ZHCSSS9C March 2023 – January 2025 AM62A1-Q1 , AM62A3 , AM62A3-Q1 , AM62A7 , AM62A7-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
读取和写入数据有效窗口将因工艺、电压、温度和工作频率的变化而发生变化。可以实现数据训练方法,以动态配置最优读取和写入时序。实现数据训练可以在特定工艺、电压和频率工作条件下的温度范围内实现正常运行,同时实现更高的工作频率。
由于数据传输和接收时序参数会根据运行条件进行动态调整,因此未针对数据训练用例定义这些参数。
表 6-115 定义了具有数据训练的 OSPI0 所需的 DLL 延迟。表 6-116、图 6-96、图 6-97、表 6-117、图 6-98 和图 6-99 展示了具有数据训练的 OSPI0 的时序要求和开关特性。
| 模式 | OSPI_PHY_CONFIGURATION_REG 位字段 | 延迟值 |
|---|---|---|
| 发送 | ||
| 所有模式 | PHY_CONFIG_TX_DLL_DELAY_FLD | (1) |
| 接收 | ||
| 所有模式 | PHY_CONFIG_RX_DLL_DELAY_FLD | (2) |
| 编号 | 模式 | 最小值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| O15 | tsu(D-LBCLK) | 建立时间,在有效 OSPI0_DQS 边沿之前 OSPI0_D[7:0] 有效 | 具有 DQS 的 DDR | (1) | ns | |
| O16 | th(LBCLK-D) | 保持时间,在有效 OSPI0_DQS 边沿之后 OSPI0_D[7:0] 有效 | 具有 DQS 的 DDR | (1) | ns | |
| O21 | tsu(D-LBCLK) | 建立时间,在有效 OSPI0_DQS 边沿之前 OSPI0_D[7:0] 有效 | 具有外部电路板环回的 SDR | (1) | ns | |
| O22 | th(LBCLK-D) | 保持时间,在有效 OSPI0_DQS 边沿之后 OSPI0_D[7:0] 有效 | 具有外部电路板环回的 SDR | (1) | ns | |
| tDVW | 数据有效窗口 (O15 + O16) | 1.8V,具有 DQS 的 DDR | 1.6 | ns | ||
| 3.3V,具有 DQS 的 DDR | 2.2 | ns | ||||
| 数据有效窗口 (O21 + O22) | 1.8V,具有外部电路板环回的 SDR | 2.3 | ns | |||
| 3.3V,具有外部电路板环回的 SDR | 2.9 | ns | ||||
图 6-96 OSPI0 时序要求 – PHY 数据训练,带 DQS 的 DDR
图 6-97 OSPI0 时序要求 – PHY 数据训练,带外部电路板环回的 SDR| 编号 | 参数 | 模式 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| O1 | tc(CLK) | 周期时间,OSPI0_CLK | 1.8V,DDR | 6.0 | 10 | ns |
| 3.3V,DDR | 7.5 | 10 | ns | |||
| O7 | 1.8V,SDR | 6.0 | 10 | ns | ||
| 3.3V,SDR | 7.5 | 10 | ns | |||
| O2 | tw(CLKL) | 脉冲持续时间,OSPI0_CLK 低电平 | DDR | ((0.475P(1)) - 0.3) | ns | |
| O8 | SDR | |||||
| O3 | tw(CLKH) | 脉冲持续时间,OSPI0_CLK 高电平 | DDR | ((0.475P(1)) - 0.3) | ns | |
| O9 | SDR | |||||
| O4 | td(CSn-CLK) | 延迟时间,OSPI0_CSn[3:0] 有效边沿到 OSPI0_CLK 上升沿 | DDR | ((0.475P(1)) + (0.975M(2)R(4)) + (0.04TD(5)) - 1) | ((0.525P(1)) + (1.025M(2)R(4)) + (0.11TD(5)) + 1) | ns |
| O10 | SDR | |||||
| O5 | td(CLK-CSn) | 延迟时间,OSPI0_CLK 上升沿到 OSPI0_CSn[3:0] 无效边沿 | DDR | ((0.475P(1)) + (0.975N(3)R(4)) - (0.11TD(5)) - 1) | ((0.525P(1)) + (1.025N(3)R(4)) - (0.04TD(5)) + 1) | ns |
| O11 | SDR | |||||
| O6 | td(CLK-D) | 延迟时间,OSPI0_CLK 有效边沿到 OSPI0_D[7:0] 转换 | DDR | (6) | (6) | ns |
| O12 | SDR | |||||
| tDIVW | 数据无效窗口(O6 最大值 - 最小值) | DDR | 1.6 | ns | ||
| 数据无效窗口(O12 最大值 - 最小值) | SDR | |||||
图 6-98 OSPI0 开关特性 – PHY DDR 数据训练
图 6-99 OSPI0 开关特性 – PHY SDR 数据训练