ZHCSX18B September 2024 – October 2025 TIOL221

PRODMIX

9 TIOL221 寄存器

表 9-1 列出了 TIOL221 寄存器的存储器映射寄存器。表 9-1 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不得修改寄存器内容。

表 9-1 TIOL221 寄存器

地址	首字母缩写词	寄存器名称	部分
0h	INT	中断	转到
1h	状态	状态	转到
2h	DEVICE_CONFIG	器件配置	转到
3h	CQ_CURLIM	CQ 驱动器电流限制	转到
4h	CQ_CONFIG	CQ 配置	转到
5h	DIO_CONFIG	DIO 配置	转到
6h	DO_CURLIM	DO 驱动器电流限制	转到
7h	DEVICE_ID	器件 ID	转到
8h	INT_MASK	中断屏蔽	转到
9h	RESET_CONFIG	复位引脚配置寄存器	转到

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 9-2 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 9-2 TIOL221 访问类型代码

访问类型	代码	说明
读取类型
R	R	读取
RC	R C	读取以清除
写入类型
W	W	写入
复位或默认值
-n		复位后的值或默认值

9.1 INT 寄存器（地址 = 0h）[复位 = 00h]

图 9-1 显示了 INT，表 9-3 对其进行了介绍。

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中断寄存器反映各种故障条件的当前状态。清除故障后，不会自动清除中断寄存器。如果故障条件不再存在，则在读取时清除寄存器

图 9-1 INT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
TSD_INT	WU_INT	DO_FAULT_INT	CQ_FAULT_INT	LPW_INT	RESERVED	UV_V5_INT	TEMP_WARN
RC-0b	RC-0b	RC-0b	RC-0b	RC-0b	R-0b	RC-0b	RC-0b

表 9-3 INT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	TSD_INT	RC	0b	热关断中断位。清除故障后，不会自动清除此位。如果故障不再存在，则在读取时清除该位 0b = 器件处于热关断状态 1b = 器件进入热关断状态
6	WU_INT	RC	0b	当在 CQ 上检测到 IO-Link 唤醒条件时会设置此位。 0b = 未检测到唤醒 1b = 检测到唤醒
5	DO_FAULT_INT	RC	0b	当发生 DO 驱动器故障（过流或热故障）时会设置该位 0b = DO 驱动器上无故障 1b =发生了 DO 驱动器故障
4	CQ_FAULT_INT	RC	0b	当发生 CQ 驱动器故障（过流或热故障）时会设置该位 0b = CQ 驱动器上无故障 1b =发生了 CQ 驱动器故障
3	LPW_INT	RC	0b	当 LP 低于警告阈值时会设置该位 0b = LP 高于警告阈值 1b = LP 已降至警告阈值以下
2	RESERVED	R	0b	保留
1	UV_V5_INT	RC	0b	V5IN 电源输入端发生欠压（仅当 VSEL 引脚悬空且 V5IN 是 LDO 输入时有效） 0b = V5IN 上无 UV 故障 1b = V5IN 上的 UV 故障
0	TEMP_WARN	RC	0b	热警告中断 0b = 无热警告 1b =达到热警告限值

9.2 STATUS 寄存器（地址 = 1h）[复位 = 00h]

图 9-2 显示了状态，在表 9-4 中对此进行了介绍。

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状态寄存器反映各种故障情况的当前状态。这些寄存器是只读的，并在清除故障后自动清除。注意：软复位不会复位 STATUS 寄存器位，因为这些位反映了故障的当前状态。在读取 STATUS 寄存器时读取 MSB 字节，因为 POR 恢复位在 LSB 字节传输到数据输出时清除

图 9-2 STATUS 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
POR_RECOVERY	TSD	DI_LEVEL	DO_FAULT	CQ_FAULT	UV_V5	CQ_RX_LEVEL	TEMP_WARN
RC-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b

表 9-4 状态寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	POR_RECOVERY	RC	0b	当器件从 POR 事件中恢复时，设置此位。读取时该位被清除 0b = 器件正常运行 1b =器件已从 POR 事件中恢复
6	TSD	R	0b	该位反映了热关断的状态。当温度低于热关断阈值时，自动清除该位 0b = 无热关断 1b = 器件处于热关断状态
5	DI_LEVEL	R	0b	当 DI 电压为逻辑高电平时设置此位，当 DI 电压为逻辑低电平时清除此位。注意：如果 DI_DIS 位设置为 1，则此位无效。 0b = 0x0 1b = 0x1
4	DO_FAULT	R	0b	该位显示 DO 驱动故障状态 0b = DO 引脚无故障 1b = DO 引脚处存在故障
3	CQ_FAULT	R	0b	该位显示 CQ 驱动器的故障状态 0b = CQ 引脚无故障 1b = CQ 引脚处存在故障
2	UV_V5	R	0b	该位显示 V5IN 引脚上的 UV 条件状态 0b = V5IN 电压高于 UVLO 阈值 1b = V5IN 低于 UVLO 阈值
1	CQ_RX_LEVEL	R	0b	当 CQ 电压为逻辑高电平时设置此位，当 CQ 电压为逻辑低电平时清除此位。注意：如果 CQ_RX_DIS 位设置为 1，则此位无效。 0b = 0x0 1b = 0x1
0	TEMP_WARN	R	0b	显示器件温度高于或低于温度警告阈值 0b = 无温警告 1b =器件温度高于警告阈值

9.3 DEVICE_CONFIG 寄存器（地址 = 2h）[复位 = 00h]

图 9-3 展示了 DEVICE_CONFIG，表 9-5 中对此进行了介绍。

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器件级配置寄存器

图 9-3 DEVICE_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
SOFT_RESET	WU_DIS	DO_CQ_TRACK	IOLINK_5MA_PD	DI_RX_FILTER	CQ_RX_FILTER	T_UVLO	INT_TOG
R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b

表 9-5 DEVICE_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	SOFT_RESET	R/W	0b	将所有寄存器复位为默认值。注意：根据相应的故障状态，仍会设置状态和中断位。 0b = 无复位 1b = 器件配置的 1b 接口
6	WU_DIS	R/W	0b	0b = CQ 可以识别唤醒脉冲 1b = CQ 忽略唤醒脉冲
5	DO_CQ_TRACK	R/W	0b	如果设置了该位，DO 和 CQ 驱动器会根据 TX 输入和 CQ_CONFIG 设置同步工作。 0b = DO 和 CQ 驱动器是独立的 1b = DO 和 CQ 驱动器作为 TX 输入的函数进行跟踪
4	IOLINK_5MA_PD	R/W	0b	当禁用相应的驱动器时，在 CQ 和 DO 驱动器上启用 5mA 下拉电流 ILLM。注意：CQ_CUR_LIM 和 DO_CUR_LIM 限值需要设置为 500mA，以便分别在 CQ 和 DO 处启用此设置。 0b =禁用 5mA（最小）下拉电流 1b = 禁用相应的驱动器时启用 5mA 的（最小）下拉电流
3	DI_RX_FILTER	R/W	0b	打开或关闭 DI 线路上的 RX 干扰滤波器 0b = 禁用 DI 干扰滤波器 1b = 启用 DI 干扰滤波器
2	CQ_RX_FILTER	R/W	0b	打开或关闭 CQ 线路上的 RX 干扰滤波器 0b =禁用 CQ RX 干扰滤波器 1b =启用 CQ RX 干扰滤波器
1	T_UVLO	R/W	0b	从 LP UVLO 恢复后，CQ，DO 重新启用延迟 t (UVLO) 0b = 0.5ms (典型值) 1b = 30ms (典型值)
0	INT_TOG	R/W	0b	启用中断引脚切换 0b = 中断引脚设置为有效的低电平 1b =中断引脚设置为切换 200us 周期和 50% 工作周期

9.4 CQ_CURLIM 寄存器（地址 = 3h）[复位 = 20h]

图 9-4 展示了 CQ_CURLIM，表 9-6 中对此进行了介绍。

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CQ 驱动器电流限制和自动重试配置

图 9-4 CQ_CURLIM 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
CQ_CUR_LIM			CQ_BL_TIME		CQ_RETRY_TIME		CQ_AUTO_RETRY_EN
R/W-001b			R/W-00b		R/W-00b		R/W-0b

表 9-6 CQ_CURLIM 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-5	CQ_CUR_LIM	R/W	001b	设置电流限值 000b = 35 mA（最小） 001b = 50 mA（最小） 010b = 100 mA（最小） 011b = 150 mA（最小） 100b = 200 mA（最小） 101b = 250 mA（最小） 110b = 300 mA（最小） 111b = 500 mA（最小）
4-3	CQ_BL_TIME	R/W	00b	设置电流消隐时间 00b = 200µs (典型值) 01b = 500µs (典型值) 10b = 5ms (典型值) 11b = 0s（无消隐时间）
2-1	CQ_RETRY_TIME	R/W	00b	设置自动重试时间 00b = 50ms (典型值) 01b = 100ms (典型值) 10b = 200ms (典型值) 11b = 500ms (典型值)
0	CQ_AUTO_RETRY_EN	R/W	0b	启用自动重试。启用时，会在消隐时间后禁用驱动器，并在重试时间后重新启用驱动器。禁用自动重试时，驱动器会保持启用状态并仅在热关断后关闭。注意：当消隐时间配置为 2b11（无消隐时间）时，启用自动重试。 0b = 禁用 1b = 启用

9.5 CQ_CONFIG 寄存器（地址 = 4h）[复位 = 0Ch]

图 9-5 展示了 CQ_CONFIG，表 9-7 中对此进行了介绍。

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用于 PNP/NPN 模式和弱上拉/下拉的 CQ 配置寄存器

图 9-5 CQ_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		CQ_WEAK_PD_EN	CQ_WEAK_PU_EN	CQ_TX_MODE		CQ_Q	RX_DIS
R-0b		R/W-0b	R/W-0b	R/W-11b		R/W-0b	R/W-0b

表 9-7 CQ_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	RESERVED	R	0b	保留
5	CQ_WEAK_PD_EN	R/W	0b	当驱动器被禁用时，配置 CQ 上的弱下拉 0b = 禁用弱下拉 1b = 启用弱下拉
4	CQ_WEAK_PU_EN	R/W	0b	当驱动器被禁用时，配置 CQ 上的弱上拉 0b = 禁用弱上拉 1b = 启用弱上拉
3-2	CQ_TX_MODE	R/W	11b	配置驱动器传输模式 00b = PNP 模式 01b = 推挽模式 10b = NPN 模式 11b =驱动器被禁用
1	CQ_Q	R/W	0b	CQ 驱动器输出逻辑 0b =当 EN1为低电平（或 CQ_DIS 为低电平时）时，CQ 处于高阻抗状态 1b = CQ 驱动器在推挽或 PNP 模式输出逻辑高电平，在 NPN 模式下关断CQ 驱动器
0	RX_DIS	R/W	0b	配置 CQ 线路的 RX 0b = 启用 RX 1b = 禁用 RX

9.6 DIO_CONFIG 寄存器（地址 = 5h）[复位 = 0Ch]

图 9-6 展示了 DIO_CONFIG，表 9-8 中对此进行了介绍。

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图 9-6 DIO_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DI_WEAK_PD_EN	DI_WEAK_PU_EN	DO_WEAK_PD_EN	DO_WEAK_PU_EN	DO_MODE		DO_Q	DI_DIS
R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-11b		R/W-0b	R/W-0b

表 9-8 DIO_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	DI_WEAK_PD_EN	R/W	0b	配置 DI 的弱下拉 0b = 禁用弱下拉 1b = 启用弱下拉
6	DI_WEAK_PU_EN	R/W	0b	配置 DI 上的弱上拉 0b = 禁用弱上拉 1b = 启用弱上拉
5	DO_WEAK_PD_EN	R/W	0b	当驱动器被禁用时，配置 DO 上的弱下拉 0b = 禁用弱下拉 1b = 启用弱下拉
4	DO_WEAK_PU_EN	R/W	0b	当驱动器被禁用时，配置 DO 上的弱上拉 0b = 禁用弱上拉 1b = 启用弱上拉
3-2	DO_MODE	R/W	11b	配置 DO 驱动器传输模式 00b = PNP 模式 01b = 推挽模式 10b = NPN 模式 11b =驱动器被禁用
1	DO_Q	R/W	0b	DO 驱动器输出逻辑 0b =当 EN2 为低电平（或 DO_DIS 为低电平时)，DO 处于高阻抗状态 1b = DO 驱动器在推挽或 PNP 模式输出逻辑高电平，在 NPN 模式下关断CQ 驱动器
0	DI_DIS	R/W	0b	配置 DI 接收器 0b = 启用 DI 1b = 禁用 DI

9.7 DO_CURLIM 寄存器（地址 = 6h）[复位 = 20h]

图 9-7 展示了 DO_CURLIM，表 9-9 中对此进行了介绍。

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DO 驱动器电流限制和自动重试配置

图 9-7 DO_CURLIM 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DO_CUR_LIM			DO_BL_TIME		DO_RETRY_TIME		DO_RETRY_EN
R/W-001b			R/W-00b		R/W-00b		R/W-0b

表 9-9 DO_CURLIM 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-5	DO_CUR_LIM	R/W	001b	设置电流限值 000b = 35 mA（最小） 001b = 50 mA（最小） 010b = 100 mA（最小） 011b = 150 mA（最小） 100b = 200 mA（最小） 101b = 250 mA（最小） 110b = 300 mA（最小） 111b = 500 mA（最小）
4-3	DO_BL_TIME	R/W	00b	设置电流消隐时间。注意：启用自动重试后，不要配置 0b11（无消隐时间）。 00b = 200µs (典型值) 01b = 500µs (典型值) 10b = 5ms (典型值) 11b = 0s（无消隐时间）
2-1	DO_RETRY_TIME	R/W	00b	设置自动重试时间。注意：当消隐时间配置为 2b11（无消隐时间）时，不要启用自动重试。 00b = 50ms (典型值) 01b = 100ms (典型值) 10b = 200ms (典型值) 11b = 500ms (典型值)
0	DO_RETRY_EN	R/W	0b	启用自动重试 0b = 禁用 1b = 启用

9.8 DEVICE_ID 寄存器（地址 = 7h）[复位 = 01h]

图 9-8 展示了 DEVICE_ID，表 9-10 中对此进行了介绍。

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图 9-8 DEVICE_ID 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED					修订 ID
R-0b					R-001b

表 9-10 DEVICE_ID 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-3	RESERVED	R	0b	保留
2-0	修订 ID	R	001b	指示器件修订版本号 001b = 1st revision

9.9 INT_MASK 寄存器（地址 = 8h）[复位 = 00h]

图 9-9 展示了 INT_MASK，表 9-11 中对此进行了介绍。

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中断屏蔽寄存器。当屏蔽中断时，中断引脚不指示中断，但中断寄存器仍会更新以指示中断。

图 9-9 INT_MASK 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
TSD_INT_MASK	WU_INT_MASK	DO_FAULT_INT_MASK	CQ_FAULT_INT_MASK	LPW_INT_MASK	RESERVED	UV_V5_INT_MASK	TEMP_WARN_MASK
R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R-0b	R/W-0b	R/W-0b

表 9-11 INT_MASK 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	TSD_INT_MASK	R/W	0b	0b =中断激活 1b = 中断已被屏蔽
6	WU_INT_MASK	R/W	0b	0b =中断激活 1b = 中断已被屏蔽
5	DO_FAULT_INT_MASK	R/W	0b	0b =中断激活 1b = 中断已被屏蔽
4	CQ_FAULT_INT_MASK	R/W	0b	0b =中断激活 1b = 中断已被屏蔽
3	LPW_INT_MASK	R/W	0b	0b =中断激活 1b = 中断已被屏蔽
2	RESERVED	R	0b	保留
1	UV_V5_INT_MASK	R/W	0b	0b =中断激活 1b = 中断已被屏蔽
0	TEMP_WARN_MASK	R/W	0b	0b =中断激活 1b = 中断已被屏蔽

9.10 RESET_CONFIG 寄存器（地址 = 9h）[复位 = 00h]

图 9-10 展示了 RESET_CONFIG，表 9-12 中对此进行了介绍。

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配置 RESET 引脚的行为

图 9-10 RESET_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESET_SEL		RESET_POL	RESERVED
R/W-00b		R-0b	R-0b

表 9-12 RESET_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	RESET_SEL	R/W	00b	选择哪些事件会激活复位输出 00b = UVLP 和 UVOUT 01b = UVLP 10b = UVOUT 11b = 保留
5	RESET_POL	R	0b	在复位输出时，选择配置为低电平有效还是高电平有效 0b =引脚输出低电平（低电平有效） 1b =引脚输出高电平（高电平有效）
4-0	RESERVED	R	0b	保留