UCC5350

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具有米勒钳位或分离输出以及 8V 或 12V UVLO 的 3kVrms、5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器

产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bus voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bus voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DWV) 8 67.275 mm² 5.85 x 11.5
  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D(4mm 爬电)和
    DWV(8.5mm 爬电)封装
  • 60ns(典型值)传播延迟
  • 100kV/µs 最低 CMTI
  • 隔离层寿命达 40 年以上
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 高达 33V 的驱动器电源电压
    • 8V 和 12V UVLO 选项
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 安全相关认证:
    • 7000VPK 隔离 DWV(计划)和 4242VPK 隔离 D(符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准)
    • 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D
      隔离等级长达 1 分钟(符合 UL 1577 标准)
    • 符合 GB4943.1-2011
      D 和 DWV 标准的 CQC 认证(计划)
  • CMOS 输入
  • 工作温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D(4mm 爬电)和
    DWV(8.5mm 爬电)封装
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    • 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D
      隔离等级长达 1 分钟(符合 UL 1577 标准)
    • 符合 GB4943.1-2011
      D 和 DWV 标准的 CQC 认证(计划)
  • CMOS 输入
  • 工作温度范围:–40°C 至 +125°C

UCC53x0 是一系列 单通道隔离式栅极驱动器,用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出,可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位,以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准,以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装,可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项,UCC53x0 系列非常适合电机驱动器和工业电源。

与光耦合器相比,UCC53x0 系列的部件间偏移更低,传播延迟更小,工作温度更高,并且 CMTI 更高。

UCC53x0 是一系列 单通道隔离式栅极驱动器,用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出,可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位,以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准,以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装,可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项,UCC53x0 系列非常适合电机驱动器和工业电源。

与光耦合器相比,UCC53x0 系列的部件间偏移更低,传播延迟更小,工作温度更高,并且 CMTI 更高。

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技术文档

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设计和开发

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设计指南: PDF
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SOIC (D) 8 了解详情
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