ZHDA103 March   2026 TPS1200-Q1 , TPS1210-Q1 , TPS1211-Q1 , TPS1212-Q1 , TPS1213-Q1 , TPS1214-Q1 , TPS1H000-Q1 , TPS1H100-Q1 , TPS1H200A-Q1 , TPS1HA08-Q1 , TPS1HB08-Q1 , TPS1HB16-Q1 , TPS1HB35-Q1 , TPS1HB50-Q1 , TPS1HC04-Q1 , TPS1HC08-Q1 , TPS1HC100-Q1 , TPS1HC120-Q1 , TPS1HC30-Q1 , TPS1HTC100-Q1 , TPS1HTC30-Q1 , TPS272C45 , TPS274160 , TPS274C65 , TPS274C65CP , TPS27S100 , TPS27SA08 , TPS27SA08-Q1 , TPS281C100 , TPS281C30 , TPS2H000-Q1 , TPS2H160-Q1 , TPS2HB16-Q1 , TPS2HB35-Q1 , TPS2HB50-Q1 , TPS2HC08-Q1 , TPS2HC120-Q1 , TPS2HC16-Q1 , TPS2HCS05-Q1 , TPS2HCS08-Q1 , TPS2HCS10-Q1 , TPS4800-Q1 , TPS4810-Q1 , TPS4811-Q1 , TPS4812-Q1 , TPS4813-Q1 , TPS4816-Q1 , TPS482H85-Q1 , TPS4H000-Q1 , TPS4H160-Q1 , TPS4HC120-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
    1. 1.1 高侧开关同其他电源开关 IC 的比较情况
      1. 1.1.1 分立式高侧实现
        1. 1.1.1.1 一级：NFET 控制的 PFET
        2. 1.1.1.2 二级：带有升压转换器的 NFET
        3. 1.1.1.3 三级：NFET、升压转换器和分立式实现的保护及诊断功能
      2. 1.1.2 与负载开关的比较
      3. 1.1.3 与热插拔控制器及电子保险丝的比较（集成热插拔）
      4. 1.1.4 电机驱动器及栅极驱动器的比较
      5. 1.1.5 总结
    2. 1.2 常见汽车及工业标准
      1. 1.2.1 典型的汽车电压范围
      2. 1.2.2 典型工业电压范围
      3. 1.2.3 汽车资质认证及标准
      4. 1.2.4 工业资质及标准
  5. 2高侧开关及控制器的架构和应用差异
    1. 2.1 架构差异
    2. 2.2 应用差异
      1. 2.2.1 负载驱动
      2. 2.2.2 输入保护及电路中断
    3. 2.3 摘要及产品系列选择矩阵
  6. 3高侧开关及控制器的核心特性
    1. 3.1 保护特性
      1. 3.1.1 过流保护
      2. 3.1.2 热关断
        1. 3.1.2.1 绝对热关断
        2. 3.1.2.2 相对热关断
        3. 3.1.2.3 欠压锁定及过压锁定（UVLO 和 OVLO）
        4. 3.1.2.4 感应钳位
      3. 3.1.3 反极性保护
        1. 3.1.3.1 接地网络
        2. 3.1.3.2 高侧开关控制器中的反极性及反向电流保护
    2. 3.2 诊断功能
      1. 3.2.1 模拟电流感应
      2. 3.2.2 开路负载和电池短路检测
      3. 3.2.3 结温检测
      4. 3.2.4 输入和输出电压检测
  7. 4专有特性
    1. 4.1 电容充电特性
    2. 4.2 串行通信和相应特性
    3. 4.3 适用于工业系统的特性：增强的 EFT、反向电流阻断、LED 驱动
    4. 4.4 其他专有特性
      1. 4.4.1 集成看门狗计时器
      2. 4.4.2 循环冗余校验 (CRC)
      3. 4.4.3 稳态可编程 PWM 开关
    5. 4.5 智能电子保险丝高侧开关保护特性
      1. 4.5.1 具有可编程时间电流特征 (I2T) 的能源管理
      2. 4.5.2 通过低功耗模式实现功耗优化
      3. 4.5.3 下电上电后的存储器保留（NVM 或 EEPROM）
  8. 5总结
  9. 6参考资料

1 简介

在基础层面，高侧开关和高侧开关控制器（通常称为高侧栅极驱动器）是用于驱动阻性、容性和电感负载的电源管理器件。TI 的高侧电源开关产品系列还通过诊断及保护机制提供智能控制。高侧开关将 MOSFET 集成到同一封装中，而控制器为外部 MOSFET 提供栅极驱动。在集成式或外部 FET 解决方案之间进行选择时，电流要求是最决定性的因素。散热及裸片尺寸限制会限制高侧开关的最大负载电流。因此，高侧开关控制器是不能使用高侧开关的高电流应用的替代方案。高侧开关和控制器具有不同的通道数，可减少每个模块的器件数量，从而减小系统尺寸并降低成本。此外，高侧开关提供各种 MOSFET 导通电阻，根据器件必须驱动的电流来定制器件。

具有集成 FET 的高侧开关（左）和具有外部 FET 的高侧开关控制器（右）的基本示意图图 1-1 具有集成 FET 的高侧开关（左）和具有外部 FET 的高侧开关控制器（右）的基本示意图