ZHCAF70 April 2025 LM2005 , LM2101 , LM2103 , LM2104 , LM2105 , UCC27200 , UCC27200-Q1 , UCC27200A , UCC27201 , UCC27201A , UCC27201A-Q1 , UCC27211 , UCC27211A , UCC27211A-Q1 , UCC27212 , UCC27212A-Q1 , UCC27282 , UCC27282-Q1 , UCC27284 , UCC27284-Q1 , UCC27288 , UCC27289 , UCC27301A , UCC27301A-Q1 , UCC27302A , UCC27302A-Q1 , UCC27311A , UCC27311A-Q1
高功率需求的应用需要高效率运行,并利用多相位来支持大电流输出。低功耗状态期间可以禁用这些单独的相位,从而通过消除禁用的动力总成中的损耗来提高效率。在这些多相系统中,当发生轻负载情况时,将禁用部分相位以减少开关损耗。启用已禁用的相位时,与自举电容器充电相关的栅极驱动器中会有高电流。这些 FET 还与高电流应用相关,后者需要高栅极驱动器电流以确保快速开关转换,并需要栅极驱动器的快速开关特性以确保最高效率。总体而言,在功率级别较高的应用中,高电流栅极驱动器是理想的选择。TI 120V 产品组合中的最新高电流半桥栅极驱动器是 UCC273x1A(-Q1),它具有 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流,用于驱动这些 FET。高功率应用会导致更大的开关损耗,因此需要这一更高电流的驱动器来加快开关转换并降低开关损耗。