ZHCUAY8 may   2023

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统技术规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1  UCC5880-Q1
      2. 2.3.2  AM2634-Q1
      3. 2.3.3  TMS320F280039C-Q1
      4. 2.3.4  UCC14240-Q1
      5. 2.3.5  UCC12051-Q1
      6. 2.3.6  AMC3330-Q1
      7. 2.3.7  TCAN1462-Q1
      8. 2.3.8  ISO1042-Q1
      9. 2.3.9  ALM2403-Q1
      10. 2.3.10 LM5158-Q1
      11. 2.3.11 LM74202-Q1
    4. 2.4 系统设计原理
      1. 2.4.1 微控制器
        1. 2.4.1.1 微控制器 – C2000™
        2. 2.4.1.2 微控制器 – Sitara™
      2. 2.4.2 隔离式偏置电源
      3. 2.4.3 电源树
        1. 2.4.3.1 引言
        2. 2.4.3.2 电源树方框图
        3. 2.4.3.3 12V 分配和控制
        4. 2.4.3.4 栅极驱动器电源
        5. 2.4.3.5 5 伏电源域
        6. 2.4.3.6 电流和位置检测电源
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
      1. 3.1.1 硬件板概述
        1. 3.1.1.1 控制板
        2. 3.1.1.2 MCU 控制卡 – Sitara™
        3. 3.1.1.3 MCU 控制卡 – C2000™
        4. 3.1.1.4 栅极驱动器和辅助电源板
        5. 3.1.1.5 直流总线电压检测
        6. 3.1.1.6 SiC 电源模块
          1. 3.1.1.6.1 XM3 SiC 电源模块
          2. 3.1.1.6.2 模块电源端子
          3. 3.1.1.6.3 模块信号端子
          4. 3.1.1.6.4 集成 NTC 温度传感器
        7. 3.1.1.7 层压总线和直流总线电容器
          1. 3.1.1.7.1 放电 PCB
    2. 3.2 测试设置
      1. 3.2.1 软件设置
        1. 3.2.1.1 Code Composer Studio 工程
        2. 3.2.1.2 软件结构
    3. 3.3 测试步骤
      1. 3.3.1 工程设置
      2. 3.3.2 运行应用程序
    4. 3.4 测试结果
      1. 3.4.1 隔离式偏置电源
      2. 3.4.2 隔离式栅极驱动器
      3. 3.4.3 逆变器系统
  10. 4通用德州仪器 (TI) 高压评估模块 (TI HV EVM) 用户安全指南
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 材料清单
      3. 5.1.3 PCB 布局建议
        1. 5.1.3.1 布局图
      4. 5.1.4 Altium 项目
      5. 5.1.5 Gerber文件
      6. 5.1.6 装配图
    2. 5.2 工具与软件
    3. 5.3 文档支持
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标
  12. 6术语

2.3.1 UCC5880-Q1

UCC5880-Q1 是一款符合功能安全要求的隔离式栅极驱动器，适用于电动汽车/混合动力汽车牵引逆变器应用。凭借可调栅极驱动强度 SPI 编程、消隐时间、抗尖峰脉冲、阈值、功能使能和故障处理的灵活性，UCC5880 能够支持所有电动汽车/混合动力汽车牵引逆变器应用中使用的各种 IGBT 或 SiC 功率晶体管。UCC5880-Q1 集成了大多数牵引逆变器应用所需的所有保护特性。此外，20A 栅极驱动能力消除了对外部升压电路的需求，从而减小了整体设计的尺寸。集成式米勒钳位电路可在瞬态事件期间使栅极保持关断状态，并可配置为使用内部 4A 下拉电流或驱动外部 n 沟道 MOSFET。基于内部电容器的先进隔离技术可以极大地提高 CMTI 性能，同时极大地降低辐射发射。