ZHCSZ56A July 2025 – November 2025 DP83TC815-Q1
PRODUCTION DATA
DP83TC815-Q1 支持两种电源模式:单电源模式和双电源模式。
在单电源模式下,VDD1P0 可由 DP83TC815-Q1 内部的 LDO 供电。通过 2.2μF 和 0.1μF 的去耦网络,可将 LDO_OUT(引脚 9)连接到 VDD1P0(引脚 21)。单电源模式下不支持 VDD1P0 上的铁氧体磁珠。
在双电源模式下,VDD1P0 可以由外部稳压器供电。电压轨必须具有铁氧体磁珠、2.2μF 和 0.1μF 电容。
在单电源模式和双电源模式之间,针对其他电源的建议是相同的。
DP83TC815-Q1 能在宽 IO 电源电压范围(3.3V、2.5V 或 1.8V)内运行。不需要电源时序控制。推荐的电源去耦网络如下图所示:为了改善传导发射,可以在电源和 PHY 去耦网络之间放置一个可选的铁氧体磁珠。
典型的 TC-10 应用方框图以及电源和外设如下所示。TPS7B81-Q1 是建议用作 VSLEEP 电源轨的 3.3V LDO 的器件型号。此 LDO 具有低静态电流,专为 TC-10 应用而设计。TC10 应用的一些配电网络示例将在节 7.3.2 中介绍。
当 VDDIO 和 VDDMAC 分开时,两个电压轨必须具有包含铁氧体磁珠、0.47µF 和 0.01µF 电容的专用网络。对于非 TC10 应用,VSLEEP 也可以连接到 VDDA,在此配置中必须保留 0.1µF 电容。