ZHCUAY8A May 2023 – May 2025
使用感性负载在额定电压和功率水平下对牵引逆变器系统进行了测试。改变 UCC5880-Q1 栅极驱动器的驱动强度以研究对系统效率的影响。下图显示了 SiC MOSFET 的漏源电压 (Vds) 和相电流的示波器图。图 3-18 和图 3-19 显示了栅极驱动强度较弱时的测试波形。图 3-20 和图 3-21 显示了具有强栅极驱动强度的测试波形。表 3-6 显示了测试条件和获得的功率结果。在感性负载测试中,负载功率会进行循环。因此,外部直流电源仅提供系统损耗,该损耗量化为 Ploss。可以看到,随着驱动强度的提高,系统损耗也会降低。这主要是由于开关损耗的降低。但是,如图 3-20 所展示,较高的驱动强度也会增加 SiC MOSFET 上的漏源电压过冲。利用 UCC5880-Q1 栅极驱动器的可变驱动强度特性,可以实时优化系统损耗。
| 栅极驱动强度 | 直流母线电压 | RMS 电流 | Ploss |
|---|---|---|---|
| 弱 | 800V | 285A | 4.2111kW |
| 弱 | 800V | 320A | 5.1627kW |
| 强 | 800V | 285A | 2.273kW |
| 强 | 800V | 320A | 2.747kW |