ZHCSVS1A April 2024 – September 2024 TMS320F28P550SJ , TMS320F28P559SJ-Q1
PRODMIX
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
石英晶体可以由 LCR(电感-电容-电阻)电路进行电气表示。然而,与 LCR 电路不同,晶体由于低动态电阻而具有非常高的 Q 值,并且阻尼也非常低。晶体元件如图 6-15 所示,并在下文中有相应说明。
Cm(动态电容):表示晶体的弹性。
Rm(动态电阻):表示晶体内的电阻损耗。这不是晶体的 ESR,但可以根据其他晶体元件的值进行近似计算。
Lm(动态电感):表示晶体的振动质量。
C0(并联电容):由两个晶体电极和杂散封装电容形成的电容。
CL(负载电容):这是晶体在其电极处看到的有效电容。它位于晶体外部。晶体数据表中指明的频率 ppm 通常与 CL 参数相关联。
请注意,大多数晶体制造商将 CL 指定为晶体引脚上的有效电容,而一些晶体制造商将 CL 指定为仅其中一个晶体引脚上的电容。请与晶体制造商核实 CL 的指定值,以便在计算中使用正确的值。
根据图 6-14,CL1 和 CL2 是串联的;因此,要找到晶体看到的等效总电容,必须应用电容串联公式:如果 CL1 = CL2,只需计算 [CL1]/2 即可。
建议将杂散 PCB 电容与该值相加。合理的估算值为 3pF 至 5pF,但实际值将取决于相关的 PCB。
请注意,电振荡器和晶体都需要负载电容。所选的值必须同时满足电振荡器和晶振的要求。
CL 对晶体的影响是频率牵引。如果有效负载电容低于目标值,晶体频率将增加,反之亦然。然而,频率牵引的影响通常非常小,通常会导致与标称频率相差不到 10ppm。