ZHDS400A December 2024 – September 2026 BQ25751
PRODUCTION DATA
外部 N 沟道 MOSFET 用于电源路径传输。VAC 侧的 MOSFET 称为 ACFET,VBAT 侧的 MOSFET 称为 BATFET。
选择这些 MOSFET 的适当权衡取决于 SOA 特性。所有 FET 都遵循相同的趋势,因此可在所有位置使用同一 FET,进行常规运行和电源路径切换。必须选择一个 MOSFET,它不仅能够在直流条件下电压为 VDS 时提供接近 10A 的漏极电流,而且能够在 10μs 条件下电压为 30V VDS 时提供不中断的 100A 漏极电流。此外,SOA 特性使最大结温必须至少为 125°C。为此应用选择的 FET 是 AON6276,可以承受从 VAC 到 VBAT 的高达 30V 的电压摆幅,反之亦然。
尽管使用了坚固的高 SOA MOSFET,但仍必须限制可从电池流向系统负载的最大电流量。这是通过将电源路径过流保护设置为 15A 限值来实现的。这意味着成功实现从 VAC 到 VBAT 的电源路径传输的最大负载为 15A。此外还必须注意,在 VAC > VBAT 的情况下,ACUV 必须设置为介于 VAC 和 VBAT 之间的值。在 VBAT > VAC 的情况下,ACUV 必须设置为刚好低于 VAC。
在某些特殊情况下,电池必须突然以非常高的电压插入系统,这会导致大浪涌电流。此情况称为电池热插拔。在这种应用中,我们建议将 BATFET 替换为 NTMFSC4D2N10MC FET。这些 FET 具有更高的阈值电压,非常适合热插拔应用。对于热插拔应用,EVM 上的 R9 和 C36 必须分别安装 10Ω 电阻器和 10nF 电容器。这可防止电流突然上升和击穿,保护 FET 免受损坏。