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理想二极管 ORing 控制器

LM74502H

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具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器

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Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3.2 FET External single FET Device type Reverse polarity protector Number of channels 1 Rating Catalog Features Enable, Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0.06 Iq (max) (mA) 0.11 IGate source (typ) (µA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.37 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 100 Design support EVM Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Product type Reverse polarity protector
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3.2 FET External single FET Device type Reverse polarity protector Number of channels 1 Rating Catalog Features Enable, Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0.06 Iq (max) (mA) 0.11 IGate source (typ) (µA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.37 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 100 Design support EVM Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Product type Reverse polarity protector
SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
  • -65V 输入反向电压额定值
  • 集成电荷泵用于驱动
    • 外部背对背 N 沟道 MOSFET

    • 外部高侧开关 MOSFET

    • 外部反极性保护 MOSFET

  • 栅极驱动器型号
    • LM74502：60µA 峰值栅极驱动拉电流能力
    • LM74502H：11mA 峰值栅极驱动拉电流能力
  • 2.3A 峰值栅极灌电流能力
  • 使能引脚特性
  • 45µA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高电平）
  • 1µA 关断电流（EN/UVLO = 低电平）
  • 可调节过压和欠压保护
  • –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
  • 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
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    • 外部高侧开关 MOSFET

    • 外部反极性保护 MOSFET

  • 栅极驱动器型号
    • LM74502：60µA 峰值栅极驱动拉电流能力
    • LM74502H：11mA 峰值栅极驱动拉电流能力
  • 2.3A 峰值栅极灌电流能力
  • 使能引脚特性
  • 45µA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高电平）
  • 1µA 关断电流（EN/UVLO = 低电平）
  • 可调节过压和欠压保护
  • –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm

LM74502/LM74502H 控制器与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开的解决方案。该器件也可以配置为具有过压保护功能的负载开关，用于驱动高侧 MOSFET。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如，12V、24V 和 48V 输入系统）的控制。该器件可以承受并保护负载免受低至 -65V 的负电源电压的影响。LM74502/LM74502H 没有反向电流阻断功能，仅适用于进行输入反极性保护。

LM74502 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502 和 LM74502H 还具有可编程的过压和欠压保护功能，可在发生故障时将负载从输入源切断。这些器件采用 2.9mm × 1.6mm 8 引脚 DDF 封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

LM74502/LM74502H 控制器与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开的解决方案。该器件也可以配置为具有过压保护功能的负载开关，用于驱动高侧 MOSFET。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如，12V、24V 和 48V 输入系统）的控制。该器件可以承受并保护负载免受低至 -65V 的负电源电压的影响。LM74502/LM74502H 没有反向电流阻断功能，仅适用于进行输入反极性保护。

LM74502 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502 和 LM74502H 还具有可编程的过压和欠压保护功能，可在发生故障时将负载从输入源切断。这些器件采用 2.9mm × 1.6mm 8 引脚 DDF 封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
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