LM74502H-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
- -65V 输入反向电压额定值
- 集成电荷泵用于驱动
- 外部背对背 N 沟道 MOSFET
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外部高侧开关 MOSFET
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外部反极性保护 MOSFET
- 栅极驱动器型号
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LM74502-Q1：60µA 峰值栅极驱动拉电流能力
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LM74502H-Q1：11mA 峰值栅极驱动拉电流能力
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2A 峰值栅极灌电流能力
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1µA 关断电流（EN/UVLO = 低电平）
- 45µA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高电平）
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可调节过压和欠压保护
- 采用额外的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 脉冲 1 瞬态要求
- 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是符合汽车 AEC-Q100 标准的控制器，与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开解决方案。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。LM74502-Q1、LM74502H-Q1 没有反向电流阻断功能，适用于对有可能将能量传输回输入电源的负载（如汽车车身控制模块电机负载）提供输入反极性保护。
LM74502-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74502-Q1 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502-Q1 具有可编程的过压和欠压保护功能，可在发生这些故障时将负载从输入源切断。
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功能优于比较器件，可直接替换。
功能与比较器件相同但引脚有所不同。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | LM74502-Q1、LM74502H-Q1 具有过压保护功能的汽车类低 IQ 反极性保护控制器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022-5-31 |
| 功能安全信息 | LM74502-Q1, LM74502H-Q1 Functional Safety FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA | PDF | HTML | 2024-2-21 |
设计与开发
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评估板
LM74502Q1EVM — LM74502-Q1 评估模块
TI 的 LM74502-Q1 评估模块 LM74502Q1EVM 是一款双通道 EVM，可帮助设计人员在通道 1 和通道 2 中分别评估 LM74502-Q1 和 LM74502H-Q1 的运行情况和性能。此评估模块展示了 LM74502-Q1 如何驱动外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 来实现过压和欠压情况下的反极性保护和负载断开特性。LM74502-Q1 的栅极驱动强度为 60μA，适用于需要固有浪涌电流控制的应用。
计算工具
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-23-THN (DDF) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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