ZHDS400A December 2024 – September 2026 BQ25751
PRODUCTION DATA
当器件转换为仅电池模式时,BATFET 通过理想二极管控制(如果 EN_BATFET_IDEAL_DIODE = 1)导通,以防止在系统电压高于电池电压时反向电流流入电池。BATFET 栅极采用较高电压进行调节,以降低 RDSON,直到 BATFET 完全导通。此时,BATFET VDS 随着放电电流线性增加。
系统说明:理想二极管模式可能需要很长时间才能启用 FET,因此仅建议在使用带有体二极管的单个 BATFET 来支持转换时使用。当禁用理想二极管模式 (EN_BATFET_IDEAL_DIODE = 0) 时,器件通过 IBATDRV_REG 导通 BATFET 栅极。这为 BATFET 提供了快速导通转换。理想二极管模式还会在环路处于稳压状态时消耗来自电池的较高静态电流。