ZHCSH72K September   2011  – October 2025 LMK00301

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 差分电压测量术语
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 VCC 和 VCCO 电源
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 时钟输入
      2. 8.4.2 时钟输出
        1. 8.4.2.1 基准输出
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
        1. 9.2.1.1 驱动时钟输入
        2. 9.2.1.2 晶体接口
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 终止和使用时钟驱动器
          1. 9.2.2.1.1 直流耦合差分操作的端接
          2. 9.2.2.1.2 交流耦合差分操作的端接
          3. 9.2.2.1.3 单端操作的端接
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 电源时序
      2. 9.3.2 电流消耗和功率耗散计算
        1. 9.3.2.1 功率耗散示例 1：独立 VCC 和 VCCO 电源且含未使用输出
        2. 9.3.2.2 功率耗散示例 2：最坏情况下的功耗
      3. 9.3.3 电源旁路
        1. 9.3.3.1 电源纹波抑制
      4. 9.3.4 热管理
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

9.2.1.2 晶体接口

LMK00301 具有一个集成式晶体振荡器电路，可支持基频 AT 切割晶体。图 9-5 显示了晶体接口。

LMK00301 晶体接口图 9-5 晶体接口

负载电容 (CL) 取决于晶体，但通常约为 18pF 至 20pF。虽然为晶体指定了 CL，但器件的 OSCin 输入电容（典型值 CIN = 4pF）和 PCB 杂散电容（CSTRAY 约为 1pF 到 3pF）会影响分立式负载电容值 C1 和 C2。

对于并联谐振电路，分立式电容值可按如下方式计算：

方程式 2. CL = (C1 × C2) / (C1 + C2) + CIN + CSTRAY

通常，C1 = C2 以获得最佳对称性，因此可以仅使用 C1 重写方程式 2：

方程式 3. CL = C12 / (2 × C1) + CIN + CSTRAY

最后，求解 C1：

方程式 4. C1 = (CL – CIN – CSTRAY) × 2

电气特性 为晶体接口规格提供了验证晶体启动的条件，但电气特性未规定晶体功率耗散。设计人员需确认晶体功率耗散未超过晶体制造商指定的最大驱动电平。过度驱动晶体会导致过早老化、频率移位，并最终导致故障。驱动电平必须保持在足以启动和保持稳态运行所需的电平。

晶体中耗散的功率 PXTAL 可通过以下公式计算：

方程式 5. PXTAL = IRMS2 × RESR × (1 + C0/CL)2

其中

  • IRMS 是通过晶体的 RMS 电流。
  • RESR 为晶体规定的最大等效串联电阻
  • CL 是为晶体规定的负载电容
  • C0 是为晶体规定的最小并联电容

IRMS 可以通过电流探头（例如 Tektronix CT-6 或等效器件）进行测量，该探头放在连接到 OSCout 的晶体引脚上（振荡电路处于激活状态）。

如图 9-5 所示，必要时可以使用外部电阻器 RLIM 限制晶体驱动电平。如果所选晶体中耗散的功率高于在 RLIM 短接时为晶体规定的驱动电平，则必须使用更大的电阻值以避免过驱晶体。但是，如果晶体中耗散的功率低于 RLIM 短接时的驱动电平，则 RLIM 可以使用零值。作为起始值，RLIM 的建议值为 1.5kΩ。