计算工具
LM749X0-CALC — Design calculator for LM74900-Q1 and LM74910-Q1 devices
The design calculator allows user to size the external peripheral components while designing with LM74900-Q1 and LM74910-Q1 Devices
LM74900-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 提供功能安全
- 输入电压范围：3V 至 65V
- LM74910H-Q1 具有的 74V 绝对最大额定值
- 反向输入保护低至 –65V
- 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 在 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
- 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速关断响应 (0.5µs)
- 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 可调过流和短路保护
- LM74910H-Q1 的模拟电流监测器输出具有 2% 的精度
- 可调节过压和欠压保护
- LM74910H-Q1 中的睡眠模式 OCP 重试
- 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
- 睡眠模式，电流为 6µA（EN = 高电平，SLEEP = 低电平）
- 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。
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技术文档
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| 证书 | LM74900Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2022年 11月 1日 |
设计和开发
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评估板
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LM74900-Q1 评估模块可评估 LM74900-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示了 LM74900-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET，以仿真具有电源路径开/关控制功能以及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。
模拟工具
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设计指南: PDF
参考设计
PMP41085 — 具有功能安全特性的 100W 汽车信息娱乐显示模块参考设计
该参考设计展示了具有冷启动、负载突降和 FuSa 功能的 100W 汽车信息娱乐显示模块电源参考设计。
LM74900-Q1 是该设计的第一级，、可为负输入电压、欠压、锁定输出和过流提供保护。LM5152-Q1 是第二级，用作预升压控制器，如果在启动时电池电压低，该控制器可升压至特定电压。此器件支持低至 4.2V 的电池电压。在第三级，本设计使用 LMQ644A2-Q1、TPS62813-Q1 和 TPS745-Q1 为局部调光背光、TCON 和串行器/解串器等子系统提供所需的电压。最后，本设计使用电压监视器和比较器来监控每个电压轨，并帮助 ISO 26262 系统设计实现目标 ASIL。
测试报告: PDF
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RGE) | 24 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
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