产品详细信息

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 14.7 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 14.7 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SOIC (DWK) 14 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 6ns 最大脉宽失真度
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kVPK
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流,6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 工作温度范围:–40 至 +125°C
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离(计划)
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准(计划)
    • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证(计划)
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 6ns 最大脉宽失真度
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kVPK
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流,6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 工作温度范围:–40 至 +125°C
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离(计划)
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准(计划)
    • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证(计划)
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可驱动高达 5MHz 的 IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借上述所有高级 功能,UCC21530-Q1 可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和 稳健性。

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可驱动高达 5MHz 的 IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借上述所有高级 功能,UCC21530-Q1 可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和 稳健性。

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可提供 UCC21530-Q1 安全手册和安全时基故障率报告。立即申请

设计和开发

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评估板

UCC21530EVM-286 — UCC21530 隔离式双通道驱动器评估模块

UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK,后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能(高电平有效)功能和 3.3mm 通道间爬电间隙的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。
TI.com 無法提供
仿真模型

UCC21530 PSpice Transient Model UCC21530 PSpice Transient Model

模拟工具

PSPICE-FOR-TI 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

TIDM-02009 — 经过 ASIL D 等级功能安全认证的高速牵引和双向直流/直流转换参考设计

此参考设计演示了如何通过一个 TMS320F28388D 实时 C2000™ MCU 控制 HEV/EV 牵引逆变器和双向直流/直流转换器。牵引控制利用基于软件的旋转变压器转数字转换器 (RDC),使电机转速高达 20,000RPM。直流/直流转换器结合了峰值电流模式控制 (PCMC) 技术、相移全桥 (PSFB) 拓扑以及同步整流 (SR) 机制。牵引逆变器级采用碳化硅 (SiC) 功率级,由 UCC5870-Q1 智能栅极驱动器驱动。利用比较器子系统 (CMPSS) 中先进的 PWM 模块和内置斜坡补偿功能,可生成 PCMC 波形。该系统基于 ASIL (...)
参考设计

TIDM-02002 — 针对 HEV/EV 车载充电器的双向 CLLLC 谐振、双有源电桥 (DAB) 参考设计

具有双向电源流功能和软开关特性的 CLLLC 谐振 DAB 是混合动力电动汽车/电动汽车 (HEV/EV) 车载充电器和能源存储应用的一种理想候选方案。此设计演示了在闭合电压和闭合电流环路模式中使用 C2000™ MCU 控制此电源拓扑。可供此设计使用的硬件和软件可帮助您
缩短产品上市时间。
参考设计

TIDA-020031 — 汽车类 400V 电池至 12V、3.6kW 直流/直流转换器参考设计

此参考设计是一款 3.6kW、400V 至 12V 的汽车单向转换器,可将 200V 至 450V 的直流输入转换为 12V、300A 的最大输出。断路器适用于过流和过压保护。转换器在高压侧采用 SiC MOSFET 进行设计,并由 5.7kVRMS 增强隔离型双通道栅极驱动器驱动。这种增强型相移全桥控制器实现了可编程延迟,可确保在多种操作条件下实现零电压开关 (ZVS)。它具有多种轻载管理特性,包括突发模式以及切入和切出不连续电流模式 (DCM) 时的动态 SR 开关控制。这种输出实现了同步整流,可实现快速瞬态响应和高环路带宽。
参考设计

TIDA-01605 — 具有两级关断保护功能的汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计

此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V 和 –4V 输出电压以及 1W 输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器实现了增强型隔离,可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS 隔离电压以及超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。此参考设计包含两级关断电路,可在短路情况下保护 MOSFET 抵御电压过冲。DESAT 检测阈值和第二级关断延迟时间是可配置的。此设计采用 (...)
参考设计

PMP21999 — 6.6 kW, bi-directional CLLLC resonant converter reference design using PCB winding transformer

此 6.6kW、双向、双有源电桥谐振转换器参考设计支持 380VDC 至 600VDC 输出和 280VDC 至 450VDC 输出。本设计采用了 PCB 绕组变压器和 Rogowski 线圈同步整流器 (SR) 控制,实现了对功率密度和效率的优化。本设计实现了一个子卡方法,包括 C2000™ 控制器 (TMDSCNCD280049C)、SiC 驱动器(PMP22001 和 PMP22002)和偏置电源 (PMP22003)。此设计拥有 500kHz 谐振频率和 300kHz 至 700kHz 操作频率,峰值效率可达到 98%。
参考设计

PMP21561 — 安全隔离式次级 SiC MOSFET 驱动器参考设计

此参考设计为汽车电池充电系统提供了一个集成式高侧和低侧隔离式次级栅极驱动器解决方案,采用了两个推挽 SN6505B 变压器驱动器和一个隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。
参考设计

PMP21553 — 安全隔离式初级 SiC MOSFET 驱动器参考设计

此参考设计为汽车电池充电系统提供了一个集成式高侧和低侧隔离式初级栅极驱动器解决方案,采用了两个推挽 SN6505B 变压器驱动器和一个隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。
封装 引脚数 下载
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频