对于 AM273x 器件，ROM 代码需要以下 QSPI 闪存特性：
- 闪存器件应与 AM273x 器件提供的 3.3V LVCMOS 信号电平兼容
- 确保闪存器件设置为禁用写保护模式和禁用保持模式。
- 这通常是闪存器件的 D1 和 D2 引脚上的上拉电阻器选项。
- 确保应用了适当的上拉电阻器，以便选择正确的工作状态。
- 闪存器件能够支持四路输出快速读取（操作码 0x6B）
- 闪存必须能够在单一模式下支持快速读取（操作码 0x0B）
- 在前面提到的读取操作期间，器件应允许 8 个“虚拟”时钟周期来设置初始地址
- 默认情况下，闪存必须支持 3 字节（24 位）寻址模式
- 闪存大小应在 2.5MB-4MB 范围内，但不建议超过 16MB 范围以确保正确操作
以下闪存器件列表已通过 AM273x MCU 兼容性测试。有关上述兼容性要求，请查看特定闪存器件的特定数据表。
表 5-3 与 AM273x 兼容的 QSPI 器件
| 制造商 |
闪存器件 |
| Infineon（英飞凌） |
S25FL128S/S25FL256S 系列 |
| Winbond |
W25Q 系列 |
| GigaDevice |
GD25 系列 |
| 旺宏电子 (Macronix) |
MX25xxx35 系列 |
注： AM273x GPEVM 上使用了来自 GigaDevice 的 GD25B64CWAG 器件。