ZHCSSS9C March   2023  – January 2025 AM62A1-Q1 , AM62A3 , AM62A3-Q1 , AM62A7 , AM62A7-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 4 器件比较
    1. 4.1 相关产品
  6. 5 端子配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性
      1.      11
      2.      12
    3. 5.3 信号说明
      1.      14
      2. 5.3.1  CPSW3G
        1. 5.3.1.1 MAIN 域
          1.        17
          2.        18
          3.        19
          4.        20
      3. 5.3.2  CPTS
        1. 5.3.2.1 MAIN 域
          1.        23
      4. 5.3.3  CSI-2
        1. 5.3.3.1 MAIN 域
          1.        26
      5. 5.3.4  DDRSS
        1. 5.3.4.1 MAIN 域
          1.        29
      6. 5.3.5  DSS
        1. 5.3.5.1 MAIN 域
          1.        32
      7. 5.3.6  ECAP
        1. 5.3.6.1 MAIN 域
          1.        35
          2.        36
          3.        37
      8. 5.3.7  仿真和调试
        1. 5.3.7.1 MAIN 域
          1.        40
        2. 5.3.7.2 MCU 域
          1.        42
      9. 5.3.8  EPWM
        1. 5.3.8.1 MAIN 域
          1.        45
          2.        46
          3.        47
          4.        48
      10. 5.3.9  EQEP
        1. 5.3.9.1 MAIN 域
          1.        51
          2.        52
          3.        53
      11. 5.3.10 GPIO
        1. 5.3.10.1 MAIN 域
          1.        56
          2.        57
        2. 5.3.10.2 MCU 域
          1.        59
      12. 5.3.11 GPMC
        1. 5.3.11.1 MAIN 域
          1.        62
      13. 5.3.12 I2C
        1. 5.3.12.1 MAIN 域
          1.        65
          2.        66
          3.        67
          4.        68
        2. 5.3.12.2 MCU 域
          1.        70
        3. 5.3.12.3 WKUP 域
          1.        72
      14. 5.3.13 MCAN
        1. 5.3.13.1 MAIN 域
          1.        75
        2. 5.3.13.2 MCU 域
          1.        77
          2.        78
      15. 5.3.14 MCASP
        1. 5.3.14.1 MAIN 域
          1.        81
          2.        82
          3.        83
      16. 5.3.15 MCSPI
        1. 5.3.15.1 MAIN 域
          1.        86
          2.        87
          3.        88
        2. 5.3.15.2 MCU 域
          1.        90
          2.        91
      17. 5.3.16 MDIO
        1. 5.3.16.1 MAIN 域
          1.        94
      18. 5.3.17 MMC
        1. 5.3.17.1 MAIN 域
          1.        97
          2.        98
          3.        99
      19. 5.3.18 OSPI
        1. 5.3.18.1 MAIN 域
          1.        102
      20. 5.3.19 电源
        1.       104
      21. 5.3.20 保留
        1.       106
      22. 5.3.21 系统和其他
        1. 5.3.21.1 启动模式配置
          1. 5.3.21.1.1 MAIN 域
            1.         110
        2. 5.3.21.2 时钟
          1. 5.3.21.2.1 MCU 域
            1.         113
          2. 5.3.21.2.2 WKUP 域
            1.         115
        3. 5.3.21.3 系统
          1. 5.3.21.3.1 MAIN 域
            1.         118
          2. 5.3.21.3.2 MCU 域
            1.         120
          3. 5.3.21.3.3 WKUP 域
            1.         122
        4. 5.3.21.4 VMON
          1.        124
      23. 5.3.22 计时器
        1. 5.3.22.1 MAIN 域
          1.        127
        2. 5.3.22.2 MCU 域
          1.        129
        3. 5.3.22.3 WKUP 域
          1.        131
      24. 5.3.23 UART
        1. 5.3.23.1 MAIN 域
          1.        134
          2.        135
          3.        136
          4.        137
          5.        138
          6.        139
          7.        140
        2. 5.3.23.2 MCU 域
          1.        142
        3. 5.3.23.3 WKUP 域
          1.        144
      25. 5.3.24 USB
        1. 5.3.24.1 MAIN 域
          1.        147
          2.        148
    4. 5.4 引脚连接要求
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  未通过 AEC - Q100 认证的器件的 ESD 等级
    3. 6.3  符合 AEC - Q100 标准的器件的 ESD 等级
    4. 6.4  上电小时数 (POH)
    5. 6.5  建议运行条件
    6. 6.6  运行性能点
    7. 6.7  功耗摘要
    8. 6.8  电气特性
      1. 6.8.1 I2C 开漏和失效防护 (I2C OD FS) 电气特性
      2. 6.8.2 失效防护复位（FS 复位）电气特性
      3. 6.8.3 高频振荡器 (HFOSC) 电气特性
      4. 6.8.4 低频振荡器 (LFXOSC) 电气特性
      5. 6.8.5 SDIO 电气特性
      6. 6.8.6 LVCMOS 电气特性
      7. 6.8.7 CSI-2 (D-PHY) 电气特性
      8. 6.8.8 USB2PHY 电气特性
      9. 6.8.9 DDR 电气特性
    9. 6.9  一次性可编程 (OTP) 电子保险丝的 VPP 规格
      1. 6.9.1 OTP 电子保险丝编程的建议运行条件
      2. 6.9.2 硬件要求
      3. 6.9.3 编程序列
      4. 6.9.4 对硬件保修的影响
    10. 6.10 热阻特性
      1. 6.10.1 AMB 和 ANF 封装的热阻特性
    11. 6.11 温度传感器特性
    12. 6.12 时序和开关特性
      1. 6.12.1 时序参数和信息
      2. 6.12.2 电源要求
        1. 6.12.2.1 电源压摆率要求
        2. 6.12.2.2 电源时序
          1. 6.12.2.2.1 上电时序
          2. 6.12.2.2.2 下电时序
          3. 6.12.2.2.3 部分 IO 电源时序
      3. 6.12.3 系统时序
        1. 6.12.3.1 复位时序
        2. 6.12.3.2 错误信号时序
        3. 6.12.3.3 时钟时序
      4. 6.12.4 时钟规格
        1. 6.12.4.1 输入时钟/振荡器
          1. 6.12.4.1.1 MCU_OSC0 内部振荡器时钟源
            1. 6.12.4.1.1.1 负载电容
            2. 6.12.4.1.1.2 并联电容
          2. 6.12.4.1.2 MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源
          3. 6.12.4.1.3 WKUP_LFOSC0 内部振荡器时钟源
          4. 6.12.4.1.4 WKUP_LFOSC0 LVCMOS 数字时钟源
          5. 6.12.4.1.5 未使用 WKUP_LFOSC0
        2. 6.12.4.2 输出时钟
        3. 6.12.4.3 PLL
        4. 6.12.4.4 时钟和控制信号转换的建议系统预防措施
      5. 6.12.5 外设
        1. 6.12.5.1  CPSW3G
          1. 6.12.5.1.1 CPSW3G MDIO 时序
          2. 6.12.5.1.2 CPSW3G RMII 时序
          3. 6.12.5.1.3 CPSW3G RGMII 时序
        2. 6.12.5.2  CPTS
        3. 6.12.5.3  CSI-2
        4. 6.12.5.4  DDRSS
        5. 6.12.5.5  DSS
        6. 6.12.5.6  ECAP
        7. 6.12.5.7  仿真和调试
          1. 6.12.5.7.1 迹线
          2. 6.12.5.7.2 JTAG
        8. 6.12.5.8  EPWM
        9. 6.12.5.9  EQEP
        10. 6.12.5.10 GPIO
        11. 6.12.5.11 GPMC
          1. 6.12.5.11.1 GPMC 和 NOR 闪存 - 同步模式
          2. 6.12.5.11.2 GPMC 和 NOR 闪存 - 异步模式
          3. 6.12.5.11.3 GPMC 和 NAND 闪存 - 异步模式
        12. 6.12.5.12 I2C
        13. 6.12.5.13 MCAN
        14. 6.12.5.14 MCASP
        15. 6.12.5.15 MCSPI
          1. 6.12.5.15.1 MCSPI - 控制器模式
          2. 6.12.5.15.2 MCSPI - 外设模式
        16. 6.12.5.16 MMCSD
          1. 6.12.5.16.1 MMC0 - eMMC/SD/SDIO 接口
            1. 6.12.5.16.1.1  旧 SDR 模式
            2. 6.12.5.16.1.2  高速 SDR 模式
            3. 6.12.5.16.1.3  高速 DDR 模式
            4. 6.12.5.16.1.4  HS200 模式
            5. 6.12.5.16.1.5  默认速度模式
            6. 6.12.5.16.1.6  高速模式
            7. 6.12.5.16.1.7  UHS–I SDR12 模式
            8. 6.12.5.16.1.8  UHS–I SDR25 模式
            9. 6.12.5.16.1.9  UHS–I SDR50 模式
            10. 6.12.5.16.1.10 UHS-I DDR50 模式
            11. 6.12.5.16.1.11 UHS–I SDR104 模式
          2. 6.12.5.16.2 MMC1/MMC2 - SD/SDIO 接口
            1. 6.12.5.16.2.1 默认速度模式
            2. 6.12.5.16.2.2 高速模式
            3. 6.12.5.16.2.3 UHS–I SDR12 模式
            4. 6.12.5.16.2.4 UHS–I SDR25 模式
            5. 6.12.5.16.2.5 UHS–I SDR50 模式
            6. 6.12.5.16.2.6 UHS-I DDR50 模式
            7. 6.12.5.16.2.7 UHS–I SDR104 模式
        17. 6.12.5.17 OSPI
          1. 6.12.5.17.1 OSPI0 PHY 模式
            1. 6.12.5.17.1.1 具有 PHY 数据训练的 OSPI0
            2. 6.12.5.17.1.2 无数据训练的 OSPI0
              1. 6.12.5.17.1.2.1 OSPI0 PHY SDR 时序
              2. 6.12.5.17.1.2.2 OSPI0 PHY DDR 时序
          2. 6.12.5.17.2 OSPI0 Tap 模式
            1. 6.12.5.17.2.1 OSPI0 Tap SDR 时序
            2. 6.12.5.17.2.2 OSPI0 Tap DDR 时序
        18. 6.12.5.18 计时器
        19. 6.12.5.19 UART
        20. 6.12.5.20 USB
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 处理器子系统
      1. 7.2.1 Arm Cortex-A53 子系统
      2. 7.2.2 器件/电源管理器
      3. 7.2.3 MCU Arm Cortex-R5F 子系统
    3. 7.3 加速器和协处理器
      1. 7.3.1 C7xV-256 深度学习加速器
      2. 7.3.2 视觉预处理加速器
      3. 7.3.3 JPEG 编码器
      4. 7.3.4 视频加速器
    4. 7.4 其他子系统
      1. 7.4.1 双时钟比较器 (DCC)
      2. 7.4.2 数据移动子系统 (DMSS)
      3. 7.4.3 存储器循环冗余校验 (MCRC)
      4. 7.4.4 外设 DMA 控制器 (PDMA)
      5. 7.4.5 实时时钟 (RTC)
    5. 7.5 外设
      1. 7.5.1  千兆位以太网交换机 (CPSW3G)
      2. 7.5.2  摄像头串行接口接收器 (CSI_RX_IF)
      3. 7.5.3  显示子系统 (DSS)
      4. 7.5.4  增强型捕获 (ECAP)
      5. 7.5.5  错误定位模块 (ELM)
      6. 7.5.6  增强型脉宽调制 (EPWM)
      7. 7.5.7  错误信令模块 (ESM)
      8. 7.5.8  增强型正交编码器脉冲 (EQEP)
      9. 7.5.9  通用接口 (GPIO)
      10. 7.5.10 通用存储器控制器 (GPMC)
      11. 7.5.11 全局时基计数器 (GTC)
      12. 7.5.12 内部集成电路 (I2C)
      13. 7.5.13 模块化控制器局域网 (MCAN)
      14. 7.5.14 多通道音频串行端口 (MCASP)
      15. 7.5.15 多通道串行外设接口 (MCSPI)
      16. 7.5.16 多媒体卡安全数字 (MMCSD)
      17. 7.5.17 八进制串行外设接口 (OSPI)
      18. 7.5.18 计时器
      19. 7.5.19 通用异步收发器 (UART)
      20. 7.5.20 通用串行总线子系统 (USBSS)
  9. 8 应用、实施和布局
    1. 8.1 器件连接和布局基本准则
      1. 8.1.1 电源
        1. 8.1.1.1 电源设计
        2. 8.1.1.2 配电网络实施指南
      2. 8.1.2 外部振荡器
      3. 8.1.3 JTAG、仿真和跟踪
      4. 8.1.4 未使用的引脚
    2. 8.2 外设和接口的相关设计信息
      1. 8.2.1 DDR 电路板设计和布局布线指南
      2. 8.2.2 OSPI/QSPI/SPI 电路板设计和布局指南
        1. 8.2.2.1 无环回、内部 PHY 环回和内部焊盘环回
        2. 8.2.2.2 外部电路板环回
        3. 8.2.2.3 DQS（仅适用于八路 SPI 器件）
      3. 8.2.3 USB VBUS 设计指南
      4. 8.2.4 系统电源监测设计指南
      5. 8.2.5 高速差分信号布线指南
      6. 8.2.6 散热解决方案指导
    3. 8.3 时钟布线指南
      1. 8.3.1 振荡器路由
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
      1. 9.1.1 标准封装编号法
      2. 9.1.2 器件命名约定
    2. 9.2 工具与软件
    3. 9.3 文档支持
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ANF|484
  • AMB|484
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10 修订历史记录

All Revision History Changes Intro HTMLSeptember 22, 2023 to January 31, 2025 (from RevisionB (SEPTEMBER 2023)to RevisionC (JANUARY 2025))

  • 通篇：更新了 10 个时序部分中的介绍性句子。Go
  • （特性）：更新了 C7x DSP L1 DCache 和 L1 ICache 存储器大小Go
  • （封装信息）：添加了 ANF 封装Go
  • （器件比较）：更新了所有 WKUP_CTRL_MMR_CFG0_JTAG_USER_ID[31:13] 值Go
  • （器件比较）：将 MCAN 实例数量从 2 更新为 3Go
  • (AMB FCBGA 和 ANF FCCSP 引脚图)：更改了图标题以包含 ANF 封装Go
  • （引脚属性 - 所有 DDR 信号引脚）：删除了“POWER”栏中的 1.2VGo
  • （引脚属性）：添加了 ANF 封装Go
  • （信号说明）：添加了一个新段落，其中参考了器件 TRM 中“器件配置”一章中的“焊盘配置寄存器”一节Go
  • （EPWM0 信号说明）：更新了 EHRPWM0_SYNCO 说明Go
  • （电源信号说明）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
  • （电源信号说明）：更新了与 CAP_VDDSx 引脚相关的表注，以阐明电容降额的必要性并介绍其他连接选项Go
  • （引脚连接要求）：添加了 ANF 封装Go
  • （绝对最大额定值）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
  • （建议运行条件）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
  • （I2C 开漏和失效防护电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （I2C 开漏和失效防护电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • （失效防护复位电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （失效防护复位电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • （高频振荡器电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （高频振荡器电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • （低频振荡器电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （低频振荡器电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • （SDIO 电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （SDIO 电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • （SDIO 电气特性）：更改了 VDDSHV5 电源轨名称（如适用，这些名称用于通过引用通用电源轨名称 (VDD) 来定义 VIL/VILSS/VIH/VIHSS/VOL/VOH 参数值），并添加了相关的表注Go
  • （LVCMOS 电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （LVCMOS 电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • （AMB 和 ANF 封装的热阻特性）：添加了 ANF 封装的热特性信息Go
  • （温度传感器特性）：添加了新的一节来定义电压和温度模块 (VTM) 片上温度传感器特性Go
  • （上电时序）：添加了注释以阐明电源轨必须在启动新的上电序列之前衰减至 300mv 以下Go
  • （下电时序）：添加了注释以阐明电源轨必须在启动新的上电序列之前衰减至 300mv 以下Go
  • （下电时序）：更新了断电序列图以说明在器件电源管理解决方案关闭时系统电源保持开启的用例。还有一个选项允许扩展 IO 电源轨的斜降，直到最后一个内核电源轨斜降，并且可以在电源开始关闭时序控制之前将 MCU_PORz 置为有效Go
  • （BOOTMODE 时序要求）：更新了参数 RST23 和 RST24 的说明Go
  • （输入时钟/振荡器）：添加了 VOUT0_EXTPCLKINGo
  • （MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源）：添加了其他注释和新的“MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源要求”表Go
  • （WKUP_LFOSC0 晶体电气特性）包括一个新参数，该参数定义了最大晶体频率稳定性和容差。Go
  • (PLL)：更新了 PLL 名称，以便包含 TRM 中使用的编号参考Go
  • （CPSW3G RMII 时序条件）：更改了两个工作电压的最大输入压摆率Go
  • （CPSW3G RGMII 时序条件）：向“输入压摆率”参数添加了工作电压条件以便在 1.8V 下运行时实现宽松的压摆率Go
  • (CSI-2)：在注释中包含了一条注释以说明端口实例名称关系，并删除了第一段，因为该段不包含与时序和开关特性相关的任何信息Go
  • （GPIO 时序条件）：更新了“输入压摆率”参数以包含具有宽松最小值的工作电压，并更正了在 3.3V 下运行的 I2C OD FS 缓冲器类型的最大值印刷错误。先前 0.8V/ns 的最大值应为 0.08V/ns，以便其等于“电气特性”表中为 I2C OD FS 缓冲器定义的最大值 8E+7Go
  • （GPIO 时序要求）：删除了“模式”列中的电压条件，并更改了最小值以适应“GPIO 时序条件”表中减小的最小输入压摆率值Go
  • (I2C)：将最大压摆率值从 0.8V/ns 更改为 0.08V/ns，并添加了“在 3.3V 下运行时”以阐明该例外情况不适用于 1.8V 运行情况Go
  • （MMC0 - eMMC/SD/SDIO 接口）：添加了 eMMC 高速 DDR 时序模式Go
  • （OSPI 开关特性 – PHY 数据训练）：更正了与时序参数 O5 和 O11 相关的公式Go
  • （OSPI0 开关特性 – PHY SDR 模式）：更正了与时序参数 O10 和 O11 相关的公式Go
  • （OSPI0 开关特性 – PHY DDR 模式）：更正了与时序参数 O4 和 O5 相关的公式Go
  • （DDR 电路板设计和布局布线指南）：更新了 LPDDR4 电路板设计和布局布线指南链接中使用的标题Go
  • （USB VBUS 设计指南）：将 3.5kΩ 电阻器阻值更改为 3.48kΩ，因为 3.5kΩ 不是 1% 电阻器的标准值Go
  • （器件命名规则）：添加了 ANF 封装Go
  • （标准封装编号法）：添加了 ANF 封装Go
  • （器件命名约定）：删除了不适用的 "ZZZ" 符号参数。已将 ANF 封装添加到 "PPP" 符号参数中。添加了与 ANF 封装相关的器件制造和 2D 条形码符号参数Go

All Revision History Changes Intro HTMLAugust 4, 2023 to September 22, 2023 (from RevisionA (AUGUST 2023)to RevisionB (SEPTEMBER 2023))

  • 通篇：添加了 AM62A1 和 AM62A1-Q1 GPN（新增）以及 AM62A14 和 AM62A12 器件特定信息Go
  • 通篇：将“修订历史记录”部分移至文档的后面Go
  • （封装信息）：添加了 AM62A1 和 AM62A1-Q1 GPN（新增）Go
  • （AMB FCBGA-N484 引脚图）：将图从底视图更改为了顶视图Go
  • （未通过 AEC - Q100 认证的器件的 ESD 等级）：为不符合 AEC - Q100 标准的器件添加了 ESD 表和相关脚注Go
  • （符合 AEC - Q100 标准的器件的 ESD 等级）：更改了表标题Go