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产品详细信息

参数

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Enable/disable function Enable Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 14.7 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (DWK) 14 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

特性

  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 6ns 最大脉宽失真度
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kVPK
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流,6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 工作温度范围:–40 至 +125°C
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离(计划)
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准(计划)
    • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证(计划)
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6

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描述

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可驱动高达 5MHz 的 IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借上述所有高级 功能,UCC21530-Q1 可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和 稳健性。

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 具有 3.3mm 通道到通道间距的 UCC21530-Q1 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. C) 下载英文版本 (Rev.C) 2019年 11月 14日
更多文献资料 VDE certificate for reinforced isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 2019年 11月 13日
更多文献资料 CSA Product Certificate 2019年 8月 15日
更多文献资料 UCC21520 UL Certification 2019年 7月 22日
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设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$49.00
说明
UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK,后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能(高电平有效)功能和 3.3mm 通道间爬电间隙的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。
特性
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 5.7kVrms 增强型隔离
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装,次级侧通道之间具有 3.3mm 间隙

参考设计

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CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
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