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UCC21540-Q1

正在供货

具有禁用功能、可编程死区时间的汽车级增强型 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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功能优于比较器件,可直接替换。
UCC21550-Q1 正在供货 具有禁用功能、可编程死区时间的汽车级增强型 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 Improved CMTI, faster VDD startup

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)

UCC21540-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21540-Q1 器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括:可通过电阻器编程的死区时间;通过禁用功能同时关闭两路输出;以及在输入引脚上对高达 -5V 的尖峰进行 50ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

UCC21540-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21540-Q1 器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括:可通过电阻器编程的死区时间;通过禁用功能同时关闭两路输出;以及在输入引脚上对高达 -5V 的尖峰进行 50ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

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顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC21540-Q1 具有 3.3mm 通道间距选项的 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024-10-2
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) 2026-7-15
应用手册 栅极驱动器电路中窄脉冲宽度的影响 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024-1-26
证书 UCC21540 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023-8-17
应用简报 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022-11-14
证书 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019-7-22

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC21540EVM — 通道间距为 3.3mm 的 5.0kVrms 隔离双通道栅极驱动器评估模块

UCC21540EVM 适用于评估 UCC21540,后者是一种具备 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流能力的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作功率 MOSFET 的驱动参考设计,具备高达 18V 的驱动电压、UCC21540 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UCC21540 PSpice Transient Model

SLUM656.ZIP (19 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian

订购和质量

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