ZHCACB2A March   2023  – November 2023 AM2732 , AM2732-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 引言
    1. 1.1 首字母缩写词
  5. 2 电源
    1. 2.1 分立式直流/直流电源解决方案
    2. 2.2 集成的 PMIC 电源解决方案
    3. 2.3 电源去耦和滤波
    4. 2.4 功耗
  6. 3 计时
    1. 3.1 晶体和振荡器输入选项
    2. 3.2 输出时钟生成
    3. 3.3 晶体选择和并联电容
    4. 3.4 晶体放置和布线
  7. 4 复位
  8. 5 自举
    1. 5.1 SOP 信号实现
    2. 5.2 QSPI 存储器控制器实现
    3. 5.3 ROM QSPI 引导要求
  9. 6 JTAG 仿真器和跟踪
  10. 7 多路复用外设
  11. 8 数字外设
    1. 8.1 通用数字外设布线指南
  12. 9 层堆叠
    1. 9.1 TMDS273GPEVM 层堆叠
      1. 9.1.1 TMDS273GPEVM 关键层叠特性
    2. 9.2 四层 ZCE 示例层堆叠
      1. 9.2.1 ZCE 四层示例关键层叠特性
    3. 9.3 四层 NZN 示例层堆叠
      1. 9.3.1 NZN 四层示例关键层叠特性
  13. 10过孔
  14. 11BGA 电源扇出和去耦放置
    1. 11.1 接地回路
      1. 11.1.1 接地回路 - TMDS273GPEVM
      2. 11.1.2 接地回路 - ZCE 四层示例
      3. 11.1.3 接地回路 - NZN 四层示例
    2. 11.2 1.2V 内核数字电源
      1. 11.2.1 1.2V 内核数字电源主要布局注意事项
        1. 11.2.1.1 1.2V 内核布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.2.1.2 1.2V 内核布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.2.1.3 1.2V 内核布局 - NZN 四层示例
    3. 11.3 3.3V 数字和模拟电源
      1. 11.3.1 3.3V 数字和模拟电源主要布局注意事项
        1. 11.3.1.1 3.3V 数字和模拟布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.3.1.2 3.3V 数字和模拟布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.3.1.3 3.3V 数字和模拟布局 - NZN 四层示例
    4. 11.4 1.8V 数字和模拟电源
      1. 11.4.1 1.8V 数字和模拟电源主要布局注意事项
        1. 11.4.1.1 1.8V 数字和模拟布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.4.1.2 1.8V 数字和模拟布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.4.1.3 1.8V 数字和模拟布局 - NZN 四层示例
  15. 12参考文献
  16. 13修订历史记录

2.4 功耗

本节概述了 AM273x 在每个器件电源网基础上的最新功耗估算。这些值可能会随着执行更多功率建模和表征而变化。这些数据可用于调整峰值直流/直流转换功率裕度，对 PCB 布局进行 IR 压降分析，以及帮助进行热负载分析。

这些估算基于器件的初始功率仿真。有关最新的表征峰值功率数据，请参阅 AM273x Sitara™ 微控制器数据表。

此外，还为 AM273x MCU 提供了基于用例的功耗估算工具 (PET)。此工具可以帮助根据特定内核和外设利用率占空比进一步限制峰值功率。

表 2-2 AM273x 估算峰值功耗
器件电源 V 平均功耗 (mW) 平均电流 (mA) 峰值电流 (mA) 说明
VDD 1.2 693 576 2315 1.2V 内核数字电源
VDD_SRAM 1.2 3 3 75 1.2V SRAM 电源
VIOIN 1.8 或 3.3 12 4 74 1.8V 或 3.3V 数字 I/O 电源
VIOIN_18 1.8 0 0 1 1.8V 数字 I/O 电源
VIOIN_18CLK 1.8 32 18 18 1.8V 时钟电源
VIOIN_18ADC 1.8 3 2 2 1.8V ADC 电源
VIOIN_18CSI 1.8 40 22 23 1.8V CSI 电源
VIOIN_18LVDS 1.8 125 69 70 1.8V LVDS 电源
器件峰值功率 908 694 2578