UCC21530-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度 1 级
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全质量管理型
- 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
- 驱动器通道之间的间距为 3.3mm
- 开关参数：
- 19ns 典型传播延迟
- 10ns 最小脉冲宽度
- 5ns 最大延迟匹配
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 隔离层寿命 > 40 年
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 8V 和 12V VDD UVLO 选项
- 可编程的重叠和死区时间
- 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
- 工作温度范围：–40°C 至 +125°C
- 安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
- 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
- 符合 GB4943.1-2011标准 的 CQC 认证
UCC21530 -Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。
输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。
该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
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评估板
UCC21530EVM-286 — UCC21530 隔离式双通道驱动器评估模块
UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK，后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能（高电平有效）功能和 3.3mm 通道间爬电间隙的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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参考设计
TIDM-02009 — 经过 ASIL D 等级功能安全认证的高速牵引和双向直流/直流转换参考设计
此参考设计演示了如何通过一个 TMS320F28388D 实时 C2000™ MCU 控制 HEV/EV 牵引逆变器和双向直流/直流转换器。牵引控制利用基于软件的旋转变压器转数字转换器 (RDC)，使电机转速高达 20,000RPM。直流/直流转换器结合了峰值电流模式控制 (PCMC) 技术、相移全桥 (PSFB) 拓扑以及同步整流 (SR) 机制。牵引逆变器级采用碳化硅 (SiC) 功率级，由 UCC5870-Q1 智能栅极驱动器驱动。利用比较器子系统 (CMPSS) 中先进的 PWM 模块和内置斜坡补偿功能，可生成 PCMC 波形。该系统基于 ASIL (...)
参考设计
TIDM-02002 — 针对 HEV/EV 车载充电器的双向 CLLLC 谐振、双有源电桥 (DAB) 参考设计
具有双向电源流功能和软开关特性的 CLLLC 谐振 DAB 是混合动力电动汽车/电动汽车 (HEV/EV) 车载充电器和能源存储应用的一种理想候选方案。此设计演示了在闭合电压和闭合电流环路模式中使用 C2000™ MCU 控制此电源拓扑。可供此设计使用的硬件和软件可帮助您
缩短产品上市时间。
缩短产品上市时间。
参考设计
TIDM-02012 — 混合动力汽车/电动汽车 HVAC eCompressor 高压电机控制参考设计
TIDM-02012 是一种高压 5kW 参考设计，专为由中等性能 C2000™ TMS320F28003x 实时 MCU 控制的混合动力汽车/电动汽车压缩机 (eCompressor) 应用而构建。它旨在评估 400V 和 800V 直流总线，迎合更高电池电压的市场趋势。基于 controlCARD 的设计使用户能够评估多个 MCU 和栅极驱动器选项，并可进行扩展以支持 C2000™ 产品系列中的其他器件，包括未来规划的器件，从而满足不断增长的网络安全、功能安全和其他汽车市场需求。
设计指南: PDF
参考设计
TIDA-020031 — 汽车类 400V 电池至 12V、3.6kW 直流/直流转换器参考设计
此参考设计是一款 3.6kW、400V 至 12V 的汽车单向转换器，可将 200V 至 450V 的直流输入转换为 12V、300A 的最大输出。断路器适用于过流和过压保护。转换器在高压侧采用 SiC MOSFET 进行设计，并由 5.7kVRMS 增强隔离型双通道栅极驱动器驱动。这种增强型相移全桥控制器实现了可编程延迟，可确保在多种操作条件下实现零电压开关 (ZVS)。它具有多种轻载管理特性，包括突发模式以及切入和切出不连续电流模式 (DCM) 时的动态 SR 开关控制。这种输出实现了同步整流，可实现快速瞬态响应和高环路带宽。
参考设计
TIDA-01605 — 具有两级关断保护功能的汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计
此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V 和 –4V 输出电压以及 1W 输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器实现了增强型隔离，可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS 隔离电压以及超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。此参考设计包含两级关断电路，可在短路情况下保护 MOSFET 抵御电压过冲。DESAT 检测阈值和第二级关断延迟时间是可配置的。此设计采用 (...)
参考设计
PMP21999 — 具有 PCB 绕组变压器的 6.6kW、双向 CLLLC 谐振转换器参考设计
此 6.6kW、双向、双有源电桥谐振转换器参考设计支持 380VDC 至 600VDC 输出和 280VDC 至 450VDC 输出。本设计采用了 PCB 绕组变压器和 Rogowski 线圈同步整流器 (SR) 控制，实现了对功率密度和效率的优化。本设计实现了一个子卡方法，包括 C2000™ 控制器 (TMDSCNCD280049C)、SiC 驱动器（PMP22001 和 PMP22002）和偏置电源 (PMP22003)。此设计拥有 500kHz 谐振频率和 300kHz 至 700kHz 操作频率，峰值效率可达到 98%。
| 封装 | 引脚数 | 下载 |
|---|---|---|
| SOIC (DWK) | 14 | 了解详情 |
| — (—) | — |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。