ZHCSZ56A July 2025 – November 2025 DP83TC815-Q1
PRODUCTION DATA
对于这些典型应用,请使用下表中的设计参数。请参阅节 9.3 章节,详细了解连接图。
| 设计参数 | 示例值 |
|---|---|
| VDDIO | 1.8V、2.5V 或 3.3V |
| VDDMAC | 1.8V、2.5V 或 3.3V |
| VDDA | 3.3V |
| VSLEEP | 3.3V |
| (可选)VDD1P0 | 1.0V |
| 去耦电容器 VDDIO(2)(3) | 0.01μF |
| (可选)VDDIO(3) 铁氧体磁珠 | 100MHz 下为 1kΩ (BLM18KG601SH1D) |
| 去耦电容器 VDDMAC(2) | 0.01μF、0.47μF |
| VDDMAC 铁氧体磁珠 | 100MHz 下为 1kΩ (BLM18KG601SH1D) |
| 去耦电容器 VDDA(2) | 0.01μF、0.47μF |
| (可选)VDDA 铁氧体磁珠 | 100MHz 下为 1kΩ (BLM18KG601SH1D) |
| 去耦电容器 VSLEEP | 0.1μF |
| 去耦电容器 VDD1P0(2) | 0.1μF、2.2μF |
| (可选)VDD1P0 铁氧体磁珠 | 100MHz 下为 1kΩ (BLM18KG601SH1D) |
| 直流阻断电容器 (2) | 0.1μF |
| 共模扼流圈 | 200μH |
| 共模终端电阻器 (1) | 1kΩ |
| MDI 耦合电容器 (2) | 4.7nF |
| ESD 分流器 (2) | 100kΩ |
| 基准时钟 | 25MHz |