ZHDA103 March   2026 TPS1200-Q1 , TPS1210-Q1 , TPS1211-Q1 , TPS1212-Q1 , TPS1213-Q1 , TPS1214-Q1 , TPS1H000-Q1 , TPS1H100-Q1 , TPS1H200A-Q1 , TPS1HA08-Q1 , TPS1HB08-Q1 , TPS1HB16-Q1 , TPS1HB35-Q1 , TPS1HB50-Q1 , TPS1HC04-Q1 , TPS1HC08-Q1 , TPS1HC100-Q1 , TPS1HC120-Q1 , TPS1HC30-Q1 , TPS1HTC100-Q1 , TPS1HTC30-Q1 , TPS272C45 , TPS274160 , TPS274C65 , TPS274C65CP , TPS27S100 , TPS27SA08 , TPS27SA08-Q1 , TPS281C100 , TPS281C30 , TPS2H000-Q1 , TPS2H160-Q1 , TPS2HB16-Q1 , TPS2HB35-Q1 , TPS2HB50-Q1 , TPS2HC08-Q1 , TPS2HC120-Q1 , TPS2HC16-Q1 , TPS2HCS05-Q1 , TPS2HCS08-Q1 , TPS2HCS10-Q1 , TPS4800-Q1 , TPS4810-Q1 , TPS4811-Q1 , TPS4812-Q1 , TPS4813-Q1 , TPS4816-Q1 , TPS482H85-Q1 , TPS4H000-Q1 , TPS4H160-Q1 , TPS4HC120-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
    1. 1.1 高侧开关同其他电源开关 IC 的比较情况
      1. 1.1.1 分立式高侧实现
        1. 1.1.1.1 一级：NFET 控制的 PFET
        2. 1.1.1.2 二级：带有升压转换器的 NFET
        3. 1.1.1.3 三级：NFET、升压转换器和分立式实现的保护及诊断功能
      2. 1.1.2 与负载开关的比较
      3. 1.1.3 与热插拔控制器及电子保险丝的比较（集成热插拔）
      4. 1.1.4 电机驱动器及栅极驱动器的比较
      5. 1.1.5 总结
    2. 1.2 常见汽车及工业标准
      1. 1.2.1 典型的汽车电压范围
      2. 1.2.2 典型工业电压范围
      3. 1.2.3 汽车资质认证及标准
      4. 1.2.4 工业资质及标准
  5. 2高侧开关及控制器的架构和应用差异
    1. 2.1 架构差异
    2. 2.2 应用差异
      1. 2.2.1 负载驱动
      2. 2.2.2 输入保护及电路中断
    3. 2.3 摘要及产品系列选择矩阵
  6. 3高侧开关及控制器的核心特性
    1. 3.1 保护特性
      1. 3.1.1 过流保护
      2. 3.1.2 热关断
        1. 3.1.2.1 绝对热关断
        2. 3.1.2.2 相对热关断
        3. 3.1.2.3 欠压锁定及过压锁定（UVLO 和 OVLO）
        4. 3.1.2.4 感应钳位
      3. 3.1.3 反极性保护
        1. 3.1.3.1 接地网络
        2. 3.1.3.2 高侧开关控制器中的反极性及反向电流保护
    2. 3.2 诊断功能
      1. 3.2.1 模拟电流感应
      2. 3.2.2 开路负载和电池短路检测
      3. 3.2.3 结温检测
      4. 3.2.4 输入和输出电压检测
  7. 4专有特性
    1. 4.1 电容充电特性
    2. 4.2 串行通信和相应特性
    3. 4.3 适用于工业系统的特性：增强的 EFT、反向电流阻断、LED 驱动
    4. 4.4 其他专有特性
      1. 4.4.1 集成看门狗计时器
      2. 4.4.2 循环冗余校验 (CRC)
      3. 4.4.3 稳态可编程 PWM 开关
    5. 4.5 智能电子保险丝高侧开关保护特性
      1. 4.5.1 具有可编程时间电流特征 (I2T) 的能源管理
      2. 4.5.2 通过低功耗模式实现功耗优化
      3. 4.5.3 下电上电后的存储器保留（NVM 或 EEPROM）
  8. 5总结
  9. 6参考资料

3.1.1 过流保护

高侧开关中最典型的过流保护形式为限流 响应。集成式 MOSFET 可以在故障情况下将输出电流调制到安全水平。传统的高侧开关具有内部固定的电流限值，该限值设置得非常高，可满足广泛的负载要求。TI 的许多高侧开关提供的可调节电流限制范围低于传统固定电流限制。在短路或部分负载短路（软短路）期间，较低的电流限值设置可以大幅降低故障能量和输出电流。通过降低故障能量和电流，整个系统通过以下方面得到善：

  • 减小尺寸和成本（在载流元件中，如 PCB 布线和模块连接器）
  • 在短路事件期间对于电源（VS 引脚）的干扰更小
  • 解决一个或者多个通道中过载电流问题所需的电源额外预算较少
  • 为下游负载提供更好保护

在大多数 TI 高侧开关中，电流限制可通过外部电阻器来调节。在具有遥测功能的器件中，此电流限制是可编程的。有关本主题的进一步解读，请参阅智能电源开关的可调节电流限制。

在最近几代高侧开关中，还有其他限制电流的方法。虽然在设定水平的钳位电流仍然是 TI 产品系列的主要响应，但存在钳位变化，该情况下会动态控制电流限制，以限制器件控制器与 FET 温度之间的差值，并防止器件进入相对热关断状态。这种动态钳位特性称为热调节，使器件能够为更大的电容负载充电，并在关断之前为相同的电容负载充电更长时间。

三种不同电流限制响应的电流与时间关系图：立即关断（断路器）（左）、电流钳位（中间）和具有热调节功能的电流钳位（右）图 3-1 三种不同电流限制响应的电流与时间关系图：立即关断（断路器）（左）、电流钳位（中间）和具有热调节功能的电流钳位（右）