管理想性和串联电阻参数的可变性引起的误差。

(4) 总监控周期时间包括所有温度和电压转换。

(5) TUE（总体未调整误差）包括 ADC 的失调电压、增益和线性误差。

(6) 温度每增加 20°C，漏电流大约增加一倍。

(7) 40mA 的总数字 I/O 电流可能会导致 Vref 产生 6mV 的失调电压。

(8) 时序规格是在 TTL 逻辑电平下测试的，在下降沿 V_IL = 0.4V，在上升沿 V_IH = 2.4V。TRI-STATE 输出电压被强制设置为 1.4V。