主页 电源管理 栅极驱动器 隔离式栅极驱动器
主页
电源管理
栅极驱动器
隔离式栅极驱动器

UCC21530-Q1

正在供货

Automotive, 4A/6A dual-channel reinforced isolated gate driver with enable, programmable deadtime

立即订购
数据表

可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
UCC21551-Q1 正在供货 具有启用功能、可编程死区时间的汽车级增强型 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21530-Q1

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级
  • 功能安全质量管理型
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V、12V 和 17V VDD UVLO 选项
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级
  • 功能安全质量管理型
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V、12V 和 17V VDD UVLO 选项
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

该器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

该器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
filter 查找其他 隔离式栅极驱动器
下载 观看带字幕的视频 视频

申请了解更多信息

可提供 UCC21530-Q1 安全手册和安全时基故障率报告。立即申请

技术文档

未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 11
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC21530-Q1 具有 3.3mm 通道到通道间距的 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. F) PDF | HTML 英语版 (Rev.F) PDF | HTML 2024-12-18
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) 2026-7-15
白皮书 利用可靠且性价比高的隔离技术应对 高电压设计挑战 PDF | HTML PDF | HTML 2026-5-28
证书 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) 2025-9-8
应用手册 栅极驱动器电路中窄脉冲宽度的影响 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024-1-26
证书 UCC21540 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023-8-17
证书 UCC215xx CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023-8-17
应用手册 OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点 2023-1-13
应用简报 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022-11-14
证书 CSA Product Certificate (Rev. A) 2019-8-15
技术文章 Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC PDF | HTML 2019-2-9

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC21530EVM-286 — UCC21530 隔离式双通道驱动器评估模块

UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK，后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能（高电平有效）功能和 3.3mm 通道间爬电距离的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP21553 — 安全隔离式初级 SiC MOSFET 驱动器参考设计

此参考设计为汽车电池充电系统提供了集成高侧和低侧隔离式初级栅极驱动器解决方案，采用两个推挽 SN6505B 变压器驱动器和一个隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。
支持的产品和硬件
参考设计

PMP21561 — 安全隔离式次级 SiC MOSFET 驱动器参考设计

此参考设计为汽车电池充电系统提供集成的高侧和低侧隔离式次级栅极驱动器解决方案，采用两个推挽式 SN6505B 变压器驱动器和隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。
支持的产品和硬件
参考设计

PMP21999 — 具有 PCB 绕组变压器的 6.6kW、双向 CLLLC 谐振转换器参考设计

此 6.6kW、双向、双有源电桥谐振转换器参考设计支持 380VDC 至 600VDC 输出和 280VDC 至 450VDC 输出。本设计采用了 PCB 绕组变压器和 Rogowski 线圈同步整流器 (SR) 控制，实现了对功率密度和效率的优化。本设计实现了一个子卡方法，包括 C2000™ 控制器 (TMDSCNCD280049C)、SiC 驱动器（PMP22001 和 PMP22002）和偏置电源 (PMP22003)。此设计拥有 500kHz 谐振频率和 300kHz 至 700kHz 操作频率，峰值效率可达到 98%。
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-01605 — 具有两级关断保护功能的汽车级双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计

此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。该设计包括两个推挽式偏置电源，分别用于双通道隔离式栅极驱动器，其中每个电源提供 +15V 和 -4V 输出电压以及 1W 输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。它实现了增强型隔离，可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS 隔离电压，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns。该参考设计还包含两级关断电路，其可在短路情况下保护 MOSFET 免受电压过冲的影响。DESAT 检测阈值和第二级关断的延迟时间可以配置。部署 ISO7721-Q1 (...)
支持的产品和硬件
参考设计

TIDM-02002 — 针对 HEV/EV 车载充电器的双向 CLLLC 谐振、双有源电桥 (DAB) 参考设计

具有双向功率流功能和软开关特性的 CLLLC 谐振 DAB 是混合动力电动汽车/电动汽车 (HEV/EV) 车载充电器和能量存储应用的理想候选器件。此设计演示了在闭合电压和闭合电流环路模式中使用 C2000™ MCU 控制此电源拓扑。供该设计使用的硬件和软件可帮助缩短产品
上市时间。
支持的产品和硬件
参考设计

TIDM-02009 — 经过 ASIL D 等级功能安全认证的高速牵引和双向直流/直流转换参考设计

此参考设计演示了如何通过一个 TMS320F28388D 实时 C2000™ MCU 控制 HEV/EV 牵引逆变器和双向直流/直流转换器。牵引控制利用基于软件的旋转变压器数字转换器 (RDC)，使电机转速高达 20,000RPM。直流/直流转换器结合了峰值电流模式控制 (PCMC) 技术、相移全桥 (PSFB) 拓扑以及同步整流 (SR) 机制。牵引逆变器级采用碳化硅 (SiC) 功率级，由 UCC5870-Q1 智能栅极驱动器驱动。利用比较器子系统 (CMPSS) 中先进的 PWM 模块和内置斜坡补偿功能，可生成 PCMC 波形。该系统基于 ASIL 分解的功能安全概念已通过 TÜV (...)

支持的产品和硬件
参考设计

TIDM-02012 — MathWorks® 高压 HEV/EV HVAC 电动压缩机电机控制参考设计

TIDM-02012 是一种高压 5kW 参考设计，专为由中等性能 C2000™ TMS320F28003x 实时 MCU 控制的混合动力汽车/电动汽车压缩机 (eCompressor) 应用而构建。它旨在评估 400V 和 800V 直流母线，迎合更高电池电压的市场趋势。  基于 controlCARD 的设计使用户能够评估多个 MCU 和栅极驱动器选项，并可进行扩展以支持 C2000™ 产品系列中的其他器件，包括未来规划的器件，从而满足不断增长的网络安全、功能安全和其他汽车市场需求。

基于 MathWorks (...)

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

查看全部论坛主题 查看英文版全部论坛主题

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供，并不构成 TI 规范。请参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问，请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频