主页 电源管理 电源保护开关与控制器 理想二极管 ORing 控制器
主页
电源管理
电源保护开关与控制器
理想二极管 ORing 控制器

LM74910-Q1

正在供货

具有断路器、200kHz ACS 以及欠压和过压保护功能的汽车类理想二极管

立即订购
数据表

LM74910-Q1

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection Iq (typ) (mA) 0.63 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection Iq (typ) (mA) 0.63 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Product type Ideal diode controller
VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 提供功能安全
  • 输入电压范围：3V 至 65V
  • LM74910H-Q1 具有的 74V 绝对最大额定值
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 在 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速关断响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调过流和短路保护
  • LM74910H-Q1 的模拟电流监测器输出具有 2% 的精度
  • 可调节过压和欠压保护
  • LM74910H-Q1 中的睡眠模式 OCP 重试
  • 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
  • 睡眠模式，电流为 6µA（EN = 高电平，SLEEP = 低电平）
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 提供功能安全
  • 输入电压范围：3V 至 65V
  • LM74910H-Q1 具有的 74V 绝对最大额定值
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 在 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速关断响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调过流和短路保护
  • LM74910H-Q1 的模拟电流监测器输出具有 2% 的精度
  • 可调节过压和欠压保护
  • LM74910H-Q1 中的睡眠模式 OCP 重试
  • 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
  • 睡眠模式，电流为 6µA（EN = 高电平，SLEEP = 低电平）
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装

LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。

LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。
filter 查找其他 理想二极管 ORing 控制器
下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，且具有相同引脚
LM74900-Q1 正在供货 具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管 Ideal diode controller with 100-kHz active rectification (ACS) and circuit breaker functionality

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 6
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LM749x0-Q1 具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 10月 14日
应用手册 LM74910应用中碰到的一些问题 2025年 10月 27日
测试报告 Power Delivery Reference Design for AMD Versal™ AI Edge Series PDF | HTML 2024年 3月 25日
功能安全信息 LM749x0-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2024年 2月 29日
应用手册 面向 AMD Versal™ AI 边缘系列的电源设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 1月 30日
应用手册 使用 LM749x0-Q1 解决汽车电池反向保护拓扑问题 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 6月 14日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LM74900Q1EVM — LM74900-Q1 理想二极管控制器评估模块

LM74900-Q1 评估模块可评估 LM74900-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示了 LM74900-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET，以仿真具有电源路径开/关控制功能以及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.A): PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

LM74910-Q1 PSpice Transient Model

SNOM778.ZIP (114 KB) - PSpice Model
下载
仿真模型

LM74910H PSPICE Model

SNOM817.ZIP (116 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

LM749X0-CALC — Design calculator for LM74900-Q1 and LM74910-Q1 devices

The design calculator allows user to size the external peripheral components while designing with LM74900-Q1 and LM74910-Q1 Devices
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
理想二极管 ORing 控制器
  • LM74900-Q1 — 具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管
  • LM74910-Q1 — 具有断路器、200kHz ACS 以及欠压和过压保护功能的汽车类理想二极管
下载
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
发送申请
参考设计

TIPA-020007 — 适用于 AMD® Versal™ AI Edge 系列第二代的电源概念验证设计

本概念验证设计展示了如何通过 TI 稳压器集成电路 (IC) 为 2VE3858 器件所需的电源轨供电。此设计方法符合 AMD®标准，可更大限度地减少整合的电源轨。如需了解所有可用的电源整合选项，请参阅 AMD 电源设计管理器 (PDM) 工具页面。对于任何应用，请使用在估算功耗时实现的 PDM。
设计指南: PDF
参考设计

PMP23227 — 适用于 AMD Versal™ 边缘 AI 系列的电力输送参考设计

本参考设计展示了如何通过 TI 稳压器 IC 为 VE2302 器件所需的电源轨供电，并遵循 AMD 的最少电源轨整合方案。如需了解所有可用的电源整合选项，请参阅 AMD 的电源设计管理器 (PDM) 工具。在估算任何应用的功耗时，请使用 PDM。本参考设计使用示例功耗估算。此外，还可以本设计为基础，为 AI 边缘系列的其他器件设计电源树。该系统原始电源的输入电压通常为 8V 至 18V 并且能够提供约 50W 功率。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RGE) 24 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频