UCC21550-Q1
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通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度 1 级
- 结温范围：–40°C 至 +150°C
- 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 5V、8V、12V VDD UVLO 选项
- 开关参数：
- 33ns 典型传播延迟
- 5ns 最大脉宽失真
- 10µs 最大 VDD 上电延迟
- 针对所有电源的 UVLO 保护
- 可针对电源时序快速禁用
UCC21550-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。
UCC21550-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。
保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。
凭借所有这些高级特性，UCC21550-Q1 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | UCC21550x-Q1 汽车类 4A、6A 增强型隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. D) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2024-9-30 |
| 证书 | VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) | 2026-7-15 | ||||
| 证书 | CQC Certificate for UCC21551xx | 2024-8-27 |
设计与开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块
UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW，后者是一种具备 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流能力的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可以作为驱动功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计，具备 UCC21520 引脚功能识别、元件选择指南以及 PCB 布局示例。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
| SOIC (DWK) | 14 | Ultra Librarian |
订购和质量
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