ZHCACB2A March   2023  – November 2023 AM2732 , AM2732-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 引言
    1. 1.1 首字母缩写词
  5. 2 电源
    1. 2.1 分立式直流/直流电源解决方案
    2. 2.2 集成的 PMIC 电源解决方案
    3. 2.3 电源去耦和滤波
    4. 2.4 功耗
  6. 3 计时
    1. 3.1 晶体和振荡器输入选项
    2. 3.2 输出时钟生成
    3. 3.3 晶体选择和并联电容
    4. 3.4 晶体放置和布线
  7. 4 复位
  8. 5 自举
    1. 5.1 SOP 信号实现
    2. 5.2 QSPI 存储器控制器实现
    3. 5.3 ROM QSPI 引导要求
  9. 6 JTAG 仿真器和跟踪
  10. 7 多路复用外设
  11. 8 数字外设
    1. 8.1 通用数字外设布线指南
  12. 9 层堆叠
    1. 9.1 TMDS273GPEVM 层堆叠
      1. 9.1.1 TMDS273GPEVM 关键层叠特性
    2. 9.2 四层 ZCE 示例层堆叠
      1. 9.2.1 ZCE 四层示例关键层叠特性
    3. 9.3 四层 NZN 示例层堆叠
      1. 9.3.1 NZN 四层示例关键层叠特性
  13. 10过孔
  14. 11BGA 电源扇出和去耦放置
    1. 11.1 接地回路
      1. 11.1.1 接地回路 - TMDS273GPEVM
      2. 11.1.2 接地回路 - ZCE 四层示例
      3. 11.1.3 接地回路 - NZN 四层示例
    2. 11.2 1.2V 内核数字电源
      1. 11.2.1 1.2V 内核数字电源主要布局注意事项
        1. 11.2.1.1 1.2V 内核布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.2.1.2 1.2V 内核布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.2.1.3 1.2V 内核布局 - NZN 四层示例
    3. 11.3 3.3V 数字和模拟电源
      1. 11.3.1 3.3V 数字和模拟电源主要布局注意事项
        1. 11.3.1.1 3.3V 数字和模拟布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.3.1.2 3.3V 数字和模拟布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.3.1.3 3.3V 数字和模拟布局 - NZN 四层示例
    4. 11.4 1.8V 数字和模拟电源
      1. 11.4.1 1.8V 数字和模拟电源主要布局注意事项
        1. 11.4.1.1 1.8V 数字和模拟布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.4.1.2 1.8V 数字和模拟布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.4.1.3 1.8V 数字和模拟布局 - NZN 四层示例
  15. 12参考文献
  16. 13修订历史记录

2.3 电源去耦和滤波

表 2-1 描述了 AM273x 所需的初始 BGA 去耦和电源滤波。这些特性基于 AM273 GPEVM PCB 和 AM273x 封装在上述瞬态用例中的初始仿真反馈。

以下各节以及 AM273x EVM 原理图和布局中介绍的去耦网络是任何 AM273x PCB 设计的合理起点。节 11 中提供了去耦网络的附加放置指导。但是，由于特定的 PCB 布线差异以及由此产生的平面电容和去耦安装电感以及其他寄生效应，强烈建议设计人员仿真和测量其特定的配电网络性能。理想情况下，仿真和测量应在目标应用软件处于活动状态和适用于系统的预期操作环境条件情况下进行。

表 2-1 AM273x 建议的每电源网去耦
器件电源 数量 备注 器件型号 制造商
1.2V VDD_CORE 2 2.2µF，6.3V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603 GCM188R70J225KE22D Murata（村田）
5 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata（村田）
3 0.01µF，50V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 CGA2B3X7R1H103K050BB TDK
1.2V SRAM 1 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata（村田）
2 0.1µF，16V，±10%，X7R，0402 GCM155R71C104KA55D Murata（村田）
1.8V IO 电源 4 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata（村田）
3.3V IO 电源 1 2.2µF，6.3V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603 GCM188R70J225KE22D Murata（村田）
6 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata（村田）
1.8V ADC 电源 1 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata（村田）
1.8V 时钟电源 1 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata（村田）
1.8V CSI 电源 1 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata（村田）
1.8V LVDS 电源 1 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata（村田）
VNWA 电源 1 0.1µF，16V，±10%，X7R，0402 GCM155R71C104KA55D Murata（村田）
带隙电源 1 0.047µF，50V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 CGA2B3X7R1H473K050BB TDK
VPP 电源 1 0.1µF，16V，±10%，X7R，0402 GCM155R71C104KA55D Murata（村田）
GUID-A0F7FC5A-6736-42DC-B085-DB912D283418-low.png图 2-4 AM273x GPEVM 摘录 – 1.2V 电源去耦示意图
GUID-8D381868-CCA0-4A72-9298-17B36860F6BA-low.png图 2-5 AM273x GPEVM 摘录 – 1.8V 数字 I/O 去耦示意图
GUID-B1D1347A-2BDE-469D-8848-CB37C90D682A-low.png图 2-6 AM273x GPEVM 摘录 – 3.3 数字 I/O 去耦示意图
GUID-E83F1424-E1B0-445A-9FC7-6F006E889A84-low.png图 2-7 AM273x GPEVM 摘录 – SRAM 去耦示意图
GUID-FA314CC5-91B2-4711-BD87-1AD989EF62D5-low.png图 2-8 AM273x GPEVM 摘录 – 附加的去耦示意图