主页 电源管理 电源开关 理想二极管/ORing 控制器

LM74912-Q1

正在供货

具有集成过压和短路保护以及故障输出功能的汽车理想二极管

产品详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Under voltage lock out Iq (typ) (mA) 0.63 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Under voltage lock out Iq (typ) (mA) 0.63 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 功能安全型
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极配置下,可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV),能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压和欠压保护
  • 具有 MOSFET 锁存状态的输出短路保护
  • 超低功耗模式具有 2.5µA 关断电流(EN=低电平)
  • 睡眠模式具有 6µA 电流(EN=高电平,SLEEP=低电平)
  • 采用合适的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用 4mm × 4mm 24 引脚 VQFN 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 功能安全型
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极配置下,可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV),能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压和欠压保护
  • 具有 MOSFET 锁存状态的输出短路保护
  • 超低功耗模式具有 2.5µA 关断电流(EN=低电平)
  • 睡眠模式具有 6µA 电流(EN=高电平,SLEEP=低电平)
  • 采用合适的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用 4mm × 4mm 24 引脚 VQFN 封装

LM74912-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而仿真具有电源路径开/关控制及过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开(开/关控制)。该器件具有集成的电流检测放大器,可提供基于外部 MOSFET VDS 检测的短路保护和可调节电流限值。当检测到输出发生短路时,器件会锁存负载断开 MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式,可实现超低静态电流消耗 (6µA),同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1 的最大额定电压为 65V。

LM74912-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而仿真具有电源路径开/关控制及过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开(开/关控制)。该器件具有集成的电流检测放大器,可提供基于外部 MOSFET VDS 检测的短路保护和可调节电流限值。当检测到输出发生短路时,器件会锁存负载断开 MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式,可实现超低静态电流消耗 (6µA),同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1 的最大额定电压为 65V。

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技术文档

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* 数据表 LM74912-Q1 具有故障输出及过压、欠压和短路保护功能的汽车类理想二极管控制器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 9月 27日
应用简报 通过 LM74912-Q1 睡眠模式实现超低静态电流和为常开负载供 电 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 14日
证书 LM74912Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 6月 26日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LM74912Q1EVM — LM74912-Q1 理想二极管控制器评估模块

LM74912-Q1 评估模块可评估 LM74912-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示了 LM74912-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET,以便仿真具有电源路径开/关控制功能以及输出短路和过压保护功能的理想二极管整流器。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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仿真模型

LM74912-Q1 PSpice Transient Model

SNOM786.ZIP (118 KB) - PSpice Model
计算工具

LM74912-CALC Design calculator for LM74912-Q1 ideal diode controller

The design calculator allows user to size the external peripheral components while designing with LM74912-Q1 ideal diode controller
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
理想二极管/ORing 控制器
LM74912-Q1 具有集成过压和短路保护以及故障输出功能的汽车理想二极管
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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参考设计

PMP31252 — 适用于汽车应用的 150W 双相同步降压转换器参考设计

此设计展示了一款可用作双路输出转换器的低 EMI 双相降压转换器。作为一个双相转换器,此电路可在 12V 至 5V 配置中提供 30A 峰值的 22A 连续输出电流。
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订购和质量

包含信息:
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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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