半桥驱动可以非常有用，因为其在负载配置中带来灵活性，而且 H 桥解决方案可以配置为多个半桥来驱动多个螺线管。如前所述，DRV8714-Q1 和 DRV8718-Q1 栅极驱动器支持此配置以及 PWM 映射特性，如图 4-5 中所示

DRV8343-Q1 可以在高侧 PWM 和低侧截止配置中控制多达三个不同的螺线管。在此模式下，DRV8343-Q1 将在开关时自动插入死区时间，并处理过流保护 (OCP)、电池短路保护和对地短路故障保护。在独立半桥 PWM 模式下，INHx 引脚会独立控制每个半桥并支持两种输出状态：低或高。相应的 INHx 和 INLx 信号控制输出状态，如图所示。INLx 引脚用于将半桥更改为高阻抗。如果不需要高阻抗状态（高阻态），请将所有 INLx 引脚设置为逻辑高电平。

可以使用半桥和独立 MOSFET 驱动模式组合，此时两个相位处于独立半桥模式，最后一个相位处于独立 MOSFET 模式。这样可以同时分别驱动总共四个螺线管，其中两个在推挽配置，一个在高侧配置，一个在低侧配置。在这些模式下，处于独立半桥模式的两个相位控制独立的故障处理，而死区时间执行由器件完成。对于独立 MOSFET 模式下的相位，会绕过器件死区时间插入。

对于低电流应用，DRV824x-Q1 和 DRV887x-Q1 是集成式 H 半桥驱动器的系列器件，可按照 R_DSON 进行调整。这些驱动器还可以配置为在独立半桥模式下驱动两个螺线管。MOSFET 内置在器件中，以简化设计并减少布板空间。

DRV824x-Q1 系列可以支持独立半桥模式，以便驱动多种负载配置。低侧配置示例如 图 4-6 中所示。

图 4-7 显示了配置为在独立半桥模式下驱动两个螺线管的应用原理图。

表 4-3 显示了独立半桥模式的真值表。

DRV8706-Q1 是一款小型单 H 桥栅极驱动器，使用四个外部 N 沟道 MOSFET，可独立控制多达两个螺线管或继电器。图 4-8 显示了对独立半桥模式的控制。表 4-4 显示了独立半桥模式下 DRV8706-Q1 的控制表。在此模式下，器件不进行 PWM 电流调节或电流斩波。