10 修订历史记录
Timestamp Revision History Changes Intro HTMLFebruary 15, 2025 to June 26, 2025
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此“修订历史记录”列出了从 SPRSP85B 到 SPRSP85C 的更改。
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通篇:有关 TMS320F28P559SG-Q1 器件的信息现在是“量产数据”Go
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通篇:将文档状态从“除非另有说明,否则本文档包含量产数据”更改为“量产数据”。Go
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特性 部分:更新了“符合功能安全标准”与“安全相关认证”特性。添加了功能安全证书的链接。新增了脚注Go
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封装信息 表:删除了“预发布信息(非量产数据)”脚注。Go
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器件比较 表:删除了“预发布信息(非量产数据)”脚注。Go
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相关产品 部分:更新了此部分。Go
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系统电流消耗 - 启用 VREG - 内部电源 表,闪存擦除/编程部分:更新了 IDDIO 和 IDDA 的测试条件。Go
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系统电流消耗 - 禁用 VREG - 外部电源 表,闪存擦除/编程部分:更新了 IDD、IDDIO 和 IDDA 的测试条件。Go
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I/O POR(上电复位)监视器部分:添加了“注释”Go
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I/O BOR(欠压复位)监视器部分:删除了有关 I/O POR 跳闸的注释。Go
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外部监控器使用情况 部分:更新了“VDDIO 监控”段落。Go
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内部 VDD LDO 稳压器 (VREG) 部分:将章节标题从“内部 1.2V LDO 稳压器 (VREG)”更改为“内部 VDD LDO 稳压器 (VREG)”。更新了此部分。Go
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VDD 去耦 一节:更新了配置 1。Go
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信号引脚电源序列 部分:更新了此部分。Go
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上电复位 图:更新了图表。Go
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内部时钟频率 表:添加了 f(CLB)。Go
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闪存参数 表:将 Nwec 的说明从“每个存储体的写入/擦除周期”更改为“整个闪存的写入/擦除周期”。Go
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比较器子系统 (CMPSS) 一节:从“每个 CMPSS 包含”列表中删除了“支持与 ePWM 连接以进行二极管仿真”。Go
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eCAP 电气数据和时序 部分:添加了对 通用输入时序要求 表的引用。Go
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eQEP 方框图:更新了图Go
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串行通信接口 (SCI) 部分:删除了“此模块中的所有寄存器均为 8 位寄存器...”注释。Go
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SPI 控制器模式时序 部分:在注释中添加了“在 HS_MODE 下,最大支持 50MHz 的时钟”。Go
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存储器映射 表:更新了闪存组 4 的器件型号列。Go
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嵌入式实时分析和诊断 (ERAD) 章节:更新了此部分。Go
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直接存储器存取 (DMA) 部分:将“吞吐量:每个字四个周期,无需仲裁”更改为“吞吐量:每个字三个周期,无需仲裁”。Go