ZHCABM0A February   2019  – April 2022 DRV8242-Q1 , DRV8243-Q1 , DRV8244-Q1 , DRV8245-Q1 , DRV8343-Q1 , DRV8702-Q1 , DRV8702D-Q1 , DRV8703-Q1 , DRV8703D-Q1 , DRV8803 , DRV8804 , DRV8805 , DRV8806 , DRV8860 , DRV8873 , DRV8873-Q1 , DRV8874 , DRV8874-Q1 , DRV8876 , DRV8876-Q1 , DRV8935 , DRV8955

 

  1.   螺线管基础知识与电机驱动器驱动
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 螺线管类型
  4. 2螺线管驱动拓扑
    1. 2.1 低侧和高侧配置
    2. 2.2 半桥和 H 桥驱动器配置
  5. 3驱动螺线管负载的基础知识
    1. 3.1 电流控制
    2. 3.2 快速放电电路
      1. 3.2.1 续流和钳位
      2. 3.2.2 无源电压钳位
  6. 4用于螺线管驱动的 DRV 电机驱动器特性
    1. 4.1 电流检测和调节解决方案
    2. 4.2 独立的低侧/高侧驱动
    3. 4.3 半桥驱动
    4. 4.4 集成式及栅极驱动器 H 桥
  7. 5总结
  8. 6修订历史记录

4.2 独立的低侧/高侧驱动

对于高侧和/或低侧驱动，一些器件具有独立的 FET 模式，可以驱动独立的高侧负载和低侧负载。DRV8714-Q1 和 DRV8343-Q1 栅极驱动器都支持多种驱动配置。

DRV8714-Q1 具有分离式高侧和低侧控制特性，能够实现在高侧和低侧 FET 之间连接浮动负载。下图显示了 DRV8714-Q1 在此配置下驱动螺线管负载。

GUID-20201222-CA0I-SNWC-PXW5-P8JWWSTVTZG9-low.gif图 4-3 DRV8714-Q1 分离式高侧/低侧控制

在此模式下，高侧 FET 可以作为开关控制，而低侧 FET 可以由 PWM 控制。

高度可配置的 DRV8343-Q1 可以支持多种相位配置，例如，三个相位中的一个可以是半桥，其他相位是独立的 FET，一个是 PH/EN，其他是 PWM 等等。

对于独立的 MOSFET 驱动模式，INHx 引脚和 INLx 引脚分别控制输出 GHx 和 GLx。这样，可以控制模式。在此模式下，可以在给定半桥栅极驱动器中，同时打开高侧和低侧 MOSFET。在此模式下，会绕过集成死区时间。

表 4-1 独立的 MOSFET 模式的真值表
INLx INHx GLx GHx
0 0 L L
0 1 L H
1 0 H L
1 1 H H

图 4-4 显示了如何使用 DRV8343-Q1 器件通过一个半桥同时连接高侧负载和低侧负载，并独立驱动这些负载。在此模式下，两个 MOSFET 的 VDS 监视器都处于运行状态，防止出现过流情况。对于总共 6 个不同螺线管，3 个相位中的每一个都可以做到这一点。请注意，如果半桥仅用于实现高侧或低侧驱动器，则无需连接未使用的负载。VDS 监视器仍可以监测过流情况。

GUID-34ACF732-0829-462E-B7AA-72ABC52A6942-low.gif图 4-4 独立的 PWM 高侧和低侧驱动器