ZHCSUP3A June   2024  – April 2025 BQ41Z50

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 引脚等效图
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电源电流
    6. 5.6  电源控制
    7. 5.7  低压降稳压器
    8. 5.8  内部振荡器
    9. 5.9  电压基准
    10. 5.10 电流唤醒检测器
    11. 5.11 VC0、VC1、VC2、VC3、VC4，PACK
    12. 5.12 电芯均衡支持
    13. 5.13 SMBD、SMBC
    14. 5.14 PRES/SHUTDN，DISP
    15. 5.15 ALERT
    16. 5.16 LEDCNTLA、LEDCNTLB、LEDCNTLC
    17. 5.17 库仑计
    18. 5.18 库仑计数字滤波器 (CC1)
    19. 5.19 电流测量数字滤波器 (CC2)
    20. 5.20 模数转换器
    21. 5.21 ADC 数字滤波器
    22. 5.22 CHG、DSG 高侧 NFET 驱动器
    23. 5.23 预充电 (PCHG) FET 驱动器
    24. 5.24 FUSE 驱动器
    25. 5.25 内部温度传感器
    26. 5.26 TS1、TS2、TS3、TS4
    27. 5.27 闪存存储器
    28. 5.28 OT、SCD、OCC、OCD1、OCD2 保护阈值 (SCOMP)
    29. 5.29 OT、SCD、OCC、OCD1、OCD2 保护时间 (SCOMP)
    30. 5.30 GPIO1、GPIO2、GPIO3、GPIO4、GPIO5、GPIO6、GPIO7
    31. 5.31 椭圆曲线加密 (ECC)
    32. 5.32 SMBus 接口时序
    33. 5.33 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 初级（一级）安全特性
      2. 6.3.2 次级（二级）安全特性
      3. 6.3.3 充电控制特性
      4. 6.3.4 Gas Gauging
      5. 6.3.5 寿命数据记录特性
      6. 6.3.6 身份验证
      7. 6.3.7 配置
        1. 6.3.7.1 振荡器功能
        2. 6.3.7.2 实时时钟
        3. 6.3.7.3 系统存在运行
        4. 6.3.7.4 紧急关断
        5. 6.3.7.5 2、3 或 4 节串联电芯配置
        6. 6.3.7.6 电芯均衡
        7. 6.3.7.7 LED 显示
      8. 6.3.8 电池参数测量
        1. 6.3.8.1 充电和放电计数
        2. 6.3.8.2 电压
        3. 6.3.8.3 电流
        4. 6.3.8.4 温度
        5. 6.3.8.5 通信
          1. 6.3.8.5.1 SMBus 开启和关闭状态
          2. 6.3.8.5.2 SBS 命令
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 高电流路径
          1. 7.2.2.1.1 保护 FET
          2. 7.2.2.1.2 化学保险丝
          3. 7.2.2.1.3 锂离子电芯连接
          4. 7.2.2.1.4 检测电阻
          5. 7.2.2.1.5 降低 ESD
        2. 7.2.2.2 电量监测计电路
          1. 7.2.2.2.1 库伦计数接口
          2. 7.2.2.2.2 低压降稳压器 (LDO)
            1. 7.2.2.2.2.1 REG18
            2. 7.2.2.2.2.2 REG135
          3. 7.2.2.2.3 系统存在
          4. 7.2.2.2.4 SMBus 通信
          5. 7.2.2.2.5 FUSE 电路
        3. 7.2.2.3 次级电流保护
          1. 7.2.2.3.1 电芯和电池输入
          2. 7.2.2.3.2 外部电芯均衡
          3. 7.2.2.3.3 PACK 和 FET 控制
          4. 7.2.2.3.4 温度测量
          5. 7.2.2.3.5 LED
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 配置器件固件
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 保护器 FET 旁路电容器和电池包端子旁路电容器
      2. 9.1.2 ESD 火花隙
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.22 CHG、DSG 高侧 NFET 驱动器

所述典型值的条件是 TA = 25°C 且 VBAT = 14.4V，最小值/最大值的条件是 TA = -40°C 至 85°C 且 VBAT = 3.0V 至 28V（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
VFETON相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 BAT 的 DSG 引脚电压，5V ≤ VBAT ≤ 28V，VPACK ≤ VDSGCHG/DSG CL = 10nF，RL = 10MΩ，ILEAK = 100nA8.51012V
VFETON_LOBAT 相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 BAT 的 DSG 引脚电压，VSWITCHOVER- (MAX) ≤ VBAT < 5V，VPACK ≤ VDSG TA = -25°C 至 65°C，CHG/DSG CL = 10nF，RL = 10MΩ，ILEAK = 100nA 3.95 12 V
VFETON_LOBAT 相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 BAT 的 DSG 引脚电压，VSWITCHOVER- (MAX) ≤ VBAT < 5V，VPACK ≤ VDSG CHG/DSG CL = 10nF，RL = 10MΩ，ILEAK = 100nA 3.3 12 V
VCHGFETOFF相对于 BAT 的 CHG 关断电压CHG/DSG CL = 10nF，RL = 10MΩ，稳态值0.4V
VDSGFETOFF 相对于 PACK 的 DSG 关断电压 CHG/DSG CL = 10nF，RL = 10MΩ，稳态值 0.7 V
tFET_ONCHG 和 DSG 上升时间CHG/DSG CL = 10nF，RL = 10MΩ，RGATE = 5.1kΩ，0V 至 4V 栅源过驱，VBAT = VCC ≥ 3.6V90200µs
tFET_OFFDSG 下降时间VBAT = VCC ≥ 3.6V，DSG CL = 10nF，RL = 10MΩ，RGATE = 5.1kΩ，V(FETON) 的 90% 至 15%140250µs
VBAT = VCC < 3.6V，DSG CL = 10nF，RL = 10MΩ，RGATE = 5.1kΩ，V(FETON) 的 90% 至 15% 140 400
CHG 下降时间VBAT = VCC ≥ 3.6V，CHG CL = 10nF，RL = 10MΩ，RGATE = 5.1kΩ，V(FETON) 的 90% 至 15%110160
VBAT = VCC < 3.6V，CHG CL = 10nF，RL = 10MΩ，RGATE = 5.1kΩ，V(FETON) 的 90% 至 15% 110 160