ZHCSUP3A June 2024 – April 2025 BQ41Z50
PRODUCTION DATA
PACK 和 VCC 输入通过充电器为 BQ41Z50 供电。PACK 输入还提供了一种测量和检测充电器是否存在的方法。
N 沟道充电和放电 FET 由 5.1kΩ 串联栅极电阻控制,其开关时间常数为几微秒。10MΩ 电阻可确保在 FET 驱动器断开连接时 FET 关断。
Q4 用于在充电器反接时保护放电 FET (Q3)。如果没有 Q4,Q3 会被驱动到其线性区域,并在 PACK+ 输入变为轻微负值时受到严重损坏。在这种情况下,Q4 导通,通过将 Q3 栅极与源极短接来保护 Q3。要使用简单的接地栅极电路,FET 必须具有低栅极导通阈值。如果需要使用更标准的器件,例如以 2N7002 作为参考原理图,则应使用高阻值电阻将栅极偏置至 3.3V。
BQ41Z50 器件能够提供一个限流充电路径,通常用于低电池电压或低温充电。BQ41Z50 器件使用由 PCHG 控制的外部 P 沟道预充电 FET (Q1)。