ZHCSXB6B November 2024 – September 2025 F29H850TU , F29H859TU-Q1
ADVMIX
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
| 编号 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| EtherCAT | ||||||
| tc(ECATCLK) | ECATCLK 周期时间 | 10 | ns | |||
| MII1 | tc(TXCLK) | ESC_TXy_CLK 周期时间 | 40 | ns | ||
| MII2/MII3 | tw(TXCK) | ESC_TXy_CLK 高电平或低电平的脉冲持续时间 | 16 | 24 | ns | |
| MII4 | tc(RXCK) | ESC_RXy_CLK 周期时间 | 40 | ns | ||
| MII5/MII6 | tw(RXCK) | ESC_RXy_CLK 高电平或低电平的脉冲持续时间 | 16 | 24 | ns | |
| MII8 | tsu(RXDV-RXCKH) | ESC_RXy_CLK 高电平之前接收信号有效的建立时间 | 10 | ns | ||
| MII9 | th(RXCKH-RXDV) | ESC_RXy_CLK 高电平之后接收信号有效的保持时间 | 2 | ns | ||
| MDIO | ||||||
| MDIO4 | tsu(MDV-MCKH) | ESC_MDIO_CLK 高电平之前 ESC_MDIO_DATA 有效的建立时间 | 20 | ns | ||
| MDIO5 | th(MCKH-MDV) | ESC_MDIO_CLK 高电平之后 ESC_MDIO_DATA 有效的保持时间 | -1 | ns | ||