ZHCSOP4 November 2024 LMK5C22212A
ADVANCE INFORMATION
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电流消耗特性 | ||||||
| IDD_TOT | 指定配置下的总电流消耗 | OUT0 至 OUT11 为 245.76MHz,LVDS 输出,BAW APLL 后分频器 = 5,启用 div2,通道分频器被旁路,禁用 DPLL2 和 APLL2。 | 750 | mA | ||
| OUT0 至 OUT11 为 245.76MHz,HSDS 输出,启用通道分频器,BAW APLL 后分频器被旁路,禁用 DPLL2 和 APLL2。 | 890 | mA | ||||
| OUT0 至 OUT11,HSDS 输出,启用 BAW APLL 和 APLL2。 | 1000 | mA | ||||
| IDD-XO | XO 输入电流消耗 | XO | 3.5 | mA | ||
| IDD-XO2X | 每个 XO 倍频器的电流消耗 | XO 倍频器(1) | 0.3 | mA | ||
| IDD-INX | 每个 DPLL 基准输入块的内核电流消耗 | IN0 | 3.6 | mA | ||
| IN1 | 3.1 | mA | ||||
| IDD-DPLL | 每个 DPLL 的电流消耗 | DPLL(2) | 55 | mA | ||
| IDD-APLL2 | APLL2 电流消耗 | APLL2 | 160 | mA | ||
| IDD-APLL1 | APLL1 电流消耗 | APLL1 | 120 | mA | ||
| IDD-ANA | 模拟偏置电流消耗 | VDDXO 电源引脚的模拟电路。器件启用时始终开启。 | 42 | mA | ||
| IDD-DIG | 数字控制电流消耗 | VDD_DIG 电源引脚的数字控制电路。器件启用时始终开启。 | 34 | mA | ||
| IDDO-CHDIV | 每个通道分频器块的电流消耗 | 12 位通道分频器 | 20 | mA | ||
| IDDO-1PPSDIV | 每个 1PPS/SYSREF 分频器块的电流消耗 | 20 位 1PPS/SYSREF 分频器 | 12 | mA | ||
| IDDO-DELAY | 每个 1PPS/SYSREF 模拟延迟块的电流消耗 | 启用模拟延迟功能 | 10 | mA | ||
| IDDO-HSDS | 每个输出驱动器的 HSDS 电流消耗 | HSDS 缓冲器(VCM 电平 = s1,Iout = 4mA,100Ω 终端) | 19 | mA | ||
| HSDS 缓冲器(VCM 电平 = s1,Iout = 7mA,100Ω 终端) | 22 | mA | ||||
| HSDS 缓冲器(VCM 电平 = s1,Iout = 10mA,100Ω 终端) | 25 | mA | ||||
| IDDO-HCSL | 每个输出驱动器的 HCSL 电流消耗 | HCSL 输出(每侧 50Ω 终端) | 30.5 | mA | ||
| IDD_PD | 断电电流消耗 | 器件断电,PD# = 低电平 | 90 | 110 | mA | |
| 基准输入特性 (INx) | ||||||
| fIN | INx 频率范围 | 单端输入 | 0.5E-6 | 200 | MHz | |
| 差分输入 | 5 | 800 | ||||
| VIH | 单端输入高电压 | 直流耦合输入模式 (3) | 1.2 | VDD + 0.3 | V | |
| VIL | 单端输入低电平 | 0.5 | V | |||
| VIN-SE-PP | 单端输入电压摆幅 | 交流耦合输入模式 (4) | 0.4 | 2 | Vpp | |
| VIN-DIFF-PP | 差分输入电压摆幅 | 交流或直流耦合输入 (5) | 0.4 | 2 | Vpp | |
| VICM | 输入共模 | 直流耦合差分输入 (6) | 0.1 | 2 | V | |
| dV/dt | 输入压摆率 | 单端输入 | 0.2 | 0.5 | V/ns | |
| 差分输入 | 0.2 | 0.5 | V/ns | |||
| IDC | 输入时钟占空比 | 非 1PPS 信号 | 40 | 60 | % | |
| tPULSE-1PPS | 输入的 1PPS 脉冲宽度 | 1PPS 或脉冲信号 | 100 | ns | ||
| IIN-DC | 直流输入漏电流 | 单引脚 INx_P 或 INx_N,禁用 50Ω 和 100Ω 内部终端,启用或禁用交流耦合模式 | -350 | 350 | µA | |
| CIN | 输入电容 | 单端,每个引脚 | 2 | pF | ||
| XO/TCXO 输入特性 (XO) | ||||||
| fCLK | XO 输入频率范围 (7) | 10 | 156.25 | MHz | ||
| VIH | LVCMOS 输入高电压 | 直流耦合输入模式 (8) | 1.4 | VDD + 0.3 | V | |
| VIL | LVCMOS 输入低电压 | 0.8 | V | |||
| VIN-SE | 单端输入电压摆幅 | 交流耦合输入模式 (9) | 0.4 | VDD + 0.3 | Vpp | |
| dV/dt | 输入压摆率 | 0.2 | 0.5 | V/ns | ||
| IDC | 输入占空比 | 40 | 60 | % | ||
| IIN-DC | 直流输入漏电流 | 单引脚 XO_P,禁用 50Ω 和 100Ω 内部终端 | -350 | 350 | µA | |
| CIN | 每个引脚上的输入电容 | 1 | pF | |||
| CEXT | 外部交流耦合电容 | 10 | nF | |||
| APLL/VCO 特性 | ||||||
| fPFD | PFD 频率范围 | BAW APLL 分数反馈分频器 | 110 | MHz | ||
| APLL2 分数反馈分频器 | 125 | MHz | ||||
| fVCO2 | VCO2 频率范围 | 5595 | 5950 | MHz | ||
| fVCO1 | VCO1 频率范围 | 2457.35 | 2457.6 | 2457.85 | MHz | |
| tAPLL2-LOCK | APLL2 锁定时间 | 软/硬复位与稳定 APLL2 输出之间的时间。 | 350 | 460 | ms | |
| tBAW APLL-LOCK | BAW APLL 锁定时间 | 软复位或硬复位与稳定 BAW APLL 输出之间的时间。 | 12.5 | 13 | ms | |
| HSDS 输出特性 (OUTx) | ||||||
| fOUT | 输出频率范围 | 1E–6 | 1250 | MHz | ||
| VOUT-DIFF | 差分输出摆幅 | 2×VOD-HSDS | mVpp | |||
| VOD-HSDS | HSDS 输出电压摆幅 | fout < 100MHz,Iout = 4mA | 350 | 400 | 440 | mV |
| fout < 100MHz,Iout = 7mA | 625 | 700 | 750 | mV | ||
| fout < 100MHz,Iout = 10mA | 900 | 975 | 1050 | mV | ||
| 100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 4mA | 335 | 400 | 445 | mV | ||
| 100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 5mA | 425 | 500 | 575 | mV | ||
| 100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 6mA | 510 | 600 | 690 | mV | ||
| 100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 7mA | 595 | 700 | 805 | mV | ||
| 100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 8mA | 680 | 800 | 920 | mV | ||
| 100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 9mA | 765 | 900 | 1035 | mV | ||
| 100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 10mA | 850 | 1000 | 1150 | mV | ||
| 325MHz < fout ≤ 800MHz,Iout = 4mA | 300 | 350 | 400 | mV | ||
| 325MHz < fout ≤ 800MHz,Iout = 7mA | 580 | 640 | 700 | mV | ||
| 325MHz < fout ≤ 800MHz,Iout = 10mA | 800 | 865 | 940 | mV | ||
| 800MHz < fout ≤ 1250MHz,Iout = 4mA | 235 | 320 | 400 | mV | ||
| 800MHz < fout ≤ 1250MHz,Iout = 7mA | 480 | 625 | 740 | mV | ||
| 800MHz < fout ≤ 1250MHz,Iout = 10mA | 600 | 800 | 1000 | mV | ||
| VOH | 输出电压高电平 | VOL + VOD | mVpp | |||
| VOL | 输出电压低电平 | VCM 电平 = s1 | 50 | 150 | 250 | mV |
| VCM 电平 = s2+3 | 300 | 470 | 720 | mV | ||
| VCM | 输出共模电压 | VCM 电平 = s1 或 s2+3 | VOL + VOD/2 | V | ||
| VCM 电平 = s2,Iout = 4mA | 0.6 | 0.7 | 0.8 | V | ||
| VCM 电平 = s3,Iout = 4mA | 1.125 | 1.25 | 1.375 | V | ||
| tSKEW | 输出偏斜 (13) | 相同的 APLL,相同的后分频器和通道分频器值,相同的组 | 50 | ps | ||
| 相同的 APLL,相同的后分频器和通道分频器值,组之间 | 80 | ps | ||||
| tR/tF | 上升/下降时间 | fOUT < 100MHz,20% 至 80%,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 200 | 250 | 350 | ps |
| 100MHz ≤ fOUT ≤ 325MHz,20% 至 80%,Iout ≥ 8mA,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 165 | 225 | 260 | ps | ||
| 100MHz ≤ fOUT ≤ 325MHz,20% 至 80%,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 175 | 230 | 300 | ps | ||
| 325MHz < fOUT ≤ 800MHz,20% 至 80%,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 150 | 215 | 285 | ps | ||
| 800MHz < fOUT ≤ 1250MHz,20% 至 80%,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 120 | 205 | 250 | ps | ||
| ODC | 输出占空比 | 48 | 52 | % | ||
| HCSL 输出特性 (OUTx) | ||||||
| fOUT | 输出频率范围 | HSCL 输出模式 | 25 | 100 | 650 | MHz |
| VOL | 输出电压低电平 | -150 | 0 | 150 | mV | |
| VOH | 输出电压高电平 | 600 | 750 | 900 | mV | |
| VMIN | 输出电压最小值 | 包括下冲 | -300 | 0 | 150 | mV |
| VMAX | 输出电压最大值 | 包括过冲 | 600 | 750 | 1150 | mV |
| dV/dt | 差分输出压摆率 | 中心点附近 ±150mV,OUT_x_CAP_EN = 1,CL = 2pF | 2 | 4 | V/ns | |
| dV/dt | 差分输出压摆率 | 中心点附近 ±150mV,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 3 | 5 | V/ns | |
| tSKEW | 输出偏斜 (13) | 相同的 APLL,相同的后分频器和通道分频器值,相同的组 | 50 | ps | ||
| 相同的 APLL,相同的后分频器和通道分频器值,组之间 | 80 | ps | ||||
| VCROSS | 绝对电压交叉点 | fOUT = 100MHz | 300 | 500 | mV | |
| ΔVCROSS | 电压交叉点变化 | fOUT = 100MHz | 75 | mV | ||
| ODC | 输出占空比 | 45 | 55 | % | ||
| 1.8V LVCMOS 输出特性(OUT0、OUT1) | ||||||
| fOUT | 输出频率范围 | 1E–6 | 200 | MHz | ||
| VOH | 输出高电压 | IOH = -2mA | 1.5 | V | ||
| VOL | 输出低电压 | IOL = 2mA | 0.2 | V | ||
| tR/tF | 输出上升/下降时间 | 20% 至 80% | 150 | ps | ||
| tSK | 输出到输出偏斜 | OUT0_P、OUT0_N、OUT1_P、OUT1_N 具有相同的极性,相同的 APLL 后分频器和输出分频器值。相同的极性和输出类型 (LVCMOS) | 60 | ps | ||
| 相同的 APLL,相同的后分频器和输出分频器值。LVCMOS 和差分输出之间的偏斜 | 0.7 | 1 | 1.3 | ns | ||
| ODC | 输出占空比 | 45 | 55 | % | ||
| ROUT | 输出阻抗 | 54 | 64 | 75 | Ω | |
| 2.65V LVCMOS 输出特性(OUT0、OUT1) | ||||||
| fOUT | 输出频率范围 | 1E–6 | 200 | MHz | ||
| VOH | 输出高电压 | IOH = -2mA | 2.3 | V | ||
| VOL | 输出低电压 | IOL = 2mA | 0.2 | V | ||
| tR/tF | 输出上升/下降时间 | 20% 至 80% | 150 | ps | ||
| tSK | 输出到输出偏斜 | OUT_P、OUT0_N、OUT1_P、OUT1_N 具有相同的极性,相同的 APLL 后分频器和输出分频器值。相同的极性和输出类型 (LVCMOS) | 60 | ps | ||
| 相同的 APLL,相同的后分频器和输出分频器值。LVCMOS 和差分输出之间的偏斜 | 0.7 | 1.0 | 1.3 | ns | ||
| PNFLOOR | 输出相位噪底 (fOFFSET > 10MHz) |
25MHz | -155 | dBc/Hz | ||
| ODC | 输出占空比 | 45 | 55 | % | ||
| ROUT | 输出阻抗 | 40 | 50 | 65 | Ω | |
| 3.3V LVCMOS GPIO 时钟输出特性(GPIO0、GPIO1、GPIO2) | ||||||
| fOUT | 最大输出频率 | GPIO1、GPIO2 | 25 | MHz | ||
| VOH | 输出高电压 | IOH = 2mA | 2.4 | V | ||
| VOL | 输出低电压 | IOL = 2mA | 0.4 | V | ||
| IIH | 输入高电流 | VIN = VDD | 100 | µA | ||
| IIL | 输出低电平电流 | VIN = 0V | -100 | µA | ||
| tR/tF | 输出上升/下降时间 | 20% 至 80%,1kΩ 连接 GND | 0.5 | 1.3 | 2.6 | ns |
| tSK | 输出到输出偏斜 | 相对于 OUT0_P、OUT0_N、OUT1_P、OUT1_N CMOS 输出的 GPIO1、GPIO2 输出偏斜。GPIOx_SEL = 115 fout = 100kHz |
7.5 | 11 | ns | |
| ODC | 输出占空比 | 45 | 55 | % | ||
| ROUT | 输出阻抗 | 35 | 42 | 50 | Ω | |
| PLL 输出时钟噪声特性 | ||||||
| RJAPLL1 | APLL1 输出的 12kHz 至 20MHz 积分 RMS 抖动 | XO = 48MHz,fout = 1228.8MHz,后分频器 P1APLL1 = 2,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV (10) | 45 | fs | ||
| XO = 48MHz,fout = 614.4MHz,后分频器 P1APLL1 = 4,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV (10) | 35 | 50 | fs | |||
| XO = 48MHz,fout = 491.52MHz,后分频器 P1APLL1 = 5,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV (10) | 40 | 57 | fs | |||
| XO = 48MHz,fout = 245.76MHz,后分频器 P1APLL1 = 10,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV (10) | 45 | 64 | fs | |||
| XO = 48MHz,fout = 245.76MHz,旁路后分频器 P1APLL1 = 1,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV (11) | 50 | 62 | fs | |||
| XO = 48MHz,fout = 122.88MHz,旁路后分频器 P1APLL1 = 1,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV (11) | 55 | 86 | fs | |||
| XO = 48MHz,fout = 245.76MHz,HSDS 输出,所有 VOD 电平(10) | 50 | 80 | fs | |||
| XO = 48MHz,fout = 122.88MHz,HSDS 输出,所有 VOD 电平(10) | 60 | 90 | fs | |||
| RJAPLL2 | APLL2 输出的 12kHz 至 20MHz 积分 RMS 抖动 | XO = 48MHz,APLL2 的 fout = 153.6MHz (VCO2 = 5836.8MHz)、155.52MHz (VCO2 = 5598.72MHz)、174.703084MHz (VCO2 = 5765.2MHz) 或 184.32MHz (VCO2 = 5898.24MHz)。 HSDS 输出,OUT4、OUT5、OUT6 和 OUT7 或 OUT2 和 OUT3 的 VOD ≥ 800mV。在所有其他输出组中,BAW APLL 输出为 156.25MHz。 |
110 | 150 | fs | |
| XO = 48MHz,APLL2 的 fout = 161.1328125MHz 或 322.265625MHz (VCO2 = 5800.78125MHz),或 212.5MHz (VCO2 = 5950MHz)。 HSDS 输出,OUT4、OUT5、OUT6 和 OUT7 的 VOD ≥ 800mV。在所有其他输出组中,BAW APLL 输出为 156.25MHz。 |
110 | 150 | fs | |||
| XO = 48MHz,APLL2 的 fout = 156.25MHz 或 125MHz (VCO2 = 5625MHz),或 100MHz (VCO2 = 5600MHz)。 HSDS 输出,OUT4、OUT5、OUT6 和 OUT7 或 OUT2 和 OUT3 的 VOD ≥ 800mV。在所有其他输出组中,BAW APLL 输出为 156.25MHz。 | 110 | 150 | fs | |||
| PSNRVDDO_0_1 | 电源噪声抑制 VDD_0_1 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 AC-LVPECL 输出。(12) | -105 | dBc | ||
| PSNRVDDO_2_3 | 电源噪声抑制 VDD_2_3 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 AC-LVPECL 输出。(12) | -105 | dBc | ||
| PSNRVDDO_4_7 | 电源噪声抑制 VDDO_4_7 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 AC-LVPECL 输出。(12) | -110 | dBc | ||
| PSNRVDDO_8_11 | 电源噪声抑制 VDDO_8_11 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 AC-LVPECL 输出。(12) | -110 | dBc | ||
| PSNRVDD_XO | 电源噪声抑制 VDD_XO | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 AC-LVPECL 输出。(12) | -100 | dBc | ||
| PSNRVDD_APLL2 | 电源噪声抑制 VDD_APLL2 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 AC-LVPECL 输出。(12) | -105 | dBc | ||
| PSNRVDD_APLL1 | 电源噪声抑制 VDD_APLL1 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 AC-LVPECL 输出。(12) | -105 | dBc | ||
| PSNRVDD_DIG | 电源噪声抑制 VDD_DIG | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 AC-LVPECL 输出。(12) | -120 | dBc | ||
| PCIe 抖动特性 | ||||||
| JPCIE-Gen1-CC | PCIe 第 1 代 (2.5GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 0.8 | 5 | ps p-p | |
| JPCIE-Gen2-CC | PCIe 第 2 代 (5.0GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 85 | 250 | fs RMS | |
| JPCIe-Gen3-CC | PCIe 第 3 代 (8GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 25 | 100 | fs RMS | |
| JPCIe-Gen4-CC | PCIe 第 4 代 (16GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 25 | 100 | fs RMS | |
| JPCIe-Gen5-CC | PCIe 第 5 代 (64GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 9 | 50 | fs RMS | |
| JPCIe-Gen6-CC | PCIe 第 6 代 (32GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 6 | 40 | fs RMS | |
| DPLL 特性 | ||||||
| fTDC | DPLLx 的 TDC 速率范围 | 1E–6 | 26 | MHz | ||
| dφ/dt | 切换期间的相位转换 | 可编程范围 | 695 | ns/s | ||
| DPLL-BW | DPLL 环路带宽 | 可编程环路带宽(17) | 1E–3 | 4000 | Hz | |
| JPK | DPLL 闭环抖动峰值 | 0.1 | dB | |||
| JTOL | 抖动容差 | 符合 G.8262 选项 1 和 2 标准。抖动调制 = 10Hz,25.78152Gbps 线路速率 | 6455 | UI p-p | ||
| DCO 特性 | ||||||
| fDCO-DPLL | DPLL DCO 频率调谐范围 | DPLLx | -200 | 200 | ppm | |
| fDCO-APLL | DCO 频率调谐范围 | BAW APLL 处于保持状态或仅 APLL 运行状态。 | -200 | 200 | ppm | |
| APLL2 处于保持状态或仅 APLL 运行状态。 | -1000 | 1000 | ppm | |||
| 零延迟模式 (ZDM) 特性 | ||||||
| fOUT-ZDM | 启用 ZDM 时的输出频率范围 | DPLL1:OUT0 或 OUT10 | 1E–6 | 1250 | MHz | |
| DPLL2:OUT0 或 OUT4 | 1E–6 | 700 | MHz | |||
| tDLY-ZDM | 启用 ZDM 时的输入至输出传播延迟 | OUT0,fIN ≤ fTDC_MAX,fOUT ≤ fTDC_MAX,DPLLx_PH_OFFSET = 172500 | 150 | ps | ||
| tDLY-VAR-ZDM | 启用 ZDM 时的输入至输出传播延迟变化 | OUT0,fIN ≤ fTDC_MAX,fOUT ≤ fTDC_MAX,DPLLx_PH_OFFSET = 0 | 65 | ±ps | ||
| 1PPS 基准特性 | ||||||
| tDPLL_FL | 采用 1PPS 基准时的 DPLL 频锁时间 | XO = 48MHz,初始误差 = ±25ppb,-180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 10mHz,频锁 Δfout ≤ ±4.6ppm | 5 | 6 | s | |
| tDPLL_PL | 采用 1PPS 基准时的 DPLL 相锁时间 | XO = 48MHz,初始误差 = ±25ppb,-180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 10mHz,DPLL LBW = 10mHz,相锁 ≤ ±100ns | 34 | 38 | s | |
| 无中断切换特性 | ||||||
| tHIT | 切换期间的相位瞬变 | INx = 1Hz,INy = 1Hz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 10mHz。 | 4 | ±ps | ||
| INx = 8kHz,INy = 8kHz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 1Hz | 19 | ±ps | ||||
| Nx = 25MHz,INy = 25MHz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 1Hz | 1.8 | ±ps | ||||
| fHIT | 切换期间的频率瞬变 | INx = 1Hz,INy = 1Hz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 10mHz | 0.85 | ±ppb | ||
| INx = 8kHz,INy = 8kHz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 1Hz | 0.45 | ±ppb | ||||
| INx = 25MHz,INy = 25MHz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 1Hz | 0.63 | ±ppb | ||||
| 可编程输出延迟特性 | ||||||
| tANA-DLY | 模拟延迟步长 (13) | BAW APLL = 2457.6MHz,VCO 后分频器 = 2,0.5 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 122.88MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 2 | 13.13 | ps | ||
| BAW APLL = 2457.6MHz,VCO 后分频器 = 1,2 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 122.88MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 5 | 26.25 | ps | ||||
| APLL2 = 5625.0MHz,VCO 后分频器 = 3,1 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 156.25MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 3 | 17.2 | ps | ||||
| APLL2 = 5625.0MHz,VCO 后分频器 = 4,1 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 156.25MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 4 | 22.9 | ps | ||||
| tANA-DLY-ERR | 模拟延迟步长误差 | BAW APLL = 2457.6MHz,VCO 后分频器 = 2,0.5 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 122.88MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 2 | -6.56 | 6.56 | ps | |
| BAW APLL = 2457.6MHz,VCO 后分频器 = 1,2 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 122.88MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 5 | -13.13 | 13.13 | ps | |||
| APLL2 = 5625.0MHz,VCO 后分频器 = 3,1 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 156.25MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 3 | -8.6 | 8.6 | ps | |||
| APLL2 = 5625.0MHz,VCO 后分频器 = 4;1 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 156.25MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 4 | -11.45 | 11.45 | ps | |||
| tANA-DLY-RANGE | 模拟延迟范围 | 31 × tANA-DLY | ps | |||
| tANA-DLY-ACC | 模拟延迟精度 | 在模拟延迟范围内任何设置 N = 0 至 31 的模拟延迟绝对精度。ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 3、4、5 时,实际值相对于预期值 N × tANA-DLY-STEP 的最坏情况误差 | -25 | 25 | ps | |
| tANA-DLY-LIN | 模拟延迟线性度 (15) | ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 2 | 333 | 450 | ps | |
| ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 3 | 450 | 600 | ps | |||
| ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 4 | 600 | 750 | ps | |||
| ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 5 | 750 | 1050 | ps | |||
| tDIG-DLY | 数字延迟步长 | VCO 后分频器频率输出 = 2457.6MHz,半步设置 | 196.6 | ps | ||
| VCO 后分频器频率输出 = 2457.6MHz,全步设置 | 786.4 | ps | ||||
| 3 电平逻辑输入特性(GPIO0、GPIO1、GPIO2、SCS_ADD) | ||||||
| VIH | 输入高电压 | 1.4 | V | |||
| VIM | 输入中电压 | 0.6 | 0.95 | V | ||
| VIM | 输入中电压自偏置 | 输入悬空、使用内部辅助电源且 PD# 下拉至低电平 | 0.7 | 0.9 | V | |
| RIM-PD | 用于中电平自偏置的内部下拉电阻 (16) | 145 | 163 | 180 | kΩ | |
| RIM-PU | 用于中电平自偏置的内部上拉电阻 (16) | 470 | 526 | 580 | kΩ | |
| VIL | 输入低电压 | 0.4 | V | |||
| IIH | 输入高电流 | VIH = VDD | -40 | 40 | µA | |
| IIL | 输入低电流 | VIL = GND | -40 | 40 | µA | |
| CIN | 输入电容 | 2 | pF | |||
| 2 电平逻辑输入特性(PD#、SCK、SDIO、SCS_ADD;上电后的 GPIO0、GPIO1 和 GPIO2) | ||||||
| VIH | 输入高电压 | 1.2 | V | |||
| VIL | 输入低电压 | 0.4 | V | |||
| IIH | 输入高电流 | VIH = VDD,PD# 除外 | -40 | 40 | µA | |
| IIL | 输入低电流 | VIL = GND,PD# 除外 | -40 | 40 | µA | |
| IIH | 输入高电流 | VIH = VDD,PD 号带内部 200kΩ 上拉电阻 | -57 | 24 | µA | |
| IIL | 输入低电流 | VIL = GND,PD 号带内部 200kΩ 上拉电阻 | -57 | 24 | µA | |
| tWIDTH | 用于 GPIO SYNC、SYSREF 请求、TEC 触发器、DPLL 输入选择、FDEV 触发器和 FDEV_dir 的输入脉冲宽度 | 单调边沿 | 200 | ns | ||
| CIN | 输入电容 | 2 | pF | |||
| 逻辑输出特性(GPIO0、GPIO1、GPIO2、SDIO) | ||||||
| VOH | 输出高电压 | IOH = 1mA | 2.4 | V | ||
| VOL | 输出低电压 | IOL = 1mA | 0.4 | V | ||
| tR/tF | 输出上升/下降时间 | 20% 至 80%,LVCMOS 模式,1kΩ 至 GND | 500 | ps | ||
| 开漏输出(GPIO0、GPIO1、GPIO2、SDA) | ||||||
| VOL | 输出低电平 | IOL = 3mA | 0.3 | V | ||
| IOL = 6mA | 0.6 | V | ||||
| IOH | 输出泄漏电流 | -15 | 15 | µA | ||
| SPI 时序要求(SDIO、SCK、SCS_ADD) | ||||||
| fSCK | SPI 时钟频率 | 20 | MHz | |||
| SPI 时钟速率;在 SRAM 读取和写入操作期间 | 5 | 10 | MHz | |||
| t1 | SCS 至 SCK 设置时间(开始通信周期) | 10 | ns | |||
| t2 | SDI 至 SCK 设置时间 | 10 | ns | |||
| t3 | SDI 至 SCK 保持时间 | 10 | ns | |||
| t4 | SCK 高电平时间 | 25 | ns | |||
| t5 | SCK 低电平时间 | 25 | ns | |||
| t6 | SCK 至 SDO 有效读回数据 | 20 | ns | |||
| t7 | SCS 脉冲宽度 | 20 | ns | |||
| t8 | SCK 至 SCS 设置时间(结束通信周期) | 10 | ns | |||
| I2C 时序要求(SDA、SCL) | ||||||
| VIH | 输入高电压 | 1.2 | V | |||
| VIL | 输入低电压 | 0.5 | V | |||
| IIH | 输入漏电流 | -15 | 15 | µA | ||
| CIN | 输入电容 | 2 | pF | |||
| VOL | 输出低电压 | IOL = 3mA | 0.3 | V | ||
| VOL | 输出低电压 | IOL = 6mA | 0.6 | V | ||
| fSCL | I2C 时钟速率 | 标准 | 100 | kHz | ||
| 快速模式 | 400 | |||||
| tSU(START) | START 条件建立时间 | 在 SDA 为低电平之前 SCL 为高电平 | 0.6 | µs | ||
| tH(START) | START 条件保持时间 | 在 SDA 为低电平之后 SCL 为低电平 | 0.6 | µs | ||
| tW(SCLH) | SCL 脉冲宽度高电平 | 0.6 | µs | |||
| tW(SCLL) | SCL 脉冲宽度低电平 | 1.3 | µs | |||
| tSU(SDA) | SDA 设置时间 | 100 | ns | |||
| tH(SDA) | SDA 保持时间 | 在 SCL 为低电平之后 SDA 有效 | 0 | 0.9 | µs | |
| tR(IN) | SDA/SCL 输入上升时间 | 300 | ns | |||
| tF(IN) | SDA/SCL 输入下降时间 | 300 | ns | |||
| tF(OUT) | SDA 输出下降时间 | CBUS ≤ 400pF | 300 | ns | ||
| tSU(STOP) | STOP 条件建立时间 | 0.6 | µs | |||
| tBUS | STOP 和 START 之间的总线空闲时间 | 1.3 | µs | |||
| tVD-DAT | 数据有效时间 | 0.9 | µs | |||
| tVD-ACK | 数据有效确认时间 | 0.9 | µs | |||
| EEPROM 特性 | ||||||
| nEE-CYC | EEPROM 编程周期 | 100 | 周期 | |||
| tSRAM-R/W | EEPROM SRAM 字节间读取/写入延时时间 | 0 | ms | |||