ZHCACB2A March   2023  – November 2023 AM2732 , AM2732-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 引言
    1. 1.1 首字母缩写词
  5. 2 电源
    1. 2.1 分立式直流/直流电源解决方案
    2. 2.2 集成的 PMIC 电源解决方案
    3. 2.3 电源去耦和滤波
    4. 2.4 功耗
  6. 3 计时
    1. 3.1 晶体和振荡器输入选项
    2. 3.2 输出时钟生成
    3. 3.3 晶体选择和并联电容
    4. 3.4 晶体放置和布线
  7. 4 复位
  8. 5 自举
    1. 5.1 SOP 信号实现
    2. 5.2 QSPI 存储器控制器实现
    3. 5.3 ROM QSPI 引导要求
  9. 6 JTAG 仿真器和跟踪
  10. 7 多路复用外设
  11. 8 数字外设
    1. 8.1 通用数字外设布线指南
  12. 9 层堆叠
    1. 9.1 TMDS273GPEVM 层堆叠
      1. 9.1.1 TMDS273GPEVM 关键层叠特性
    2. 9.2 四层 ZCE 示例层堆叠
      1. 9.2.1 ZCE 四层示例关键层叠特性
    3. 9.3 四层 NZN 示例层堆叠
      1. 9.3.1 NZN 四层示例关键层叠特性
  13. 10过孔
  14. 11BGA 电源扇出和去耦放置
    1. 11.1 接地回路
      1. 11.1.1 接地回路 - TMDS273GPEVM
      2. 11.1.2 接地回路 - ZCE 四层示例
      3. 11.1.3 接地回路 - NZN 四层示例
    2. 11.2 1.2V 内核数字电源
      1. 11.2.1 1.2V 内核数字电源主要布局注意事项
        1. 11.2.1.1 1.2V 内核布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.2.1.2 1.2V 内核布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.2.1.3 1.2V 内核布局 - NZN 四层示例
    3. 11.3 3.3V 数字和模拟电源
      1. 11.3.1 3.3V 数字和模拟电源主要布局注意事项
        1. 11.3.1.1 3.3V 数字和模拟布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.3.1.2 3.3V 数字和模拟布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.3.1.3 3.3V 数字和模拟布局 - NZN 四层示例
    4. 11.4 1.8V 数字和模拟电源
      1. 11.4.1 1.8V 数字和模拟电源主要布局注意事项
        1. 11.4.1.1 1.8V 数字和模拟布局 - TMDS273GPEVM
        2. 11.4.1.2 1.8V 数字和模拟布局 - ZCE 四层示例
        3. 11.4.1.3 1.8V 数字和模拟布局 - NZN 四层示例
  15. 12参考文献
  16. 13修订历史记录

11 BGA 电源扇出和去耦放置

45nm CMOS 技术可实现更快的内核速率和 SRAM 时钟速率，以及适用于 LVCMOS I/O 缓冲器的更快的边沿速率。因此，与以前的 MCU 工艺节点相比，谨慎地布置电源和接地回路对于使用 AM273x 设计实现更佳的电源完整性、信号完整性和 EMI 性能至关重要。

建议设计人员遵循 AM273x GPEVM 或 4 层 ZCE 或 NZN 迂回布线设计中实施的类似配电布局，以便在所有工作条件和 EMI 测试条件下实现良好的电源完整性结果。

AM273 GPEVM 代表了迄今为止更优化且经更仔细审查的配电布局示例，本节对此予以介绍。