ZHCSYI3 July   2025 MSPM0H3216-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 功能方框图
  6. 器件比较
  7. 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性(PT、RUK、RGZ、RHB、DGS32、DGS28、RGE、DGS20 封装)
    3. 6.3 信号说明
      1.      11
      2.      12
      3.      13
      4.      14
      5.      15
      6.      16
      7.      17
      8.      18
      9.      19
      10.      20
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  热性能信息
    4. 7.4  电源电流特性
      1. 7.4.1 运行/睡眠模式
      2. 7.4.2 停止/待机模式
    5. 7.5  电源时序
      1. 7.5.1 POR 和 BOR
      2. 7.5.2 电源斜坡
    6. 7.6  闪存特性
    7. 7.7  时序特性
    8. 7.8  时钟规格
      1. 7.8.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.8.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.8.3 高频晶体/时钟
      4. 7.8.4 低频晶体/时钟
    9. 7.9  数字 IO
      1. 7.9.1 电气特性
      2. 7.9.2 开关特性
    10. 7.10 ADC
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
      3. 7.10.3 线性参数
      4. 7.10.4 典型连接图
    11. 7.11 温度传感器
    12. 7.12 VREF
      1. 7.12.1 电压特性
      2. 7.12.2 电气特性
    13. 7.13 I2C
      1. 7.13.1 I2C 特性
      2. 7.13.2 I2C 滤波器
      3. 7.13.3 I2C 时序图
    14. 7.14 SPI
      1. 7.14.1 SPI
      2. 7.14.2 SPI 时序图
    15. 7.15 UART
    16. 7.16 TIMx
    17. 7.17 窗口看门狗特性
    18. 7.18 仿真和调试
      1. 7.18.1 SWD 时序
  9. 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0H321x)
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA_B
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 SPI
    19. 8.19 I2C
    20. 8.20 低频子系统 (LFSS)
    21. 8.21 RTC_B
    22. 8.22 IWDT_B
    23. 8.23 WWDT
    24. 8.24 计时器 (TIMx)
    25. 8.25 器件模拟连接
    26. 8.26 输入/输出图
    27. 8.27 串行线调试接口
    28. 8.28 器件出厂常量
    29. 8.29 标识
  10. 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

说明

MSPM0H321x 微控制器 (MCU) 属于 MSP 高度集成的 5V 电源和 32 位 MCU 系列,该系列基于增强型 Arm®Cortex®-M0+ 内核平台,工作频率最高可达 32MHz。这些低成本 MCU 提供高性能模拟外设集成,支持 -40°C 至 125°C 的工作温度范围,并在 4.5V 的电源电压下运行。

MSPM0H321x 器件提供高达 64KB 的嵌入式闪存程序存储器和 8KB 的 SRAM。这些 MCU 包含精度高达 ±1.2% 的高速片上振荡器,无需外部晶体。其他特性包括 3 通道 DMA、CRC-16 加速器和各种高性能模拟外设(例如一个以 VDD 作为电压基准的 12 位 1.6Msps ADC 和片上温度传感器)。这些器件提供智能数字外设,例如一个 16 位高级计时器、四个 16 位通用计时器、一个窗口化看门狗计时器、一个独立看门狗计时器以及一个实时时钟 (RTC)。这些器件还提供各种通信外设,包括三个 UART、一个 SPI 和两个 I2C。这些通信外设为 LIN、IrDA、DALI、Manchester、Smart Card、SMBus 和 PMBus 提供协议支持。

TI MSPM0 系列低功耗 MCU 包含具有不同模拟和数字集成度的器件,让客户能够找到满足其工程需求的 MCU。此架构结合了多种低功耗模式,并经过优化,可在便携式测量应用中延长电池寿命。

MSPM0H321x MCU 由广泛的硬件和软件生态系统提供支持,随附参考设计和代码示例,便于您快速开始设计。开发套件包括可供购买的 LaunchPad™ 套件和适用于目标插座板的设计文件。TI 还提供免费的 MSP 软件开发套件 (SDK),该套件在 TI Resource Explorer 中作为 Code Composer Studio™ IDE 桌面版和云版组件提供。MSPM0 MCU 还通过 MSP Academy 提供广泛的在线配套资料、培训,并通过 TI E2E™ 支持论坛提供在线支持。

有关完整的模块说明,请参阅 MSPM0H 系列 32MHz 微控制器技术参考手册

表 3-1 封装信息
器件型号 (1)(3) 封装 封装尺寸(2)
M0H3216QPTRQ1 PT(LQFP,48) 9mm × 9mm
M0H3215QPTRQ1 PT(LQFP,48) 9mm × 9mm
M0H3216QRGZRQ1 RGZ(VQFN,48) 7mm × 7mm
M0H3215QRGZRQ1 RGZ(VQFN,48) 7mm × 7mm
M0H3216QRHBRQ1 RHB(VQFN,32) 5mm × 5mm
M0H3215QRHBRQ1 RHB(VQFN,32) 5mm x 5mm
M0H3216QDGS32RQ1 DGS32(VSSOP、32) 8.1mm × 4.9mm
M0H3215QDGS32RQ1 DGS32(VSSOP、32) 8.1mm × 4.9mm
M0H3216QDGS28RQ1 DGS28(VSSOP、28) 7.1mm × 4.9mm
M0H3215QDGS28RQ1 DGS28(VSSOP、28) 7.1mm × 4.9mm
M0H3216QRGERQ1 RGE(VQFN,24) 4mm x 4mm
M0H3215QRGERQ1 RGE(VQFN,24) 4mm x 4mm
M0H3216QDGS20RQ1 DGS20(VSSOP,20) 5.1mm × 4.9mm
M0H3215QDGS20RQ1 DGS20(VSSOP,20) 5.1mm × 4.9mm
M0H3216QRUKRQ1 RUK(WQFN,20) 3mm x 3mm
M0H3215QRUKRQ1 RUK(WQFN,20) 3mm x 3mm

  1. 如需所有在售产品的最新器件、封装和订购信息,请参阅节 12中的封装选项附录,或浏览 TI 网站
  2. 封装尺寸(长 × 宽)为标称值,并包括引脚(如适用)。如需包含容差的封装尺寸,请参阅 节 12 中的 机械数据
  3. 有关器件名称的更多信息,请参阅节 10.1
  4. QFN 封装提供可湿性侧面供选择。
警告:

系统级静电放电 (ESD) 保护必须符合器件级 ESD 规范,以防发生电过应力或对数据或代码存储器造成干扰。有关更多信息,请参阅 MSP430™ 系统级 ESD 注意事项,因为该应用手册中的准则也适用于 MSPM0 MCU。