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UCC5320

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具有 12V UVLO 和双极性电源的 2A/2A、3kVRMS/5kVRMS、单通道隔离式栅极驱动器

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具有 12V UVLO 和双极性电源的 2A/2A、3kVRMS/5kVRMS、单通道隔离式栅极驱动器

UCC5320

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产品详细信息

参数

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 3000, 5000 Power switch IGBT Peak output current (A) 4.4 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 4242, 7000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 990, 2121 Enable/disable function — Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13.2 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 15 Prop delay (ns) 60 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 SOIC (DWV) 8 67 mm² 5.85 x 11.5 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

特性

  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D（4mm 爬电）和
    DWV（8.5mm 爬电）封装
  • 60ns（典型值）传播延迟
  • 100kV/µs 最低 CMTI
  • 隔离层寿命达 40 年以上
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 高达 33V 的驱动器电源电压
    • 8V 和 12V UVLO 选项
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 安全相关认证：
    • 7000VPK 隔离 DWV（计划）和 4242VPK 隔离 D（符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准）
    • 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D
      隔离等级长达 1 分钟（符合 UL 1577 标准）
    • 符合 GB4943.1-2011
      D 和 DWV 标准的 CQC 认证（计划）
  • CMOS 输入
  • 工作温度范围：–40°C 至 +125°C

All trademarks are the property of their respective owners.

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描述

UCC53x0 是一系列 单通道隔离式栅极驱动器，用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列非常适合电机驱动器和工业电源。

与光耦合器相比，UCC53x0 系列的部件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。

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技术文档

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电子书 E-book: An engineer’s guide to industrial robot designs.. 2020年 3月 25日
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用户指南 UCC5390ECDWV Isolated Gate Driver Evaluation Module User's Guide 2018年 1月 25日
用户指南 Basic Isolated IGBT Drivers EVM User Guide 2017年 6月 21日
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应用手册 适用于隔离栅极驱动器的共模瞬态抗扰度 下载英文版本 2015年 11月 16日
白皮书 High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日

设计与开发

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硬件开发

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49
说明
UCC5320SCEVM is an Evaluation Module used to evaluate UCC53xx family of devices and it provides user with flexiblity of configuring  driver to Split output, miller clamp or UVLO based on the device used . The EVM features enough test points & jumper options for one to evaluate the device (...)
特性
  • 100-kV/us Minimum and 120-kV/us Typical Common-Mode Transient (CMTI) at VCM = 1000V
  • 1A, 2A, 5A, 10A Peak Source/Sink Drive current options
  • Flexibility of all three coniguratinos of family: Split Outputs, UVLO and Miller Clamp
  • Isolation Surge Withstand Voltage 10000-Vpk
  • 80-ns (max) Prop Delay
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评估板 下载
49
说明
UCC5390ECDWVEVM 专为评估 UCC53xxDWV 系列而设计，后者是一款具有 10A 峰值拉电流和灌电流的 5.0kVRMS 隔离单通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
特性
  • 具有输入和输出接口的高性能驱动器
  • 可测试大部分数据表参数
  • 可比较具有兼容引脚的各种驱动器的性能
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设计工具和仿真

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PSPICE® for TI design and simulation tool
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入门

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特性
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  • 针对仿真速度进行了优化，且不会降低精度
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    • 自动测量和后处理
    • Monte Carlo 分析
    • 最坏情形分析
    • 热分析
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计算工具 下载
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参考设计

参考设计 下载
具有小型 Δ-Σ 调制器的增强型隔离式相位电流检测参考设计
TIDA-00914 — 此参考设计采用隔离式 IGBT 栅极驱动器以及隔离式电流/电压传感器，实现了增强型隔离式三相逆变器子系统。此设计使用 AMC1306E25 Δ-&Sigma (...)
document-generic 原理图
参考设计 下载
10kW 3-phase 3-level T-type inverter reference design for solar string inverter
TIDA-01606 — 这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流 T 型逆变器级。50KHz 的较高开关频率减小了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗的 SiC MOSFET，可确保实现高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，从而达到 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制，可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。
document-generic 原理图
参考设计 下载
三级三相 SiC 交流/直流转换器参考设计
TIDA-010039 — 此参考设计概述了如何实现具有双向功能、基于 SiC 的三级三相交流/直流转换器。50kHz 的高开关频率降低了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。具有开关损耗的 SiC MOSFET 可实现高达 800V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，具有大于 97% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级整流器。有关直流/交流实施的设计信息，请参阅 TIDA-01606。

该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制，它可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。
document-generic 原理图
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适用于 200-480VAC 工业驱动器的紧凑型非隔离式三相逆变器参考设计
TIDA-01456 — 该参考设计实现了一个用于变频交流逆变器驱动器和伺服驱动器的三相逆变器子系统。该设计尤其适用于其中的微控制器和逆变器接地为非隔离式接地的驱动器架构。基本隔离式栅极驱动器 UCC5320S 用于驱动高侧逆变器开关，而紧凑型六引脚 UCC27531 低侧栅极驱动器用于驱动底部开关。结果用于增强型隔离移至 UART 通信通道。逆变器半桥桥臂电流感应使用分流电阻器和双路运算放大器 TLV9062 分两个阶段完成。该驱动架构可减少增强型隔离式通道的数量并实现成本优化的紧凑型解决方案。该设计由 C2000 微控制器进行控制。
document-generic 原理图
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适用于 UPS 和逆变器的紧凑型、单通道、隔离式 SiC 和 IGBT 栅极驱动器参考设计
TIDA-01160 — 此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS 基础型隔离式栅极驱动器，可以驱动高侧和低侧 (...)
document-generic 原理图

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
SOIC (D) 8 了解详情
SOIC (DWV) 8 了解详情

订购与质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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