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UCC21551-Q1

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适用于 IGBT 和 SiC 切具有 EN 和 DT 引脚的汽车级 4A/6A 5kVRMS 双通道隔离式栅极驱动器

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UCC21551-Q1

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产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7070 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12, 17 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7070 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12, 17 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SSOP (DFJ) 28 109.695 mm² 10.65 x 10.3
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 通道间爬电距离：
    • 采用 DFJ28 封装时 >5.3mm
    • 采用 DWK 封装时 >3.3mm
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V、8V、12V 和 17V VDD UVLO 选项
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 通道间爬电距离：
    • 采用 DFJ28 封装时 >5.3mm
    • 采用 DWK 封装时 >3.3mm
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V、8V、12V 和 17V VDD UVLO 选项
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用

UCC21551x-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流，可驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。

UCC21551x-Q1 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。DFJ28 封装提供 >5.3mm 的通道间爬电以支持高电压系统。

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性，UCC21551x-Q1 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

UCC21551x-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流，可驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。

UCC21551x-Q1 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。DFJ28 封装提供 >5.3mm 的通道间爬电以支持高电压系统。

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性，UCC21551x-Q1 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。
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* 数据表 UCC21551x-Q1 汽车级 4A、6A 增强型隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. I) PDF | HTML 英语版 (Rev.I) PDF | HTML 2026年 1月 2日
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应用手册 OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点 2023年 1月 13日

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包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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