ZHCSYI3 July   2025 MSPM0H3216-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性（PT、RUK、RGZ、RHB、DGS32、DGS28、RGE、DGS20 封装）
    3. 6.3 信号说明
      1.      11
      2.      12
      3.      13
      4.      14
      5.      15
      6.      16
      7.      17
      8.      18
      9.      19
      10.      20
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  热性能信息
    4. 7.4  电源电流特性
      1. 7.4.1 运行/睡眠模式
      2. 7.4.2 停止/待机模式
    5. 7.5  电源时序
      1. 7.5.1 POR 和 BOR
      2. 7.5.2 电源斜坡
    6. 7.6  闪存特性
    7. 7.7  时序特性
    8. 7.8  时钟规格
      1. 7.8.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.8.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.8.3 高频晶体/时钟
      4. 7.8.4 低频晶体/时钟
    9. 7.9  数字 IO
      1. 7.9.1 电气特性
      2. 7.9.2 开关特性
    10. 7.10 ADC
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
      3. 7.10.3 线性参数
      4. 7.10.4 典型连接图
    11. 7.11 温度传感器
    12. 7.12 VREF
      1. 7.12.1 电压特性
      2. 7.12.2 电气特性
    13. 7.13 I2C
      1. 7.13.1 I2C 特性
      2. 7.13.2 I2C 滤波器
      3. 7.13.3 I2C 时序图
    14. 7.14 SPI
      1. 7.14.1 SPI
      2. 7.14.2 SPI 时序图
    15. 7.15 UART
    16. 7.16 TIMx
    17. 7.17 窗口看门狗特性
    18. 7.18 仿真和调试
      1. 7.18.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0H321x)
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA_B
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 SPI
    19. 8.19 I2C
    20. 8.20 低频子系统 (LFSS)
    21. 8.21 RTC_B
    22. 8.22 IWDT_B
    23. 8.23 WWDT
    24. 8.24 计时器 (TIMx)
    25. 8.25 器件模拟连接
    26. 8.26 输入/输出图
    27. 8.27 串行线调试接口
    28. 8.28 器件出厂常量
    29. 8.29 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3 热性能信息

热指标(1) 封装 值 单位
RθJA 结至环境热阻 LQFP-48 (PT) 77.8 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 34.2 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 49.8 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 3.1 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 49.2 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 °C/W
RθJA 结至环境热阻 VQFN-48 (RGZ) 待定 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 待定 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 待定 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 待定 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 待定 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 待定 °C/W
RθJA 结至环境热阻 VSSOP-32 (DGS32) 72.9 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 28.6 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 36.9 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 0.9 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 36.6 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 °C/W
RθJA 结至环境热阻 VQFN-32 (RHB) 待定 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 待定 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 待定 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 待定 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 待定 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 待定 °C/W
RθJA 结至环境热阻 VSSOP-28 (DGS28) 79.4 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 38.9 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 41.2 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 3.1 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 40.7 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 °C/W
RθJA 结至环境热阻 VQFN-24 (RGE) 待定 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 待定 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 待定 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 待定 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 待定 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 待定 °C/W
RθJA 结至环境热阻 VSSOP-20 (DGS20) 91.6 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 34.4 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 48.3 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 1.2 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 47.8 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 °C/W
RθJA 结至环境热阻 WQFN-20 (RUK) 待定 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 待定 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 待定 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 待定 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 待定 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 待定 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。