ZHCSYI3 July   2025 MSPM0H3216-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性（PT、RUK、RGZ、RHB、DGS32、DGS28、RGE、DGS20 封装）
    3. 6.3 信号说明
      1.      11
      2.      12
      3.      13
      4.      14
      5.      15
      6.      16
      7.      17
      8.      18
      9.      19
      10.      20
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  热性能信息
    4. 7.4  电源电流特性
      1. 7.4.1 运行/睡眠模式
      2. 7.4.2 停止/待机模式
    5. 7.5  电源时序
      1. 7.5.1 POR 和 BOR
      2. 7.5.2 电源斜坡
    6. 7.6  闪存特性
    7. 7.7  时序特性
    8. 7.8  时钟规格
      1. 7.8.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.8.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.8.3 高频晶体/时钟
      4. 7.8.4 低频晶体/时钟
    9. 7.9  数字 IO
      1. 7.9.1 电气特性
      2. 7.9.2 开关特性
    10. 7.10 ADC
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
      3. 7.10.3 线性参数
      4. 7.10.4 典型连接图
    11. 7.11 温度传感器
    12. 7.12 VREF
      1. 7.12.1 电压特性
      2. 7.12.2 电气特性
    13. 7.13 I2C
      1. 7.13.1 I2C 特性
      2. 7.13.2 I2C 滤波器
      3. 7.13.3 I2C 时序图
    14. 7.14 SPI
      1. 7.14.1 SPI
      2. 7.14.2 SPI 时序图
    15. 7.15 UART
    16. 7.16 TIMx
    17. 7.17 窗口看门狗特性
    18. 7.18 仿真和调试
      1. 7.18.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0H321x)
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA_B
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 SPI
    19. 8.19 I2C
    20. 8.20 低频子系统 (LFSS)
    21. 8.21 RTC_B
    22. 8.22 IWDT_B
    23. 8.23 WWDT
    24. 8.24 计时器 (TIMx)
    25. 8.25 器件模拟连接
    26. 8.26 输入/输出图
    27. 8.27 串行线调试接口
    28. 8.28 器件出厂常量
    29. 8.29 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.10.1 电气特性

在推荐的电源电压和自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明），所有典型值均在温度为 25°C 时测得，并且所有精度参数均使用 12 位分辨率模式测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
Vin(ADC) 模拟输入电压范围(1) 适用于所有 ADC 模拟输入引脚 0 VDD V
VR+ ADC 正基准电压 来自 VDD 的 VR+ VDD V
来自内部基准的 VR+ (VREF) 4.05 V
VR- ADC 负基准电压 0 V
Fs ADC 采样频率 RES = 0x0（12 位模式），外部基准 1.6 Msps
RES = 0x1（10 位模式），外部基准 1.77
RES = 0x2（8 位模式），外部基准 2
FS ADC 采样频率 RES = 0x0（12 位模式），内部基准 0.9 Msps
RES = 0x1（10 位模式），内部基准 1
RES = 0x2（8 位模式），内部基准 1.2
I(ADC) 流入 VDD 端子的
工作电源电流		 FS = 1.6MSPS，VR+ = VDD 350 μA
FS = 0.9MSPS，VR+ = VREF = 4.05V (包含 VREF 功耗) 400
CS/H ADC 采样保持电容 0.22 pF
Rin ADC 开关电阻 15 kΩ
ENOBDC 有效位数，DC 外部基准(2) 11 位
ENOBDC 有效位数，DC 具有过采样的外部基准 12.4 位
ENOBDC 有效位数，DC 内部基准，VR+ = VREF = 4.05V 10.3 位
ENOBAC 有效位数，AC 具有过采样的外部基准，fin = 1kHz 11.4 位
ENOBAC 有效位数，AC 外部基准(2)，fin = 5kHz 10.7 位
ENOBAC 有效位数，AC 内部基准，VR+ = VREF = 4.05V，fin = 5kHz 10.2 位
SNR 信噪比 外部基准(2) 68 dB
具有过采样的外部基准 74
内部基准，VR+ = VREF = 4.05V  64
PSRRDC 电源抑制比（直流） VDD = VDD(min) 至 VDD(max)
内部基准，VR+ = VREF = 4.05V 		 61 dB
PSRRDC 电源抑制比（直流） 外部基准电压 (4)，VDD = VDD(min) 至 VDD(max) 61 dB
PSRRAC 电源抑制比（交流） 1kHz 时 ΔVDD = 0.1V
内部基准，VR+ = VREF = 4.05V		 48.6 dB
PSRRAC 电源抑制比（交流） 1kHz 时 ΔVDD = 0.1V
外部基准，VR+ = VREF = 4.05V		 61 dB
Twakeup ADC 唤醒时间 假设内部基准处于运行状态 5 us
VSupplyMon 电源监测器分压器 (VDD/3) 精度 ADC 输入通道：电源监测器 (3) -1.5 +1.5 %
ISupplyMon 电源监测器分压器电流消耗 ADC 输入通道：电源监测器 16 uA
(1) 模拟输入电压范围必须位于所选的 ADC 基准电压范围 VR+ 至 VR- 内，才能获得有效的转换结果。
(2) 所有外部基准规格都是在 VR+ = VREF+ = VDD = 5V、VR- = VREF- = VSS = 0V 且 VREF+ 引脚上有外部 1μF 电容的条件下测得
(3) 模拟电源监测器。通道 15 上的模拟输入断开连接，并在内部连接到分压器 VDD/3。