数据表
TPS4813-Q1
- 符合 AEC-Q100 汽车级 1 级温度标准
- 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 功能安全型
- 3.5V 至 95V 输入范围(绝对最大值为 100V)
- 反向输入保护低至 –65V
- 集成 11V 电荷泵
- 低静态电流,在低功耗模式下(LPM = 低电平时)为 35µA
- 1µA(典型值)低关断电流(EN/UVLO = 低电平)
- 强栅极驱动(G1PU/G1PD:1.69A 拉电流和 2A 灌电流)
- 可调节短路保护 (ISCP),具有可调节响应时间 (TMR) 和故障标志输出 (FLT)
- 从低功耗模式快速转换到工作模式,具有唤醒指示
- 通过外部 LPM 触发器从低功耗路径切换到主路径(低电平到高电平)的时间为 8µs
- 可调节负载唤醒阈值 (ILWU),可从低功耗路径切换到主路径(所需时间为 6µs)
- 在短路故障、电荷泵欠压和输入欠压期间提供故障指示 (FLT)
- 可调节输入欠压锁定 (UVLO)
- 短路比较器诊断 (SCP_TEST)
TPS48130-Q1 是一款具有保护和诊断功能的 100V 低 IQ 智能高侧驱动器。该器件具有 3.5V 至 95V 的宽工作电压范围,适用于 12V、24V 和 48V 系统设计。该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。
TPS48130-Q1 集成了两个栅极驱动器,在主路径中具有驱动 MOSFET 的 1.69A 拉电流和 2A 灌电流能力,在低功耗路径中具有 165µA 拉电流和 2A 灌电流能力。
在 LPM 为低电平的低功耗模式下,低功耗路径 FET 保持导通,而主 FET 关断。在此模式下,该器件具有低的 IQ 消耗,为 35µA(典型值)。可使用 ISCP/LWU 引脚调整进入工作状态的自动负载唤醒阈值。在 EN/UVLO 处于低电平时,IQ 降至 1µA(典型值)。
该器件使用 MOSFET VDS 检测或外部 RSNS 电阻器来提供可调节的短路保护。可以配置自动重试和锁存故障行为。该器件还通过对 SCP_TEST 输入的外部控制来诊断内部短路比较器。
TPS48130-Q1 可采用 19 引脚 VSSOP 封装。
设计和开发
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计算工具
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSSOP (DGX) | 19 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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