UCC27210
- 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 最大引导电压 120V 直流
- 4A 吸收,4A 源输出电流
- 0.9Ω 上拉和下拉电阻
- 输入引脚能够耐受 -10V 至 20V 的电压,并且与电源电压范围无关
- 晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本
- 8V 至 17V VDD 运行范围(绝对最大值 20V)
- 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载时)
- 短暂传播延迟时间(典型值 18ns)
- 2ns 延迟匹配
- 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
- 可提供全部行业标准封装(小外形尺寸集成电路 (SOIC)-8 封装, PowerPADSOIC-8 封装,4mm × 4mm SON-8 封装以及 4mm × 4mm SON-10 封装)
- -40℃ 至 140℃ 的额定温度范围
应用
- 针对电信,数据通信和商用的电源
- 半桥和全桥转换器
- 推挽转换器
- 高电压同步降压转换器
- 两开关正激式转换器
- 有源箝位正激式转换器
- D 类音频放大器
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UCC27210 和 UCC27211 驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器,但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω,因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在,输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有 20V 的最大额定值。
UCC2721x 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 -18V 电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210(伪 CMOS 输入)和 UCC27211(TTL 输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器接口的抗扰度得到了增强。
低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 2ns 的延迟匹配。
由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。
两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPAD SOIC-8 (DDA)、4mm × 4mm SON-8 (DRM) 和 SON-10 (DPR) 封装。
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | UCC2721x 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器 数据表 (Rev. F) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.F) | PDF | HTML | 2016年 8月 15日 |
应用手册 | 了解并比较栅极驱动器的峰值电流能力 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022年 5月 19日 | |
应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||||
更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
更多文献资料 | Improving System Efficiency With a New Intermediate-Bus Architecture | 2011年 9月 20日 |
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