ZHCSXO1A December 2024 – July 2026 LMX2624-SP
PRODUCTION DATA
表 6-24 列出了器件寄存器的存储器映射寄存器。表 6-24中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置,并且不应修改寄存器内容。
| 偏移 | 首字母缩写词 | 寄存器名称 | 部分 |
|---|---|---|---|
| 0h | R0 | 节 5.3.1.1 | |
| 1h | R1 | 节 5.3.1.2 | |
| 2h | R2 | 节 5.3.1.3 | |
| 3h | R3 | 节 5.3.1.4 | |
| 4h | R4 | 节 5.3.1.5 | |
| 5h | R5 | 节 5.3.1.6 | |
| 6h | R6 | 节 5.3.1.7 | |
| 7h | R7 | 节 5.3.1.8 | |
| 8h | R8 | 节 5.3.1.9 | |
| 9h | R9 | 节 5.3.1.10 | |
| Ah | R10 | 节 5.3.1.11 | |
| Bh | R11 | 节 5.3.1.12 | |
| Ch | R12 | 节 5.3.1.13 | |
| Dh | R13 | 节 5.3.1.14 | |
| Eh | R14 | 节 5.3.1.15 | |
| Fh | R15 | 节 5.3.1.16 | |
| 10h | R16 | 节 5.3.1.17 | |
| 11h | R17 | 节 5.3.1.18 | |
| 12h | R18 | 节 5.3.1.19 | |
| 13h | R19 | 节 5.3.1.20 | |
| 14h | R20 | 节 5.3.1.21 | |
| 16h | R22 | 节 5.3.1.22 | |
| 17h | R23 | 节 5.3.1.23 | |
| 1Eh | R30 | 节 5.3.1.24 | |
| 1Fh | R31 | 节 5.3.1.25 | |
| 20h | R32 | 节 5.3.1.26 | |
| 22h | R34 | 节 5.3.1.27 | |
| 23h | R35 | 节 5.3.1.28 | |
| 54h | R84 | 节 5.3.1.29 |
复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 6-25 展示了适用于此部分中访问类型的代码。
| 访问类型 | 代码 | 说明 |
|---|---|---|
| 读取类型 | ||
| R | R | 读取 |
| 写入类型 | ||
| W | W | 写入 |
| 复位或默认值 | ||
| -n | 复位后的值或默认值 | |
R0 如表 6-26 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 14 | VCO_PHASE_SYNC | R/W | 0h | 相位同步使能。 如果该位设置为 1,则 SYNC 引脚的上升沿触发相位同步。SYSREF 运行需要将该位设置为 1。
|
| 13 | 未披露 | R/W | 1h | 将该字段编程为 0x1。 |
| 12 | FCAL_DBLR_EN | R/W | 1h | 用于 VCO 倍频器校准的使能位。 如果该位设置为 1,则只要触发 VCO 校准,就会校准 VCO 倍频器。
|
| 11-10 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 9-8 | OUT_MUTE | R/W | 3h | 定义如何在 VCO 校准期间将射频输出静音。 如果选择了静音,则必须执行至少一次 VCO 校准,否则所选静音通道将静音。
|
| 7-6 | FCAL_HPFD_ADJ | R/W | 3h | 进行调整以降低用于 VCO 校准的 fPD 频率。 根据相位检测器频率来设置该字段,以实现最佳 VCO 校准。
|
| 5-4 | FCAL_LPFD_ADJ | R/W | 0h | 进行调整以提高用于 VCO 校准的 fPD 频率。 根据相位检测器频率来设置该字段,以实现最佳 VCO 校准。
|
| 3 | 未披露 | R/W | 1h | 将该字段编程为 0x1。 |
| 2 | FCAL_EN | R/W | 1h | 写入寄存器 R0 并将该位设置为 1,即触发 VCO 校准。
|
| 1 | 复位 | R/W | 0h | 将所有寄存器复位为硅片默认值。 复位后,需要重新对所有寄存器进行编程。
|
| 0 | POWERDOWN | R/W | 0h | 将器件断电。 当器件断电时,会保留寄存器内容。
|
R1 如表 6-27 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 14 | MASH_SEED_EN | R/W | 0h | 启用 MASH_SEED 以进行相位调整。
|
| 13 | 读回 | R/W | 0h | 设置寄存器读回控制。
|
| 12 | LD_TYPE | R/W | 1h | 定义锁定检测类型。 VCOCal 锁定检测在 VCO 完成校准且 LD_DLY 超时计数器结束后置为高电平输出。 当 VCOCal 锁定检测触发一个信号且 VCO 的调谐电压在可接受范围内(持续监测 Vtune 电压)时,Vtune 和 VCOCal 锁定检测置为高电平输出。 RECAL 功能需要使用 Vtune 和 VCOCal 锁定检测。 两种锁定检测类型都需要执行至少一次 VCO 校准,否则输出将保持低电平。
|
| 11 | OUTB_MUTE_POL | R/W | 0h | 选择 MUTEB 引脚是高电平有效还是低电平有效。
|
| 10 | OUTA_MUTE_POL | R/W | 0h | 选择 MUTEA 引脚是高电平有效还是低电平有效。
|
| 9 | OUTB_MUTE_PIN | R/W | 0h | 选择通过引脚还是寄存器将 RFOUTB 静音。
|
| 8 | OUTA_MUTE_PIN | R/W | 0h | 选择通过引脚还是寄存器将 RFOUTA 静音。
|
| 7 | OUTB_MUTE | R/W | 1h | 将 RFOUTB 静音。
|
| 6 | OUTA_MUTE | R/W | 1h | 将 RFOUTA 静音。
|
| 5 | OUTB_PD | R/W | 0h | 将 RFOUTB 断电。
|
| 4 | OUTA_PD | R/W | 0h | 将 RFOUTA 断电。
|
| 3 | 未披露 | R/W | 1h | 将该字段编程为 0x1。 |
| 2-0 | CAL_CLK_DIV | R/W | 3h | 将状态机时钟频率设置为等于或小于 50MHz。 fSM = fOSC/2CAL_CLK_DIV
|
R2 如表 6-28 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-11 | 未披露 | R/W | 1h | 将该字段编程为 0x1。 |
| 10-8 | CPG | R/W | 7h | 设置电荷泵电流。
|
| 7-6 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 5-3 | OUTB_PWR | R/W | 7h | 控制 RFOUTB 输出功率。值越高,输出功率越大。 |
| 2-0 | OUTA_PWR | R/W | 7h | 控制 RFOUTA 输出功率。值越高,输出功率越大。 |
R3 如表 6-29 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-14 | OUTB_MUX | R/W | 1h | 选择 RFOUTB 配置。
|
| 13-12 | OUTA_MUX | R/W | 1h | 选择 RFOUTA 配置。
|
| 11 | OUTMUX | R/W | 0h | 决定通过 OUTMUX 引脚还是寄存器控制射频输出选择(分频、直接 VCO 或 VCO 倍频器输出)。
|
| 10-5 | PFD_DLY | R/W | 2h | 可编程相位检测器延迟。该值应根据 VCO 频率、小数阶次和 N 分频器值进行编程。 所有其他值必须根据 N 分频器值进行设置
|
| 4-0 | CHDIV | R/W | 0h | 设置射频输出的 VCO 分频器值。 下面未列出的值为保留值。
|
R4 如表 6-30 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 14 | VCO_CAPCTRL_FORCE | R/W | 0h | 允许强制器件为 VCO 使用所编程的 VCO_CAPCTRL 值。
|
| 13 | VCO_DACISET_FORCE | R/W | 0h | 允许强制器件为 VCO 使用所编程的 VCO_DACISET 值。
|
| 12 | VCO_SEL_FORCE | R/W | 0h | 允许强制器件使用编程的 VCO_SEL 值手动选择 VCO 内核。
|
| 11 | QUICK_RECAL_EN | R/W | 0h | 选择用于启动 VCO 校准的 VCO 配置(VCO_CAPCTRL、VCO_SEL 和 VCO_DACISET)值。
|
| 10-0 | 未披露 | R/W | 644h | 将该字段编程为 0x644。 |
R5 如表 6-31 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-13 | MASH_ORDER | R/W | 0h | 设置 MASH 阶数。 当禁用 MASH 时,小数分子 (PLL_NUM) 会被忽略。 下面未列出的值为保留值。
|
| 12 | VCO_FULL_ASSIST | R/W | 0h | 启用该位会强制器件对以下字段使用编程的值: VCO_SEL、VCO_CAPCTRL、VCO_DACISET DBLR1_PD、DBLR_AMP_CAPCTRL、DBLR_AMP1_DACCTRL DBLR_PG_AMP_CAPCTRL、DBLR_PG_AMP_DACCTRL 如果启用,则需要 DBL_BUF_EN = 1。
|
| 11-9 | VCO_SEL | R/W | 7h | 设置用于 VCO 校准的初始 VCO 内核。 除非 QUICK_RECAL_EN = 1,否则 VCO 校准始终从该字段中指定的值开始。
|
| 8-0 | VCO_DACISET | R/W | 12Ch | 设置 VCO 校准的初始值,典型值为 300。 除非 QUICK_RECAL_EN = 1,否则 VCO 校准始终从该字段中指定的值开始。 |
R6 如表 6-32 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 14-13 | DBLR_AMP1_DACCTRL | R/W | 2h | VCO 倍频器配置。 仅在完全辅助模式下需要编程。该字段值通过在 VCO 倍频器校准后读回寄存器来获得。 |
| 12-9 | DBLR_AMP_CAPCTRL | R/W | 0h | VCO 倍频器配置。 仅在完全辅助模式下需要编程。该字段值通过在 VCO 倍频器校准后读回寄存器来获得。 |
| 8 | DBLR1_PD | R/W | 1h | 禁用 VCO 倍频器的路径 1。 仅在完全辅助模式下需要编程。该字段值通过在 VCO 倍频器校准后读回寄存器来获得。
|
| 7-0 | VCO_CAPCTRL | R/W | BFh | 设置 VCO 校准的初始值。 有效值介于 0 和 191 之间。值越高表示 VCO 频率越低。 除非 QUICK_RECAL_EN = 1,否则 VCO 校准始终从该字段中指定的值开始。 |
R7 如表 6-33 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 14-7 | VCO_FASTCHG_CNT | R/W | FAh | 设置在完全辅助模式下或启用双缓冲时使用的快速充电导通时间。 导通时间 = VCO_FASTCHG_CNT / fSM 建议的导通时间为 5µs。 |
| 6-4 | DBLR_PG_AMP_DACCTRL | R/W | 4h | VCO 倍频器配置。 仅在完全辅助模式下需要编程。该字段值通过在 VCO 倍频器校准后读回寄存器来获得。 |
| 3-0 | DBLR_PG_AMP_CAPCTRL | R/W | 0h | VCO 倍频器配置。 仅在完全辅助模式下需要编程。该字段值通过在 VCO 倍频器校准后读回寄存器来获得。 |
R8 如表 6-34 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | PLL_N | R/W | 46h | N 分频器的低 16 位,总共 19 位。 |
R9 如表 6-35 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-13 | PLL_N[18:16] | R/W | 0h | N 分频器的高 3 位,总共 19 位。 |
| 12-0 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
R10 如表 6-36 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | PLL_DEN[15:0] | R/W | DA80h | 小数分母的低 16 位,总共 32 位。 |
R11 如表 6-37 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | PLL_DEN[31:16] | R/W | FD51h | 小数分母的高 16 位,总共 32 位。 |
R12 如表 6-38 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | MASH_SEED[15:0] | R/W | 0h | MASH_SEED 的低 16 位,总共 32 位。 |
R13 如表 6-39 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | MASH_SEED[31:16] | R/W | 0h | MASH_SEED 的高 16 位,总共 32 位。 |
R14 如表 6-40 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | PLL_NUM[15:0] | R/W | 0h | 小数分子的低 16 位,总共 32 位。 |
R15 如表 6-41 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | PLL_NUM[31:16] | R/W | 0h | 小数分子的高 16 位,总共 32 位。 |
R16 如表 6-42 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-9 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 8 | DBL_BUF_EN | R/W | 0h | 启用双缓冲。 双缓冲允许用户对多个寄存器进行编程,而无需让它们在写入寄存器 R0 之前实际生效。 启用该位时,需要设置足够的快速充电导通时间。 完全辅助模式要求将该位设置为 1。
|
| 7-0 | PLL_R | R/W | 1h | 基准路径 R 后分频器。 这是 R 预分频器之后的分频器。 |
R17 如表 6-43 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-13 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 12 | OSC_2X | R/W | 1h | 启用基准路径输入时钟倍频器。
|
| 11-0 | PLL_R_PRE | R/W | 1h | 基准路径 R 预分频器。 不使用高 4 位。 |
R18 如表 6-44 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-5 | SYSREF_DIV | R/W | 1h | 该分频器可以进一步对 SYSREF 输出的时钟频率进行分频。 |
| 4-2 | SYSREF_DIV_PRE | R/W | 4h | 该分频器用于降低 SYSREF 分频器的时钟频率。 该分频器的输出频率应介于 800MHz 至 1.5GHz 之间。 下面未列出的值为保留值。
|
| 1 | SYSREF_EN | R/W | 0h | 启用 SYSREF 模式。
|
| 0 | SYSREF_REPEAT | R/W | 0h | 将器件设置为 SYSREF 生成或中继器模式。 在生成模式下,SYSREF 时钟通过内部电路生成。 在中继器模式下,传入的 SYSREF 信号通过器件而不会进行重定时。
|
R19 如表 6-45 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 14-9 | JESD_DAC2 | R/W | 0h | SYSREF 输出的可编程延迟。 |
| 8-3 | JESD_DAC1 | R/W | 3Fh | SYSREF 输出的可编程延迟。 |
| 2 | RPTR_NONSYNC | R/W | 0h | 启用非同步 SYSREF 中继器模式。 在 SYSREF 中继器模式下,如果该位设置为 1,则输出 SYSREF 时钟不会通过 VCO 重定时,从而允许输入 SYSREF 时钟直接通过器件。
|
| 1 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 0 | SYSREF_PULSE | R/W | 0h | 将器件设置为连续 SYSREF 脉冲或固定数量的脉冲。 在连续模式下,连续生成 SYSREF 脉冲。 脉冲模式允许在 SysRefReq 引脚变为高电平时发送多个脉冲(由 SYSREF_PULSE_CNT 确定)。
|
R20 如表 6-46 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-12 | SYSREF_PULSE_CNT | R/W | 0h | 定义在 SYSREF 脉冲模式下发送多少个脉冲。 有效值介于 1 至 15 之间。 |
| 11-6 | JESD_DAC4 | R/W | 0h | SYSREF 输出的可编程延迟。 |
| 5-0 | JESD_DAC3 | R/W | 0h | SYSREF 输出的可编程延迟。 |
R22 如表 6-47 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-7 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 6-0 | MUXOUT | R/W | 1h | 选择 MUXOUT 引脚的功能。
|
R23 如表 6-48 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | LD_DLY | R/W | 9C4h | 对于 VCOCal 锁定检测类型,这是在校准完成后,锁定检测被置为高电平之前添加的状态机时钟周期延迟。 延迟时间 = LD_DLY × 4 / fSM |
R30 如表 6-49 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | MASH_RST_COUNT[15:0] | R/W | D6D8h | MASH_RST_COUNT 的低 16 位,总共 32 位。 该字段定义在相位同步期间复位 MASH 引擎后所需的延迟时间。当 PLL_NUM 不为零时,延迟时间应至少设置为 PLL 锁定时间的四倍。当 PLL_NUM = 0 时,可以将该字段设置为 0。 延迟时间 = MASH_RST_COUNT / fSM |
R31 如表 6-50 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | MASH_RST_COUNT[31:16] | R/W | 0h | MASH_RST_COUNT 的高 16 位,总共 32 位。 |
R32 如表 6-51 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-10 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 9-3 | WD_DLY | R/W | 4Dh | 内部看门狗计时器的延迟。 延迟时间 = WD_DLY × 214 / fSM |
| 2-0 | WD_CNTRL | R/W | 7h | 看门狗控制。
|
R34 如表 6-52 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | rb_VER_ID | R | 0h | 读回器件版本 ID。 |
R35 如表 6-53 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-6 | 未披露 | R/W | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |
| 5-4 | rb_LD_VTUNE | R | 0h | 用于锁定检测状态的回读字段。 仅当寄存器 R0 至少被编程一次且 LD_TYPE = 1 时适用,FCAL_EN 位无关。 下面未列出的值表示未锁定。
|
| 3-1 | rb_VCO_SEL | R | 0h | 读回 VCO 校准所选择的实际 VCO 内核。
|
| 0 | 未披露 | R | 0h | 将该字段编程为 0x0。 |