LM74800EVM-CS

LM7480-Q1 理想二极管控制器评估模块

LM74800EVM-CS

立即订购

概述

TI 的评估模块 LM74800EVM-CD 可帮助设计人员评估 LM7480-Q1 理想二极管控制器(LM74800QDRR 和 LM74801QDRR)在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示 LM7480-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET,首先连接理想二极管 MOSFET,之后连接第二个 MOSFET 以实现开关输出和电源路径切断。

特性
  • 适用于高功率 ECU 设计的反向电池保护
  • 开关输出和电源路径切断
  • 过压保护
  • 符合汽车瞬态抗扰度测试要求
  • 两个外部 N 沟道 MOSFET 以共源极配置背对背连接
理想二极管/ORing 控制器
LM7480 具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器 LM7480-Q1 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器
下载 观看带字幕的视频 视频

立即订购并开发

评估板

LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 ideal diode controller evaluation module

登录以订购
In stock / Out of stock
数量限制:
TI.com 上无现货
应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件.

技术文档

未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看所有 3
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
EVM 用户指南 LM7480-Q1 未抑制负载突降保护评估模块:LM74800EVM-CS PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 10月 26日
证书 LM74800EVM-CS EU Declaration of Conformity (DoC) 2021年 3月 5日
数据表 具有负载突降保护功能的 LM7480-Q1 理想二极管控制器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2021年 1月 29日

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

查看所有论坛主题 查看英文版所有论坛主题

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持

视频