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UCC5350

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具有米勒钳位或分离输出以及 8V 或 12V UVLO 的 5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990, 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990, 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DWV) 8 67.275 mm² 5.85 x 11.5
  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D（4mm 爬电）和 DWV（8.5mm 爬电）封装
  • 60ns（典型值）传播延迟
  • 100kV/µs 最小 CMTI
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 驱动器电源电压高达 33V
    • 8V 和 12V UVLO 选项
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 7000VPK 隔离 DWV（计划）和 4242VPK 隔离 D
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离等级
    • 符合 GB4943.1-2011 D 和 DWV 标准的 CQC 认证（计划）
  • CMOS 输入
  • 工作温度：-40°C 至 +125°C
  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D（4mm 爬电）和 DWV（8.5mm 爬电）封装
  • 60ns（典型值）传播延迟
  • 100kV/µs 最小 CMTI
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 驱动器电源电压高达 33V
    • 8V 和 12V UVLO 选项
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 7000VPK 隔离 DWV（计划）和 4242VPK 隔离 D
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离等级
    • 符合 GB4943.1-2011 D 和 DWV 标准的 CQC 认证（计划）
  • CMOS 输入
  • 工作温度：-40°C 至 +125°C

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，旨在驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列成为电机驱动器和工业电源的理想之选。

与光耦合器相比，UCC53x0 系列的器件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，旨在驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列成为电机驱动器和工业电源的理想之选。

与光耦合器相比，UCC53x0 系列的器件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC53x0 单通道隔离式栅极驱动器 数据表 (Rev. I) PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.J) PDF | HTML 2024年 3月 27日
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包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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