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电源保护开关与控制器
理想二极管 ORing 控制器

LM74930-Q1

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具有断路器和过压保护功能的汽车类 3V 至 65V 浪涌抑制器

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LM74930-Q1

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产品详情

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 4 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Surge protection Iq (typ) (mA) 0.65 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 4 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Surge protection Iq (typ) (mA) 0.65 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
VQFN (RGE) 24 16 mm² (4 mm × 4 mm)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 4V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速 DGATE 关断响应 (0.5µs)
  • 18mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调过流和短路保护
  • 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
  • 可调节过压和欠压保护
  • 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
  • MODE 引脚可允许双向电流（MODE = 低电平）
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求

  • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 4V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速 DGATE 关断响应 (0.5µs)
  • 18mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调过流和短路保护
  • 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
  • 可调节过压和欠压保护
  • 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
  • MODE 引脚可允许双向电流（MODE = 低电平）
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求

  • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装

LM74930-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟理想二极管整流器和电源路径开/关控制，并提供过流和过压保护功能。4 V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的高侧栅极控制 (HGATE) 可驱动电源路径中的第一个 MOSFET。该器件使用 HGATE 控制功能在发生过流、过压和欠压事件时允许负载断开（开/关控制），同时理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第二个 MOSFET 来代替肖特基二极管，从而通过阻止反向电流从输出端流到输入端来实现输入反极性保护和输出电压保持。该器件具有集成的电流检测放大器，通过断路器功能提供可调节的过流和短路保护。该器件具有可调节过压和欠压保护功能，可防止电源瞬变。LM74930-Q1 有一个 MODE 引脚可用于选择性地启用或禁用反向电流阻断功能。

LM74930-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟理想二极管整流器和电源路径开/关控制，并提供过流和过压保护功能。4 V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的高侧栅极控制 (HGATE) 可驱动电源路径中的第一个 MOSFET。该器件使用 HGATE 控制功能在发生过流、过压和欠压事件时允许负载断开（开/关控制），同时理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第二个 MOSFET 来代替肖特基二极管，从而通过阻止反向电流从输出端流到输入端来实现输入反极性保护和输出电压保持。该器件具有集成的电流检测放大器，通过断路器功能提供可调节的过流和短路保护。该器件具有可调节过压和欠压保护功能，可防止电源瞬变。LM74930-Q1 有一个 MODE 引脚可用于选择性地启用或禁用反向电流阻断功能。
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* 数据表 LM74930-Q1 具有断路器、过压保护和故障输出功能的汽车类理想二极管浪涌抑制器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022-7-19
应用手册 使用 F29x 实现直流/直流转换器的功能安全目标 PDF | HTML PDF | HTML 2026-6-8
功能安全信息 LM74930-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2024-10-16
应用简报 使用 LM74930-Q1 针对汽车系统中未抑制的负载突降提供保护 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-11-16
证书 LM74930Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) PDF | HTML 2023-10-5

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LM74930Q1EVM — LM74930-Q1 具有断路器的 3V 至 65V 浪涌抑制器评估模块

LM74930-Q1 评估模块 (EVM) 是一个用于评估 LM74930-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行和性能的平台。LM74930Q1EVM 可以演示 LM74930-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET，以模拟具有浪涌抑制器、断路器和过压保护功能的理想二极管整流器。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
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仿真模型

LM74930-Q1 PSpice Transient Model

SNOM787.ZIP (73 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

LM74930-CALC — Design calculator for LM74930-Q1 ideal diode controller

The design calculator allows user to size the external peripheral components while designing with LM74930-Q1 ideal diode controller
支持的产品和硬件
参考设计

PMP23468 — 适用于音频系统的 48V 输入、875W 峰值功率、多相降压转换器参考设计

该参考设计为汽车音频系统提供保护和电源。在整个输出电压范围内针对 48V 直流输入运行进行了测试：6VDC 至 35VDC。该设计在标称负载条件下的峰值效率为 97%，并且对于 6VDC 和 35VDC 之间的负载转换，没有明显的输出电压下冲和过冲。该测试报告提供涵盖输出电压范围和负载的运行数据，包括波特图、开关波形、负载瞬态响应、启动和关断波形以及热图像。

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-020106 — 机电制动 (EMB) 参考设计

机电制动 (EMB) 是一种新型制动技术，旨在实现汽车的电气化和智能，为高级自动驾驶提供更低的总体成本、更快的响应和更精确的操作。该参考设计展示了一种完整的功能 EMB 设计。本指南中说明了硬件、软件和功能安全设计。由于电动助力转向 (EPS) 与 EMB 的关键元件非常相似，因此该参考设计也适用于 EPS。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RGE) 24 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频