ZHCSYI3 July 2025 MSPM0H3216-Q1
ADVANCE INFORMATION
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VIH | 高电平输入电压 | VDD ≥ 4.5V | 0.7*VDD | VDD | V | ||
| VIL | 低电平输入电压 | VDD ≥ 4.5V | -0.3 | 0.3*VDD | V | ||
| VHYS | 迟滞 | 0.1*VDD | V | ||||
| Ilkg | 高阻态漏电流 | HSIO | VDD = 5.5V | 0.79 | uA | ||
| SDIO(1)(2) | VDD = 5.5V | 0.42 | uA | ||||
| RPU | 上拉电阻 | VIN = VSS | 40 | kΩ | |||
| CI | 输入电容 | VDD = 5V | 20 | pF | |||
| VOH | 高电平输出电压 | HSIO | VDD ≥ 4.5V,|IIO|,max=6mA | VDD-0.4 | V | ||
| VOL | 低电平输出电压 | HSIO | VDD ≥ 4.5V,|IIO|,max=6mA | 0.4 | V | ||
| VOH | 高电平输出电压 | SDIO | VDD ≥ 4.5V,IOH,max = 3mA | VDD-0.4 | V | ||
| VOL | 低电平输出电压 | SDIO | VDD ≥ 4.5V,IOH,max = 3mA | 0.4 | V | ||