ZHCACB2A March   2023  – November 2023 AM2732 , AM2732-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 引言
    1. 1.1 首字母缩写词
  5. 电源
    1. 2.1 分立式直流/直流电源解决方案
    2. 2.2 集成的 PMIC 电源解决方案
    3. 2.3 电源去耦和滤波
    4. 2.4 功耗
  6. 计时
    1. 3.1 晶体和振荡器输入选项
    2. 3.2 输出时钟生成
    3. 3.3 晶体选择和并联电容
    4. 3.4 晶体放置和布线
  7. 复位
  8. 自举
    1. 5.1 SOP 信号实现
    2. 5.2 QSPI 存储器控制器实现
    3. 5.3 ROM QSPI 引导要求
  9. JTAG 仿真器和跟踪
  10. 多路复用外设
  11. 数字外设
    1. 8.1 通用数字外设布线指南
  12. 层堆叠
    1. 9.1 TMDS273GPEVM 层堆叠
      1. 9.1.1 TMDS273GPEVM 关键层叠特性
    2. 9.2 四层 ZCE 示例层堆叠
      1. 9.2.1 ZCE 四层示例关键层叠特性
    3. 9.3 四层 NZN 示例层堆叠
      1. 9.3.1 NZN 四层示例关键层叠特性
  13. 10过孔
  14. 11BGA 电源扇出和去耦放置
    1. 11.1 接地回路
      1. 11.1.1 接地回路 - TMDS273GPEVM
      2. 11.1.2 接地回路 - ZCE 四层示例
      3. 11.1.3 接地回路 - NZN 四层示例
    2. 11.2 1.2V 内核数字电源
      1. 11.2.1 1.2V 内核数字电源主要布局注意事项
        1. 11.2.1.1 1.2V 内核布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.2.1.2 1.2V 内核布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.2.1.3 1.2V 内核布局 - NZN 四层示例
    3. 11.3 3.3V 数字和模拟电源
      1. 11.3.1 3.3V 数字和模拟电源主要布局注意事项
        1. 11.3.1.1 3.3V 数字和模拟布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.3.1.2 3.3V 数字和模拟布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.3.1.3 3.3V 数字和模拟布局 - NZN 四层示例
    4. 11.4 1.8V 数字和模拟电源
      1. 11.4.1 1.8V 数字和模拟电源主要布局注意事项
        1. 11.4.1.1 1.8V 数字和模拟布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.4.1.2 1.8V 数字和模拟布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.4.1.3 1.8V 数字和模拟布局 - NZN 四层示例
  15. 12参考文献
  16. 13修订历史记录

TMDS273GPEVM 关键层叠特性

  • 标准 62mil 总厚度
  • L1、L3、L8 和 L10 上的 4 个可选受控阻抗布线层。
  • 所有信号层和电源层都具有相邻的接地基准,以实现受控阻抗规划和 EMI 性能
  • L5 电源和 L4 GND 回路层之间以及 L6 电源和 L7 GND 回路层之间的更小电介质厚度可实现更佳的平面电容性能,有助于实现电源完整性和 EMI。
  • 具有所有穿孔过孔层转换的扇出示例 – 无需微过孔或焊盘中的过孔。
表 9-1 TMDS273GPEVM 层利用情况
层编号 备注
覆铜 1(顶部) 顶层安装和信号布线
覆铜 2 接地回路平面
覆铜 3 嵌入式微带/带状线信号布线和电源布线
覆铜 4 接地回路平面
覆铜 5 电源布线
覆铜 6 电源布线
覆铜 7 接地回路平面
覆铜 8 嵌入式微带/带状线信号布线和电源布线
覆铜 9 接地回路平面
覆铜 10(底部) 底层安装和信号布线