使用我们灵活且普遍兼容的隔离式栅极驱动器，为多种应用构建外形更小、功能更强大的设计。无论是基本隔离、功能隔离还是增强型隔离，我们的隔离式栅极驱动器均可让您创建防触电设计，同时为高电压电平提供更多保护。
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新产品
电源发展趋势
针对功率密度和隔离的隔离式栅极驱动器
隔离器件允许数据和电力在高压和低压单元之间传输，同时可以防止任何危险的直流电或不受控制的瞬态电流从电网中流出。通过将隔离器与高速栅极驱动器集成在一起，可以实现强大的隔离功能。栅极驱动器提供基本隔离、功能隔离和增强型隔离，可通过来自控制器 IC 的低功率输入，为 MOSFET、IGBT、SiC 或 GaN 电源开关生成合适的高电流栅极驱动。
白皮书
A High-Performance, Combo Box Powertrain Solution: the Key to EV Adoption (Rev. A)
本文探讨了使用宽带隙半导体开关和隔离式栅极驱动器的集成动力总成解决方案在加快电动汽车普及方面的优势。
应用手册
HEV/EV Traction Inverter Design Guide Using Isolated IGBT and SiC Gate Drivers (Rev. A)
该应用报告介绍了如何使用我们隔离式栅极驱动器的诊断和保护功能来设计混合动力汽车/电动汽车牵引逆变器驱动系统。
实现功率密度和隔离的特色产品
设计和开发资源
Reference design
适用于 200-480VAC 驱动器且具有光模拟输入栅极驱动器的三相逆变器参考设计
此参考设计采用隔离式 IGBT 栅极驱动器以及隔离式电流/电压传感器实现了增强型隔离式三相逆变器子系统。所用的 UCC23513 栅极驱动器采用 6 引脚宽体封装和 LED 光模拟输入，可用作现有光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚替代品。此设计表明，可使用用于驱动光隔离式栅极驱动器的所有现有配置来驱动 UCC23513 输入级。使用 AMC1300B 隔离式放大器和直流链路电压实现基于同相分流电阻器的电机电流感应，使用 AMC1311 隔离式放大器实现 IGBT 模块温度感应。该设计使用 C2000™ LaunchPad™ 来控制逆变器。
Reference design
10kW 双向三相三级（T 型）逆变器和 PFC 参考设计
这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流 T 型逆变器级。50KHz 的较高开关频率减小了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗的 SiC MOSFET，可确保实现高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，从而达到 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制，可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。
Reference design
效率为 98.6% 且适用于 HEV/EV 车载充电器的 6.6kW 图腾柱 PFC 参考设计
此参考设计基于多个碳化硅 (SiC) MOSFET 而构建，该 MOSFET 由 C2000 微控制器 (MCU) 通过 SiC 隔离式栅极驱动器进行驱动。此设计采用了三相交错技术并在连续导通模式 (CCM) 中运行，在 240V 输入电压和 6.6kW 全功率下可实现 98.46% 的效率。C2000 控制器可实现切相和自适应死区时间控制，从而改善轻载条件下的功率因数。栅极驱动器板（请参阅 TIDA-01605）能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。栅极驱动器板实现了增强型隔离，可承受超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (...)