ZHCAF99 April 2025 LM74610-Q1
图 4-1 显示了具有耗尽型 MOSFET 的 LM74610-Q1 旁路功能应用原理图,图 4-2 显示了演示板顶视图,其中包含测试修改和设置。
图 4-3 展示了采用 40V LM74610-Q1 控制器的 60V 旁路开关设计的测试结果。使用合适规格的 MOSFET(Q1 和 QD),输入电压范围可以扩展至 FET 的 VDS 额定值。这样可以使用同一低压控制器实现高压设计。此外,扩展输入电压范围在企业、通信、电动工具和高压电池管理应用中也非常有用。
图 4-3 使用 LM74610 和耗尽型 MOSFET 的 60V 旁路电路的测试结果| 60V 旁路 | 具有耗尽型 MOSFET 的 LM74610-Q1 | ||
| VIN 从 60V 斜升至 0V | |||
| 器件阴极引脚后跟 (VIN + VT_QD) | |||
| 有效 VANODE –V CATHODE 钳位至 FET QD 的 VT | |||