我们的理想二极管和 ORing 控制器提供节省空间的可扩展解决方案，以保护您的系统免受反向电压或反向电流的影响。这些器件可显著降低传统分立式硅二极管或肖特基二极管在正向电压降期间通常会损失的能量。
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新产品
具有有源整流功能的汽车类无 TVS、低 IQ 反向电池保护理想二极管控制器
价格约为 (USD) 1ku | 0.938
汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 11mA
价格约为 (USD) 1ku | 0.8
汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 60μA
价格约为 (USD) 1ku | 0.7
具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器
价格约为 (USD) 1ku | 0.926
具有集成式 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5µA IQ 理想二极管
价格约为 (USD) 1ku | 0.1
理想二极管和 ORing 控制器的优势
电源效率
通过低压降、低 IQ 和热优化，降低传统分立式或肖特基二极管的能量损耗。
保护
通过全面的电源路径和冗余电源保护（如反极性保护、反向电流阻断及负载突降和浪涌保护）提高系统可靠性。
节省空间
使用可扩展控制器或具有 N-FET 控制器、集成电荷泵或集成 FET 的完全集成理想二极管来优化您的系统。
技术资源
应用手册
理想二极管基础知识 (Rev. B)
了解我们的理想二极管控制器如何克服用于传统输入保护或 ORing 应用的肖特基二极管或 P 沟道 MOSFET 的常见局限性。
应用手册
LM748x0 Application Report
汽车行业的新趋势要求前端电源系统具有更高的效率和功率密度。了解新型 LM74800-Q1 B2B FET 理想二极管控制器如何简化常见的设计架构。
应用手册
Eliminate the Voltage Drop and Save Power: An Ideal Diode (Rev. A)
在智能电表或恒温器等应用中，可利用备用电池或冗余电源来减少系统停机时间。了解如何在低正向压降的情况下使用 LM66100 阻断反向电流。
设计和开发资源
Evaluation board
LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80μA IQ 汽车类理想二极管控制器（DDF 封装）评估模块
LM74700DDFEVM 可帮助设计人员评估 LM74700-Q1 的运行情况和性能，LM74700-Q1 是 3.2V 至 65V、80μA IQ 汽车类二极管控制器（采用 DDF 封装）。此评估模块演示了 N 沟道功率 MOSFET 如何能够仿真具有低 IQ 和 IC 低漏电流的超低正向电压二极管。
Evaluation board
LM74500-Q1 3.2V 至 65V、80μA IQ 反极性保护控制器评估模块
LM74500-Q1 评估模块 (LM74500Q1EVM) 可帮助设计人员评估 LM74500-Q1 反极性保护控制器的运行情况和性能。此评估模块展示了 N 沟道功率 MOSFET 如何利用低 IQ LM74500-Q1 控制器提供输入反向电压保护。
Reference design
汽车瞬态和过流保护滤波器参考设计
该参考设计展示了针对汽车系统中常见的电压和电流瞬态事件的保护系统。该参考设计优化了功能、大小和保护功能，同时不会影响电力输送，从而打造出出色的音频放大器。